LMG1205

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适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 的 1.2A/5A 90V 半桥栅极驱动器

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Power switch GaNFET, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Peak output current (A) 5 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.035 Rise time (ns) 7 Fall time (ns) 3.5 Iq (mA) 0.09 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -5 Features Bootstrap supply voltage clamp, Split outputs on high and low side Driver configuration Half bridge
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DSBGA (YFX) 12 3.24 mm² 1.8 x 1.8
  • 独立的高边和低边 TTL 逻辑输入
  • 1.2A 峰值拉电流,5A 灌电流
  • 高边浮动偏置电压轨 工作电压高达 100VDC
  • 内部自举电源电压钳位
  • 分离输出实现可调的 导通/关断强度
  • 0.6Ω 下拉电阻,2.1Ω 上拉电阻
  • 快速传播时间(典型值为 35ns)
  • 出色的传播延迟匹配 (典型值为 1.5ns)
  • 电源轨欠压锁定
  • 低功耗
  • 独立的高边和低边 TTL 逻辑输入
  • 1.2A 峰值拉电流,5A 灌电流
  • 高边浮动偏置电压轨 工作电压高达 100VDC
  • 内部自举电源电压钳位
  • 分离输出实现可调的 导通/关断强度
  • 0.6Ω 下拉电阻,2.1Ω 上拉电阻
  • 快速传播时间(典型值为 35ns)
  • 出色的传播延迟匹配 (典型值为 1.5ns)
  • 电源轨欠压锁定
  • 低功耗

LMG1205 设计用于驱动采用同步降压、升压或半桥配置的高边和低边增强模式氮化镓 (GaN) FET。此器件具有一个集成于内部的 100V 自举二极管,还为高边和低边输出分别提供了独立的输入,可实现最大程度的灵活控制。高边偏置电压采用自举技术生成,内部钳位为 5V,可防止栅极电压超过增强模式 GaN FET 的最大栅源电压额定值。LMG1205 的输入与 TTL 逻辑兼容,并且无论 VDD 电压如何,都能够承受高达 14V 的输入电压。LMG1205 具有分离栅输出,可独立灵活地调节导通和关断强度。

此外,LMG1205 具有强劲的灌电流能力,可使栅极保持低电平状态,从而防止开关操作期间发生意外导通。LMG1205 的工作频率可高达数 MHz。LMG1205 采用 12 引脚 DSBGA 封装,具有紧凑的外形尺寸和超小的封装电感。

LMG1205 设计用于驱动采用同步降压、升压或半桥配置的高边和低边增强模式氮化镓 (GaN) FET。此器件具有一个集成于内部的 100V 自举二极管,还为高边和低边输出分别提供了独立的输入,可实现最大程度的灵活控制。高边偏置电压采用自举技术生成,内部钳位为 5V,可防止栅极电压超过增强模式 GaN FET 的最大栅源电压额定值。LMG1205 的输入与 TTL 逻辑兼容,并且无论 VDD 电压如何,都能够承受高达 14V 的输入电压。LMG1205 具有分离栅输出,可独立灵活地调节导通和关断强度。

此外,LMG1205 具有强劲的灌电流能力,可使栅极保持低电平状态,从而防止开关操作期间发生意外导通。LMG1205 的工作频率可高达数 MHz。LMG1205 采用 12 引脚 DSBGA 封装,具有紧凑的外形尺寸和超小的封装电感。

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技术文档

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* 数据表 LMG1205 具有集成自举二极管的 100V、1.2A 至 5A 半桥 GaN 驱动器 数据表 (Rev. B) PDF | HTML 英语版 (Rev.B) PDF | HTML 2023年 4月 20日
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EVM 用户指南 Using the LMG1205HBEVM 2017年 3月 22日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

LMG1205HBEVM — LMG1205 GaN 功率级评估模块

80V 10A 功率级 EVM - LMG1205 半桥 EVM 板是一款具有外部 PWM 信号的小型易用功率级。该 EVM 适用于在许多不同的直流/直流转换器拓扑中评估 LMG1205 的驱动 GaN 半桥的性能。它可用于估算半桥的性能,以测量效率。该模块能够提供的最大电流为 10A。但是,应进行充分的热管理(强制通风、低频运行等)以确保不超出板载组件的最大工作温度规范。由于该 EVM 为开环板,因此不适用于瞬态测量。

用户指南: PDF
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仿真模型

LMG1205 PSpice Transient Model (Rev. A)

SNOM624A.ZIP (35 KB) - PSpice Model
仿真模型

LMG1205 TINA-TI Reference Design (Rev. A)

SNOM622A.TSC (131 KB) - TINA-TI Reference Design
仿真模型

LMG1205 TINA-TI Transient Spice Model (Rev. A)

SNOM621A.ZIP (9 KB) - TINA-TI Spice Model
计算工具

SNOR034 LMG1205 Component Design Calculator and Schematic Review

支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

产品
半桥驱动器
LMG1205 适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 的 1.2A/5A 90V 半桥栅极驱动器
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PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库,您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案,然后再进行布局和制造,可缩短产品上市时间并降低开发成本。

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
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