Leistungsstufen
Steigern Sie die Systemeffizienz und vereinfachen Sie Designs
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Mit unseren fortschrittlichen Leistungsstufen-Bausteinen können Sie die Lösungsgröße minimieren, die Leistungsdichte maximieren, die Effizienz optimieren und den Systemschutz stärken. Integrieren Sie unsere intelligenten Leistungsstufen mit hochpräziser Telemetrie mit unseren skalierbaren Mehrphasen-Controllern für eine optimierte Mehrphasen-DC/DC-Systemlösung. Diese Integration macht redundante Komponenten überflüssig, verringert Schaltverluste und erhöht die Zuverlässigkeit des Gesamtsystems – und das alles bei kompaktem Platzbedarf. Unsere Produktfamilie von Galliumnitrid-FETs (GaN) mit integrierten Gate-Treibern und GaN-Strombausteinen stellt zudem die effizienteste GaN-Lösung mit Zuverlässigkeit über die gesamte Lebensdauer und Kostenvorteilen dar.
Unsere GaN- und Si-MOSFET-Leistungsstufen erhöhen die Systemeffizienz & vereinfachen die Entwicklung
Auf Zuverlässigkeit ausgelegt
Unsere GaN-Bausteine sind darauf ausgelegt, Hochspannungssysteme dank eines proprietären GaN-auf-Si-Prozesses, mehr als 40 Millionen Stunden an Zuverlässigkeitstests und diverser Schutzfunktionen sicher zu halten.
Weitreichende Integration
Integrierte MOSFETs, Treiber und Strommessung bieten eine vollständige Schaltfunktion, die passive Komponenten überflüssig macht, was die Lösungsgröße reduziert und das Leiterplattenlayout vereinfacht.
Kleinere Magneten, höhere Leistungsdichte
Unsere GaN-Bausteine ermöglichen schnellere Schaltgeschwindigkeiten und können Sie dadurch dabei unterstützen, Schaltfrequenzen von über 500 kHz zu erreichen. Dies führt zu bis zu 60 % geringerem Magnetismus, verbesserter Leistung und niedrigeren Systemkosten.
Technische Ressourcen
Thermal Performance of QFN12x12 Package for 600V, GaN Power Stage (Rev. A)
Power loss calculation with CSI consideration for synchronous buck converters (Rev. A)
Direct-drive configuration for GaN devices (Rev. A)
Neue Produkte
GaN-FET mit verbessertem integriertem Treiber und Schutz, 100 V, 1,7 mΩ
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 3.5
60-A-Leistungsstufe mit 4-V- bis 20-V-Eingängen für die Automobilindustrie
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 3.1
GaN-FET mit verbessertem integriertem Treiber und Schutz, 100 V, 1,7 mΩ
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 3.5
Halbbrücken-GaN-FET mit verbessertem integriertem Treiber und Schutz, 100 V, 4,4 mΩ
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 2.88
Halbbrücken-GaN-FET mit verbessertem integriertem Treiber und Schutz, 100 V, 2,2 mΩ
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 4.15