Power management

FemtoFET™-N-Kanal-MOSFET-Transistoren

FemtoFET™ N-Kanal-MOSFET-Transistoren sind die kompaktesten Leistungs-MOSFETs mit geringem Durchlasswiderstand, die derzeit auf dem Markt erhältlich sind. FemtoFET ist ein LGA-Gehäuse (Land Grid Array). Dabei handelt es sich um ein Gehäuse in der Größe des Halbleiter-Dies (Chip Scale Package), das Metallkontakte anstelle von Lötkugeln besitzt. Der FemtoFET eignet sich ideal für Mobiltelefone, Tablets und andere Anwendungen, bei denen möglichst kompakte Platinenmaße und eine Verlängerung der Batterielaufzeit im Vordergrund stehen.

Ausgewählte Produkte

Technische Dokumente

FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D)

Texas Instrument (TI) unterstützt die Elektronikindustrie mit der Gehäuseserie FemtoFET™ bei der Entwicklung kompakterer Gehäuseumrisstechnologien.

Ausgewähltes Video

In diesem Video bespricht Marketing-Ingenieur Rich Nowakowski eine Familie von FemtoFET-MOSFETs, die branchenweit die kompaktesten Abmessungen aller derzeit auf dem Markt erhältlichen Leistungs-MOSFETs mit geringem ON-Widerstand besitzen.