디지털 전력 절연 컨트롤러 IC

질화 갈륨(GaN): 실리콘 이상의 성능

TI의 GaN 장치 포트폴리오를 통해 모든 전력 레벨에서 전력 밀도와 안정성 극대화

TI는 차세대 시스템 요구 사항과 TI의 높은 품질 및 신뢰성 표준을 충족하는 질화 갈륨(GaN) 전원 장치와 사용하기 쉬운 모듈을 제공합니다.

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높은 전력 밀도 및 효율성

GaN 기술을 사용하면 실리콘 설계의 전력 밀도를 두 배로 높이고 스위칭 손실을 80% 낮추어 시스템 효율을 향상시킬 수 있습니다.

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통합

GaN 디바이스 제품군은 GaN FET와 고속 드라이버 및 내장 보호 기능을 하나의 패키지로 통합합니다. 레이아웃이 최적화되어 사용하기 쉬운 솔루션입니다.

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견고함

GaN는 2천만 시간이 넘는 디바이스 및 시스템 안전성 테스트를 거칩니다. 고속, 과전류, 초과 온도 보호 기능이 있어 설계자가 GaN으로 설계할 때 확신을 갖고 임할 수 있습니다.

GaN이란 무엇입니까?

전력 엔지니어링 혁신
 
질화 갈륨 또는 GaN은 이전에 실리콘 MOSFET로는 전혀 불가능했던 높은 속도, 효율, 전력 밀도를 구현함으로써 전력 엔지니어링 세계를 혁신하고 있습니다.
 
GaN 고유의 낮은 게이트와 출력 커패시턴스가 게이트 손실과 스위칭 손실을 줄여 효율을 높이는 동시에 MHz 스위칭 주파수 작동을 가능하게 합니다. 실리콘과 달리 GaN은 바디 다이오드가 없습니다. 따라서 역방향 복구 손실이 없으며 효율이 더 높아지고 스위치 노드 링잉과 EMI가 줄어듭니다. 

 

GaN 전원 질화 갈륨 솔루션 보드

GaN 전원 질화 갈륨 솔루션 보드

최대 성능을 위한 통합
 
GaN 솔루션 제품군은 통합 고속 게이트 드라이버, EMI 제어, 초과 온도 및 과전류 보호 기능과 100ns의 응답 시간을 통합한 제품입니다. 통합 디바이스는 기생 인덕턴스를 최소화하는 최적화된 레이아웃을 제공하며, dv/dt 내성(CMTI)을 극대화하고 보드 공간을 절약해줍니다.  

광범위한 포트폴리오가 거의 모든 애플리케이션에 GaN 기술의 이점을 빠짐없이 발휘할 수 있는 손쉬운 솔루션을 제공합니다. 
GaN 전력 통합

GaN 전력 통합

장치 및 시스템 수준의 안정성에 대한 확신
 
텍사스 인스트루먼트는 오랜 기간 신뢰할 수 있는 반도체 제품을 출시해온 반도체 기술을 선도하는 업계 리더입니다. TI GaN은 2천만 시간의 애플리케이션 내 하드 스위칭 테스트를 거쳐 자격을 획득한 GaN 기술을 통해, 엔지니어들에게 디바이스 및 시스템 수준의 안정성에 대한 확신을 심어줍니다.

주요 질화 갈륨(GaN) 레퍼런스 디자인

98.7% 효율의 1MHz CrM GaN PFC 레퍼런스 설계

이 PFC 설계는 1mhz에서 스위칭할 때 270w/^3의 전력 밀도와 98.7%의 피크 효율을 제공합니다. 2단계 인터리브 1.6kW 설계는 서버, 텔레콤, 산업용 전원 공급 장치 같은 공간의 제약을 받는 여러 가지 애플리케이션에 이상적입니다. 

고속 모터 드라이브용 48V/10A 3상 GaN 인버터 설계

이 설계를 통해 저전압, 100khz 드라이브, 저인덕턴스 브러시리스 모터가 손실과 토크 리플을 최소화할 수 있으며 98.5%의 효율을 달성할 수 있습니다. 

서보 드라이브용 200V AC 3상 GaN 인버터 설계

최대 2kW까지 200v AC 서보 모터를 구동하기 위한 98% 효율의 설계는, 전류 리플이 가장 낮은 미세 위치 제어 애플리케이션용 저인덕턴스 모터 드라이브를 가능하게 합니다. 

다른 고전압 솔루션을 찾고 계신가요?

제대로 찾아 오셨습니다. 드라이버에서 컨트롤러까지, TI는 높은 효율성, 전원 밀도 및 신뢰성을 제공하는 포괄적인 전원 변환 장치를 통해 더 적은 전원으로 더 많은 일을 할 수 있게 도와줍니다.