JAJSS60 November   2023 SN54SC4T00-SEP

PRODUCTION DATA  

1.   1
2. 1 特長
3. 2 アプリケーション
4. 3 概要
5. 4 Pin Configuration and Functions
6. 5 Specifications
   1. 5.1 Absolute Maximum Ratings
   2. 5.2 ESD Ratings
   3. 5.3 Recommended Operating Conditions
   4. 5.4 Thermal Information
   5. 5.5 Electrical Characteristics
   6. 5.6 Switching Characteristics
   7. 5.7 Noise Characteristics
   8. 5.8 Typical Characteristics
7. 6 Parameter Measurement Information
8. 7 Detailed Description
   1. 7.1 Overview
   2. 7.2 Functional Block Diagram
   3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 Balanced CMOS Push-Pull Outputs
      2. 7.3.2 Clamp Diode Structure
      3. 7.3.3 SCxT Enhanced Input Voltage
         1. 7.3.3.1 Down Translation
         2. 7.3.3.2 Up Translation
   4. 7.4 Device Functional Modes
9. 8 Application and Implementation
   1. 8.1 Application Information
   2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
         1. 8.2.1.1 Power Considerations
         2. 8.2.1.2 Input Considerations
         3. 8.2.1.3 Output Considerations
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
      3. 8.2.3 Application Curves
   3. 8.3 Power Supply Recommendations
   4. 8.4 Layout
      1. 8.4.1 Layout Guidelines
      2. 8.4.2 Layout Example
10. 9 Device and Documentation Support
    1. 9.1 Documentation Support
       1. 9.1.1 Related Documentation
    2. 9.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 9.3 サポート・リソース
    4. 9.4 Trademarks
    5. 9.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 9.6 用語集
11. 10Revision History
12. 11Mechanical, Packaging, and Orderable Information

SN54SC4T00-SEP レベル変換内蔵、耐放射線、クワッド、2 入力、正論理 NAND ゲート

このリソースの元の言語は英語です。 翻訳は概要を便宜的に提供するもので、自動化ツール (機械翻訳) を使用していることがあり、TI では翻訳の正確性および妥当性につきましては一切保証いたしません。 実際の設計などの前には、ti.com で必ず最新の英語版をご参照くださいますようお願いいたします。