디지털 전력 절연 컨트롤러 IC

질화 갈륨 (GaN) : 실리콘을 뛰어 넘는 성능 향상

모든 전력 레벨을위한 TI의 GaN 디바이스 포트폴리오로 전력 밀도 및 신뢰성 극대화

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높은 전력 밀도 및 효율

GaN 기술은 실리콘 설계의 이중 전력 밀도를 가능하게하고 스위칭 손실을 80 % 줄여 시스템 효율을 높입니다.

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통합

우리의 GaN 디바이스 제품군은 GaN FET를 고속 드라이버와 내장 보호 기능을 하나의 패키지에 통합합니다. 최적화 된 레이아웃은 사용하기 쉬운 솔루션을 제공합니다.

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건장한

우리의 GaN은 2,000 만 시간이 넘는 장치 및 시스템 신뢰성 테스트를 통해 뒷받침됩니다. 고속 과전류 및 과온 보호 기능을 통해 설계자는 GaN으로 설계 할 수 있습니다.

GaN이란 무엇인가

Gallium Nitride 또는 GaN은 실리콘 MOSFET을 사용하여 이전에는 불가능했던 고속, 향상된 효율 및 높은 전력 밀도를 구현함으로써 전력 엔지니어링 분야에 혁명을 일으켰습니다. 
 
GaN 고유의 더 낮은 게이트 및 출력 커패시턴스는 MHz 스위칭 주파수 동작을 가능하게하며 게이트 및 스위칭 손실을 줄여 효율을 향상시킵니다. 실리콘과 달리 GaN은 바디 다이오드가 없기 때문에 역 복구 손실을 없애고 효율을 높이고 스위치 노드 울림 및 EMI를 줄입니다.

최고의 성능을위한 통합

TI의 GaN 솔루션 제품군은 고속 게이트 드라이버, EMI 제어,과 온도 및 과전류 보호 기능을 100ns의 응답 시간으로 통합합니다. 내장형 디바이스는 기생 인덕턴스를 최소화하고 CMTI (dv / dt immunity)를 극대화하고 보드 공간을 줄이기 위해 최적화 된 레이아웃을 제공한다. 광범위한 포트폴리오는 거의 모든 응용 분야에서 GaN 기술의 모든 이점을 활용할 수있는 사용하기 쉬운 솔루션을 제공합니다.

건장한

Texas Instruments는 신뢰할 수있는 반도체 제품을 시장에 출시하는 데 오랜 경험을 쌓은 반도체 기술 업계의 선두 주자입니다. TI GaN은 2 천만 장치의 신뢰성을 보장하는 응용 프로그램 내 하드 스위칭 테스트를 통해 검증 된 GaN 기술로 엔지니어는 장치 및 시스템 수준의 신뢰성을 확신 할 수 있습니다.

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주요 질화 갈륨 (GaN) 기준 설계

98.7 % 효율의 1MHz CrM GaN PFC 기준 설계

이 PFC 설계는 1MHz에서 스위칭하는 동안 270W / in ^ 3의 전력 밀도와 98.7 %의 최대 효율을 제공합니다. 2 단 인터리브 1.6kW 디자인은 서버, 텔레콤 및 산업용 전원 공급 장치와 같은 많은 공간 제약 형 애플리케이션에 이상적입니다.

고속 모터 구동을위한 48V / 10A 3 상 GaN 인버터 설계

이 설계는 저전압, 100kHz 드라이브 및 저 인덕턴스 브러시리스 모터를 사용하여 모터의 손실, 토크 리플을 최소화하고 98.5 %의 효율을 달성합니다.

서보 드라이브 용 200V AC 3 상 GaN 인버터 설계

최대 2kW의 200V AC 서보 모터를 구동하는이 98 % 효율의 설계로 정밀 위치 제어 애플리케이션을위한 최소 전류 리플로 저 인덕턴스 모터 드라이브가 가능합니다.

주요 질화 갈륨 (GaN) 리소스

GaN FET, 드라이버 및 보호 기능을 통합하여 스위칭 성능을 개선하고 GaN 기반 전력 설계를 단순화함으로써 TI가 GaN 성능을 어떻게 향상시키는 지 자세히 알아보십시오.

열 디자인의 중요성과 주요 고려 사항 및 TI가보다 시원하고 효율적인 GaN 전력 설계를 구현하는 방법을 배우려면이 애플리케이션 노트를 읽으십시오.

이 애플리케이션 노트를 통해 TI의 고속 과전류 보호 기능이 통합되어 있는지, 그리고 설계에 가장 적합한 보호 기능을 달성하는 방법에 대해 알아보십시오.

다른 고전압 솔루션을 찾고 계신가요?

제대로 찾아 오셨습니다. 드라이버에서 컨트롤러까지, TI는 높은 효율성, 전원 밀도 및 신뢰성을 제공하는 포괄적인 전원 변환 장치를 통해 더 적은 전원으로 더 많은 일을 할 수 있게 도와줍니다.