디지털 전력 절연 컨트롤러 IC

DDR 메모리 전원 솔루션

높은 집적도, 효율적이고, 비용 효율적인

TI는 여러분의 시스템 요구 사항에 맞는 방대하고 다양한 DDR 터미네이터 포트폴리오를 제공합니다. 모두 선형 레귤레이터 및 스위칭 레귤레이터 기반 솔루션에서 선택할 수 있습니다. DDR VDDQ와 VTT 전압 레귤레이터 디바이스는 낮은 내부 전압 레퍼런스가 특징으로, 낮은 DDR 코어와 터미네이션 출력 전압을 조절할 수 있습니다. 표준 선형 및 스위칭 레귤레이터와 비교했을 때, DDR 터미네이션 LDO와 레귤레이터는 싱크/소스 터미네이션 전류 기능과 외부 레퍼런스 입력이 있어 VDDQ/2 입력을 추적하고 Vtt 터미네이션 레일을 생성할 수 있습니다.

DDR 세대
VDDQ
VTT
DDR 2.5V 1.25V
DDR2 1.8V .9V
DDR3 1.5V .75V
DDR4 1.2V .6V
LPDDR2 1.2V 0.6V
LPDDR3 1.2V 0.6V
DDR3L 1.35V 0.675V
LPDDR4 1.1V 0.55V
DDR3 RAM

TI의 DDR VTT LDO는 독점 초고대역폭 추적 증폭기를 사용하여 DDR 읽기/쓰기 부하 과도에 응답하고 출력 커패시턴스를 최소화합니다. DDR 터미네이션 기기에는 여러 세대가 있지만, DDR 전원 솔루션 디바이스를 선택할 때 중요하게 보아야 하는 사양은 DDR VDDQ와 VTT 출력 전압입니다.

DDR4와 더 새로운 세대의 DDR의 경우 정격 2.5V의 추가 VPP 레일이 있으며 이 레일도 조절해야 합니다. TI의 DDR 전원 솔루션은 JEDEC 사양을 충족하도록 설계되었습니다.

LPDDR3 RAM