디지털 전력 절연 컨트롤러 IC

GaN FET 게이트 드라이버

모든 전원 토폴로지에 사용할 수 있도록 높은 전원 밀도와 설계 간소화를 제공하는 고속 GaN 게이트 드라이버

TI의 드라이버는 빠른 타이밍 사양, 리드 없는 패키지 및 좁은 펄스 폭 응답을 조합하여 FET를 빠르게 전환할 수 있습니다. 게이트 전압 조정, 프로그래머블 데드 타임, 낮은 내부 전력 소모와 같은 추가 기능을 통해 고주파 스위칭이 가능한 가장 높은 효율을 얻을 수 있습니다. 

 

주요 저압측 GaN FET 드라이버 

LMG1020

60MHz, 1ns 속도의 5V, 7A 저압측 GaN 드라이버, 짧은 펄스 폭 애플리케이션용으로 제작.

UCC27611

5V, 4A/6A 저압측 GaN 드라이버. 지금 바로 짧은 펄스 폭 애플리케이션을 만들어 보세요.

주요 하프 브리지 GaN FET 드라이버 

LMG1205

향상 모드를 위한 100V, 1.2A, 5A, 하프 브리지 게이트 드라이버 GaN FET는 전력 밀도를 극대화하는 데 도움이 됩니다.

LMG1210

200V, 1.5A, 3A 하프 브리지 GaN 드라이버, 전력 밀도를 보장하고 데드 시간을 조정할 수 있습니다.

LM5113-Q1

향상된 모드 GaN FET를 위해 전원 밀도를 염두에 두고 제작된 오토모티브 100V 1.2A/5A 하프 브리지 게이트 드라이버

주요 레퍼런스 설계 및 EVM 보드

LiDAR를 위한 나노초 레이저 드라이버 레퍼런스 설계

고해상도 LiDAR 애플리케이션을 위한 1ns GaN 레이저 드라이브 단계.

고속 DC/DC 컨버터를 위한 멀티-MHz GaN 전력계 레퍼런스 설계

50MHz의 고효율 디자인을 위한 유연한 GaN 전력계.

LMG1205 GaN 전력계 평가 모듈

외부 PWM 신호를 지원하는 작고 사용하기 편한 전력계. 여러 DC-DC 컨버터 토폴로지를 평가할 수 있습니다.

주요 비디오

주요 자료

GaN 및 SIC는 전원 공급 장치의 에너지 효율을 높입니다

TI의 고전압 포트폴리오와 결합된 광대역의 갭 물질이 전원 공급 장치에 어떤 도움이 되는지 개략적으로 살펴보세요.

오토모티브 LIDAR 소개

차량을 한 번에 하나의 펄스로 더 안전하게 만드는 데 사용되는 기술에 대해 알아보세요.

멀티-MHz GaN 드라이버 설계 최적화

GaN의 모든 잠재력을 실현하는 데 게이트 드라이버를 선택하는 것이 중요한 이유를 알아보세요.

기술 리소스

TI의 E2E™ 커뮤니티에서 동료 엔지니어들과 궁금한 점을 문의하고, 지식을 공유하며, 문제를 해결하세요.