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Gallium nitride (GaN) ICs – Design und Entwicklung

LMG3410R050-Halbbrückenkarte

Diese Tochterkarte für 2,2 kW konfiguriert zwei GaN-FETs LMG3410R050 600 V mit integriertem Treiber in einer Halbbrücke mit Latched-Überstromschutzfunktion und allen erforderlichen zusätzlichen Peripherieschaltungen.

LMG3411R070-Halbbrückenkarte

Diese Tochterkarte für 1,3 kW konfiguriert zwei LMG3411R070 600V-GaN-FET mit integriertem Treiber in einer Halbbrücke mit zyklusweiser Überstromschutzfunktion und allen erforderlichen zusätzlichen Peripherieschaltungen.

LMG3411R150-Halbbrückenkarte

Dieses Tochterkarte für 900 W konfiguriert zwei LMG3411R050 600V-GaN-FET mit einem integrierten Treiber in einer Halbbrücke mit zyklusweiser Überstromschutzfunktion und allen erforderlichen zusätzlichen Peripherie-Schaltungen.

LMG341x-Hauptplatine

Diese einfach zu handhabende Adapterplatine zum Konfigurieren der LMG341x-Halbbrückenkarten als synchrone Abwärtswandler.

LMG5200 48 V:POL-Evaluierungsmodul

Das LMG5200POLEVM-10 EVM dient zur Evaluierung der GaN-Leistungsstufe LMG5200 und des Halbbrücken-Point-of-Load-Controllers TPS53632G in einer Anwendung von 48 V bis 1 V.