Leiteroberflächenzusammensetzung und Verzinnungsprozess
Hier finden Sie Informationen zu den Optionen der Leiteroberflächen- und Lötpunktzusammensetzung, die TI anbietet, und zum Verzinnungsprozess des Unternehmens. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an den TI-Kundenservice.
Leiteroberflächenzusammensetzung
Für Informationen zur bausteinspezifischen Zusammensetzung klicken Sie hier.
| Zweitfunktion | Zusammensetzung |
|---|---|
| Standard | 85% SN, 15% Pb |
| 63% SN, 37% Pb (bestimmte Metallgehäuse) | |
| Pb-frei | Matt-Sn |
| NiPdAu | |
| NiPdAu-Ag | |
| SnCu | |
| SnAgCu | |
| Au über Ni |
Lötpunktzusammensetzung
Für Informationen zur bausteinspezifischen Zusammensetzung klicken Sie hier.
| Zweitfunktion | Zusammensetzung |
|---|---|
| Standard | SnPb |
| Pb-frei | SnAgCu |
| SnAg |
Verzinnungsprozess
Der Verzinnungsprozess von TI erfüllt und übersteigt die in JESD201 festgelegten Qualifikations- und Überwachungsstandards, mit Class 1- und Class 2-Inspektion gemäß JESD 22A121 Darüber hinaus hat TI die folgenden Maßnahmen ergriffen, damit Verzinnungsprodukte die Anforderungen gemäß JESD201 Class 2 erfüllen:
- Steuerung des Leiterrahmen-Basismaterials (Legierung)
- Steuerung der Verzinnung (Chemie, Prozess und Dicke)
- Glühbehandlung nach der Beschichtung (Minimum 150C innerhalb von 24 Stunden Beschichtung)
TI verwendet Leiterrahmenmaterialien wie Cu194, Cu7025, TAMAC2 und TAMAC4.
Zinnwhisker
- Zinnwhisker sind winzige Haarkristalle. Sie entstehen durch Belastungen in der Verzinnung und können bekanntermaßen auf Teilen auftreten, die mit Zinn oder Zinnlegierung überzogen sind.
- Das Whisker-Wachstum kann unter Umständen erst mehrere Tausend Stunden dem Verzinnen einsetzen. Die Dauer dieser Inkubationszeit richtet sich nach der Dicke und Körnung der Verzinnungsschicht sowie der Zusammensetzung des Basismetalls.
- Zinnwhisker stellen in der gesamten Branche ein Zuverlässigkeitsproblem dar, weil sie den abstand zwischen Leitern vergrößern und dadurch elektrische Kurzschlüsse verursachen können.
- Als Maßnahme zur Reduzierung der Whisker-Bildung setzt TI unter anderem alle auf Stanzgitter basierenden Gehäuse mit geformten Anschlusspins innerhalb von 24 Stunden nach der Verzinnung einem Temperverfahren für die Dauer von 1 Stunde bei 150 °C aus. Dies ist die in der Branche anerkannte Methode zur Kontrolle des Whisker-Wachstums.
- Bei elektrisch beschichteten Bausteinen liegt die minimale „verzinnungsäquivalente“ Dicke bei 7 um, wobei nach dem Lead-Trim- und Form-Prozess eine Verringerung von 15 % zulässig ist. Diese Stärke entspricht den in JEDEC/IPC JP002 veröffentlichten anerkannten Verfahren zur Reduzierung von Zinnwhiskern.
- Bei tauchverzinnten Bausteinen erfolgt das Eintauchen in eine SnAgCu-Legierung auf eine Mindestdicke von 5 μm nach dem Lead-Trim- und Form-Prozess. Dieser Prozess gilt gemäß JEDEC/IPC JP002 als „whiskerfrei“.
Repräsentative Whisker-Testergebnisse gemäß JESD201
| Leadframe-Material | Cu7025 | TAMAC 4 | Cu194 | TAMAC 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| Belastungstest | Zeitpunkt | Ohne Reflow | Vorbedingung C | Vorbedingung D | Ohne Reflow | Vorbedingung C | Vorbedingung D | Ohne Reflow | Vorbedingung C | Vorbedingung D | Ohne Reflow | Vorbedingung C | Vorbedingung D | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TMCL (-40 °C/+85 °C) | 500 Zyklen | <11 µm | <11 µm | <11 µm | <11 µm | <11 µm | <11 µm | <11 µm | <11 µm | <11 µm | <11 µm | <11 µm | <11 µm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| THST (55C/85 %RH) | 1500 Std. | ND | ND | ND | ND | ND | ND | ND | ND | ND | ND | ND | ND | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Umgebung (30C/60 %RH) | 1500 Std. | ND | ND | ND | ND | ND | ND | ND | ND | ND | ND | ND | ND | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ND = Not Detected (nicht erkannt) |
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