Power management

Entdecken Sie die Leistung von Siliciumcarbid (SiC)

Wählen Sie den richtigen Siliciumcarbid- oder IGBT-Gate-Treiber aus, um ein energiesparendes, robustes und kompaktes Systemdesign zu erhalten

Hohe Effizienz

Steigern Sie die Effizienz Ihres Designs mit unseren SiC- und IGBT-Gate-Treibern, und profitieren Sie von höheren Treiberströmen, hohen CMTI-Werten und kurzen Ausbreitungsverzögerungen.

Erweiterter Schutz

Widerstandfähige isolierte Systeme dank unserer Gate-Treibern mit integriertem Schutz vor Kurzschluss und Spannungsspitzen.

Kompakte Lösung

Kleinere, leichtere und kostengünstigere Systeme durch Umstellung auf SiC bei höheren PWM-Frequenzen mit unseren schnellen, robusten und zuverlässige Treibern.

Vorgestellte SiC- und IGBT-Gate-Treiberprodukte

UCC21710-Q1

Der UCC21710-Q1 ist ein kompletter isolierter Gate-Treiber als Single-Chip-Lösung für SiC/IGBT mit hohem CMTI-Wert und erweitertem Schutz.

UCC21750

Der UCC21750 ist ein einkanaliger isolierter Gate-Treiber für SiC/IGBT mit hohem CMTI-Wert und fortschrittlichem Schutz mittels Entsättigung.

UCC21530-Q1

Isolierter zweikanaliger Gate-Treiber für Anwendungen im Automobilbereich, 4 A, 6 A, 5,7 kVrms mit Enable-Pin

Vorgestellte EVM und Referenzdesigns

System mit hohem Wirkungsgrad

ISO5852S ermöglicht netzgekoppelte Solarwechselrichter mit >99 % Wirkungsgrad, 10 kW und 50 kHz Schaltfrequenz.

Robustheit

ISO5852S ermöglicht Ansteuerung, Messung & Schutz von SiC-Leistungsmodulen mit >100 A.

Kompakte Lösung

Der UCC21530 ermöglicht 98,5 % Wirkungsgrad und Totem-Pole-PFC-Schaltung (6,6 kW) für integrierte Ladevorrichtungen von Elektrofahrzeugen bei 100 kHz Schaltfrequenz.

Technische Dokumente für vorgestellte SiC-Gate-Treiber

Siliciumcarbid-Gate-Treiber – eine bahnbrechende Technologie in der Leistungselektronik

Siliciumcarbid kann sein volles Potenzial nicht ohne das richtige Ökosystem realisieren, in diesem Fall Gate-Treiber. Erfahren Sie mehr über diese bahnbrechende Technologie und deren Auswirkungen auf die Leistungselektronik.

Kurzschlussschutz durch Siliciumcarbid-MOSFETs

Hier können Sie die verschiedene Kurzschlussschutzmethoden für SiC-MOSFETs kennenlernen und vergleichen.

Qualität und Zuverlässigkeit der Signalisolierung bei hohen Spannungen

Erfahren Sie mehr darüber, wie sich mithilfe der kapazitiven Isolierung robuste und zuverlässige Lösungen entwickeln lassen.

Ausgewähltes Video

Suchen Sie nach robusten und zuverlässigen Isolierungslösungen?

Hier finden Sie die Isolierungsprodukte von TI und die neuesten Isolierungsressourcen.