100V, 5.3mOhm, SON5x6 NexFET™ Power MOSFET - CSD19531Q5A

CSD19531Q5A (ACTIVE)

100V, 5.3mOhm, SON5x6 NexFET™ Power MOSFET

 

Description

This 100 V, 5.3 mΩ, SON 5 mm × 6 mm NexFET power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.

Typical RθJA = 40°C/W on a 1−inch2, 2-oz. Cu pad on a 0.06−inch thick FR4 PCB. Max RθJC = 1.0°C/W, pulse duration ≤100 μs, duty cycle ≤1%

For all available packages, see the orderable addendum at the end of the data sheet.

Features

  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package

View more

Parametrics Compare all products in N-Channel MOSFET Transistor

 
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
CSD19531Q5A CSD19531KCS CSD19532Q5B CSD19533KCS CSD19533Q5A CSD19534Q5A CSD19535KCS CSD19536KCS CSD19537Q3
100    100    100    100    100    100    100    100    100   
Single    Single    Single    Single    Single    Single    Single    Single     
6.4    7.7    4.9    10.5    9.5    15.1    3.6    2.7    14.5   
337    285    400    207    231    137    400    400    219   
37    38    48    27    27    17    78    118    16   
6.6    7.5    8.7    5.4    4.9    3.2    13    17    2.9   
SON5x6    TO-220    SON5x6    TO-220    SON5x6    SON5x6    TO-220    TO-220    SON3x3   
20    20    20    20    20    20    20    20    20   
2.7    2.7    2.6    2.8    2.8    2.8    2.7    2.5    3   
110    110    140    86    75    44    187    259    53   
100    100    100    100    100    40    150    150    50   

MOSFET Power Loss Calculator

MOSTFET Power Loss Calculator
Vin  V
Vout  V
Iout  A
Ambient Temp  °C