PMP9175

用于 PoE 应用的 3 类 5V/2.3A 高效率同步反激转换器

PMP9175

设计文件

概述

此转换器用于需要高效率和隔离的 3 类 PoE 应用。此设计的特定输出为 5V (2.3A)。采用同步整流器的反激式转换器效率出色,尺寸小,适合 IP 电话等 PoE 应用。TPS23753APW 包含基于 PoE 的器件和 PWM 控制器功能

特性
  • 对 PoE 电源和适配器电源具有高效率(高达 90% 以上)
  • 输出为 5V/2.3A
  • 具有同步整流器的隔离式反激
  • 小尺寸解决方案
  • 将 TPS23753APW 与 PoE 接口 PD 和 PWM 控制器结合使用
  • 此电路设计经过全面功能测试,推荐用于新设计
输出电压选项 PMP9175.1
Vin (Min) (V) 36
Vin (Max) (V) 57
Vout (Nom) (V) 5
Iout (Max) (A) 2.3
Output Power (W) 11.5
Isolated/Non-Isolated Isolated
Input Type DC
Topology Flyback- Synchronous^POE
通信设备
企业系统
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我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDU352.PDF (661 K)

参考设计的测试结果,包括效率图表,测试前提条件等

TIDR643.PDF (254 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDR644.PDF (137 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDR645.PDF (224 K)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDC434.ZIP (489 K)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

N 沟道 MOSFET

CSD17527Q5A采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、10.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF
N 沟道 MOSFET

CSD17551Q3A采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
供电设备

TPS23753A具有增强型 ESD 穿越功能的 IEEE 802.3-2005 PoE 接口和隔离转换器控制器

数据表: PDF | HTML
并联电压基准

TLV431A精度为 1% 的低电压可调节精密并联稳压器

数据表: PDF | HTML

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测试报告 PMP9175 Test Results 2014年 5月 14日

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