디지털 전력 절연 컨트롤러 IC

게이트 드라이버 – 주요 제품

고내구성 드라이버. 더 강력한 시스템.

TI의 견고한 고내구성 게이트 드라이버는 시스템이 극한 온도 조건에서 실행되고 음극 전압 과도가 발생하거나 고전압 절연 환경에서 동작할 때도 걱정 없습니다.

  • 넓은 온도 범위에서 일관적인 작동: 많은 TI 게이트 드라이버 사양은 실온뿐만 아니라 폭넓은 온도에 걸쳐 보장됩니다. 이는 불확실성을 제거하고 실제 작동 조건에서 안정적인 성능을 제공합니다.
  • 입력 및 출력의 음극 전압 견딤: 음극 전압은 스위칭 전환, 누설 또는 잘못된 레이아웃으로 인한 기생 인덕턴스와 같은 일반적인 문제에서 비롯될 수 있습니다. 따라서 음극 전압을 견딜 수 있는 게이트 드라이버의 기능은 견고하고 안정적인 솔루션을 위한 핵심적 요소입니다.
  • 고전압 절연이 필요한 환경에서 생존: 설계의 추세가 더 높은 전력을 향하고 있는 만큼 더 많은 시스템에서 절연이 의무화되고 있습니다. TI의 절연 게이트 드라이버를 선택하여 시스템에 장기적인 안정성을 추가하세요.
gate-driver

UCC27201A

3A, 120V 고압측, 저압측 드라이버

UCC27524A

5A, 고속 저압측 전력 듀얼 드라이버

UCC21520

4A/6A, 5.7kVrms 절연 듀얼 채널 게이트 드라이버

고효율 게이트 드라이버

TI의 초고속 게이트 드라이버 포트폴리오가 높은 구동 전류, 빠른 전자 지연은 물론 높은 VDD를 제공하여 AC/DC 전원 공급 장치, DC/DC 컨버터 및 인버터 등의 많은 애플리케이션 전반에서 향상된 효율성을 달성할 수 있습니다.

  • 고전류 드라이버 선택: 고전류 성능의 게이트 드라이버를 선택하면 스위칭 손실이 최소화됩니다. 일부 애플리케이션에서는 지연이 짧은 게이트 드라이버는 두 개의 출력 채널이 함께 연결되어 있을 때 전류 구동을 배가시킬 수 있습니다.
  • 고속 드라이버 사용: 빠른 전파 지연은 MOSFET/IGBT의 전도 시간을 최소화하여 바디 다이오드 온타임이 가능하여 전력 손실을 최소화합니다. 이로써 바디 다이오드에 대한 소비 전력이 절감됩니다.
  • 높은 VDD로 설계: 높은 VDD로 작동 시 전력 손실이 낮아져 시스템 효율을 높일 수 있습니다. 게이트 드라이버가 최대 35V의 폭넓은 VDD 작동 범위를 지원하므로 수많은 종류의 전원 스위치를 사용할 수 있습니다.
효율성
장치
설명
전류
데이터시트
주문하기
고전류 드라이버
UCC27714 4A, 600V 고압 및 저압측 드라이버 4A 싱크/4A 소스
yes
yes
UCC27524A 5A, 고속 저압측 전력 듀얼 드라이버 5A 싱크/5A 소스
yes
yes
UCC27211A 4A, 120V 부트, 고압 및 저압측 드라이버 4A 싱크/4A 소스
yes
yes
장치
설명
전류
데이터시트
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고속 드라이버
UCC27611
4A/6A 고속 싱글 드라이버
14ns
yes
yes
UCC27517A
4A/4A 싱글 채널 고속 저압측 드라이버
13ns
yes
yes
장치
설명
전류
데이터시트
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고속 VDD 드라이버
UCC27531
2.5A/5A, 35VMAX VDD 싱글 드라이버
35V
yes
yes
UCC21520
4A/6A, 5.7kVrms 절연 듀얼 채널 게이트 드라이버
20V
yes
yes