MOSFETs

Liefert niedrige Gate-Ladung und geringen Widerstand für schnell schaltende Transistoren

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Die NexFET™-MOSFETs von TI bieten eine breite Palette von N-Kanal- und P-Kanal-Leistungsmodulen und diskreten Stromversorgungslösungen. Unsere hochintegrierten MOSFETs unterstützen höhere Wirkungsgrade, längere Batterielebensdauer, höhere Leistungsdichte und höhere Frequenzen für schnelles Schalten. Diese Vorteile bieten Designflexibilität in kleinen Formfaktoren und ermöglichen es Entwicklungsingenieuren, die Markteinführungszeit zu verkürzen.

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FemtoFET™-N-Kanal- und P-Kanal-MOSFETs

N-Kanal & P-Kanal-MOSFETs

FemtoFET™-N-Kanal- und PKanal-MOSFETs sind die kleinsten, MOSFETs mit geringem Durchlasswiderstand, welche derzeit auf dem Markt erhältlich sind. FemtoFET-MOSFETs befinden sich in einem LGA-Gehäuse (Land Grid Array), bei welchem es sich um ein Gehäuse in der Größe eines Siliziumchips mit Metallkontakten anstelle von Lötkugeln handelt. Diese eignen sich ideal für Mobiltelefone, Tablets und andere Anwendungen, bei welchen möglichst kompakte Platinenmaße und eine Verlängerung der Batterielaufzeit erforderlich sind.

Application note
MOSFET Support and Training Tools (Rev. D)
Erkunden Sie unser umfassendes Angebot an Literatur und Tools für die Unterstützung Ihrer Leistungs-MOSFET-Designs.
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Technical article
How to Select a MOSFET – Basic Cross Referencing
Lernen Sie die drei grundlegenden Schritte zum Vergleich Ihrer MOSFETs.
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Technical article
How to Select a MOSFET – Load Switching
Erfahren Sie mehr über die wichtigsten Überlegungen zur Verwendung Ihres MOSFET als Lastschalter. 
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Vorgestellte Produkte für FemtoFET™-MOSFETs
CSD13380F3 AKTIV 12 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 0,7 mm, 76 mOhm, Gate-ESD-Schutz
CSD17585F5 AKTIV 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,8 mm x 1,5 mm, 33 mOhm, Gate-ESD-Schutz
CSD23280F3 AKTIV -12 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 0,7 mm, 116 mOhm, Gate-ESD-Schutz

Technische Ressourcen

Videoreihe
Videoreihe
Alles zum Thema Mosfet-Anwendungen
Diese Serie stellt grundlegende Tipps und Tricks zum Auswählen und Entwickeln mit einem MOSFET bereit.
Technical article
Technical article
Understanding MOSFET data sheets, Part 1 - UIS/avalanche ratings
Informationen zur Interpretation der UIS/Avalanche-Festigkeit finden Sie auf einem MOSFET-Datenblatt.
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Technical article
Technical article
What’s not in the power MOSFET data sheet, part 1: temperature dependency
Erfahren Sie mehr darüber, was in einem MOSFET-Datenblatt enthalten ist und was noch wichtiger ist: Was nicht.
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Design- & Entwicklungsressourcen

Berechnungstool
MOSFET-Leistungsverlustberechnung für synchrone Abwärtswandleranwendungen
Wägen Sie rasch Größe, Kosten und Leistung ab, um den optimalen MOSFET basierend auf den Anwendungsbedingungen auszuwählen.
Berechnungstool
MOSFET-Leistungsverlustberechnung für Motorantriebanwendungen
This is an Excel-based MOSFET power loss calculator for brushless DC motor drive applications.
Berechnungstool
MOSFET-Leistungsverlustberechnung für Lastschalteranwendungen
Wägen Sie rasch Größe, Kosten und Leistung ab, um den optimalen MOSFET basierend auf den Anwendungsbedingungen auszuwählen.

Referenzdesigns für MOSFETs

Mit unserem Referenzdesign-Auswahltool können Sie die für Ihre Anwendung und Ihre Parameter am besten geeigneten Designs finden.