P-Kanal-MOSFETs

Branchenweit beste Leistungsdichte, geringster Platzbedarf und einfach anzusteuernde niedrige Gate-Ladung

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Die Entwicklung mit hocheffizienten, energieeffizienten Komponenten trägt zur Verlängerung der Batterielebensdauer für eine Vielzahl von elektronischen Geräten bei. Unsere P-Kanal-MOSFETS bieten eine hohe Leistungsdichte in kleinen Formfaktoren und ermöglichen erstklassige Spannungs- und Stromregelung für eine längere Batterielebensdauer bei geringstem Platzbedarf. 

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≤20 V Max. BVDSS

Entwicklen mit einem Niederspannungs-P-Kanal-MOSFET und auswählen von ≤20-V-Bausteinen.

FemtoFET™-MOSFETs

Das Entwickeln mit FemtoFET™-P-Kanal-MOSFETs eignet sich ideal für Mobiltelefone, Tablets und andere Anwendungen, bei welchen möglichst kompakte Platinenmaße und eine Verlängerung der Batterielaufzeit im Vordergrund stehen.

P-Kanal-MOSFETs

Technische Ressourcen

Design guide
Design guide
FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D)
Dieses Dokument beschreibt die Probleme bei der SMD-Technologie (Oberflächenmontagetechnologie), welche beim Anbringen dieser Bauteile an Leiterplatten zu berücksichtigen sind. 
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Application note
Application note
MOSFET Support and Training Tools (Rev. C)
Erkunden Sie unser umfassendes Angebot an Literatur und Tools für die Unterstützung Ihrer Leistungs-MOSFET-Designs.
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Technical article
Technical article
What type of ESD protection does your MOSFET include?
Lernen Sie die Unterschiede von ESD-Schutzmaßnahmen zur Vermeidung unerwünschter MOSFET-Ausfälle kennen, und entdecken Sie die wichtigsten Design-Überlegungen für verschiedenen ESD-Strukturen. 
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Design- & Entwicklungsressourcen

Evaluation board
FemtoFET P-ch Evaluation Module

This FemtoFET P-ch EVM includes six daughter cards, each card containing a different FemtoFET p-ch part number.  The daughter cards allow the engineer to easily connect and test these tiny devices.  The six FemtoFETs range from 12V to 20V Vds, and the size of the devices include F3 (...)

Calculation tool
MOSFET power loss calculator for load switch applications
Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
Simulationsmodell
Unverschlüsseltes PSpice-Modell CSD23280F3
Laden Sie das unverschlüsselte PSpice-Modell CSD23280F3 für Ihr Design herunter.

Referenzdesigns für P-Kanal-MOSFETs

Mit unserem Referenzdesign-Auswahltool können Sie die für Ihre Anwendung und Ihre Parameter am besten geeigneten Designs finden.