TIDA-00128

用于塑壳断路器 (MCCB) 的低功耗、低噪声模拟前端设计

TIDA-00128

设计文件

概述

此参考设计旨在用于塑壳断路器 (MCCB) 电子跳闸单元。这种基于运算放大器的设计用于对过流接地故障继电器进行电流监控。通过采用低成本运算放大器,此设计提供 ±10 % 的拾取 (A) 准确度和 0 至 -20% 的时间延迟 (s) 准确度。另外,此设计充分考虑严苛的环境条件,具有 -10 至 70°C 的环境不敏感性以及较高的电磁抗扰性等特性。最后,此设计的模拟前端无缝连接至 TI MSP430 MCU,可加快评估和缩短上市时间。

特性
  • 拾取准确度 ±10 % 且时间延迟准确度 0 至 -20% 带来了更大的调节范围,实现最大限度的灵活性
  • -10 至 +70°C 的环境不敏感性,适应全球设计和世界范围认可
  • 出色的跳闸时间可重复性
  • 宽输入直流/直流转换器,带有欠压和过流保护
  • 自供电(CT 供电)电源,降低了 CT 负载和功率损耗
  • 强大的设计,防止过驱条件下的相位反转,具有高静电放电 (ESD) 保护 (4-kV HBM)
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我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDU224.PDF (1954 K)

参考设计概述和经过验证的性能测试数据

TIDC291.ZIP (3361 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDR415.PDF (426 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDR416.PDF (204 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDC290.ZIP (287 K)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDU232.PDF (2328 K)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

N 沟道 MOSFET

CSD17571Q2采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、29mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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模拟温度传感器

LM62具有 15.6mV/°C 增益的 ±2°C 模拟输出温度传感器

数据表: PDF
比较器

LM293工业级双通道差分比较器

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线性和低压降 (LDO) 稳压器

TPS71550mA、24V、超低 IQ、低压降 (LDO) 稳压器

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通用运算放大器

OPA4314四路、5.5V、3MHz、低噪声 (4.6nV/√Hz)、RRIO 运算放大器

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隔离式 DC/DC 转换器

LM50177.5V-100V 宽输入电压、600mA 恒定导通时间同步降压稳压器

数据表: PDF
隔离式 DC/DC 转换器

TPS55010具有集成 FET 的 2.95V 至 6V 输入、2W、隔离式直流/直流转换器

数据表: PDF | HTML
隔离式 RS-485 收发器

ISO117640Mbps、半双工、隔离式 RS-485 和 RS-422 收发器

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* 设计指南 High-Precision Analog Front-End Amplifier and Peripherals for MCCB Design Guide 2014年 2月 25日

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