Leiteroberflächenzusammensetzung und Verzinnungspr

Leiteroberflächenzusammensetzung und Verzinnungsprozess

Hier finden Sie Informationen zu den Optionen der Leiteroberflächen- und Lötpunktzusammensetzung, die TI anbietet, und zum Verzinnungsprozess des Unternehmens. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an den TI-Kundenservice.

Leiteroberflächenzusammensetzung

Für Informationen zur bausteinspezifischen Zusammensetzung klicken Sie hier.

Zweitfunktion
Zusammensetzung
Standard 85% SN, 15% Pb
63% SN, 37% Pb (bestimmte Metallgehäuse)
Pb-frei Matt-Sn
NiPdAu
NiPdAu-Ag
SnCu
SnAgCu
Au über Ni

 

Lötpunktzusammensetzung

Für Informationen zur bausteinspezifischen Zusammensetzung klicken Sie hier.

Zweitfunktion
Zusammensetzung
Standard SnPb
Pb-frei SnAgCu
SnAg

 

Verzinnungsprozess

Der Verzinnungsprozess von TI erfüllt und übersteigt die in JESD201 festgelegten Qualifikations- und Überwachungsstandards, mit Class 1- und Class 2-Inspektion gemäß JESD 22A121 Darüber hinaus hat TI die folgenden Maßnahmen ergriffen, damit Verzinnungsprodukte die Anforderungen gemäß JESD201 Class 2 erfüllen:

  • Steuerung des Leiterrahmen-Basismaterials (Legierung)
  • Steuerung der Verzinnung (Chemie, Prozess und Dicke)
  • Glühbehandlung nach der Beschichtung (Minimum 150C innerhalb von 24 Stunden Beschichtung)

TI verwendet Leiterrahmenmaterialien wie Cu194, Cu7025, TAMAC2 und TAMAC4.

Zinnwhisker

  • Zinnwhisker sind winzige Haarkristalle. Sie entstehen durch Belastungen in der Verzinnung und können bekanntermaßen auf Teilen auftreten, die mit Zinn oder Zinnlegierung überzogen sind.
  • Das Whisker-Wachstum kann unter Umständen erst mehrere Tausend Stunden dem Verzinnen einsetzen. Die Dauer dieser Inkubationszeit richtet sich nach der Dicke und Körnung der Verzinnungsschicht sowie der Zusammensetzung des Basismetalls.
  • Zinnwhisker stellen in der gesamten Branche ein Zuverlässigkeitsproblem dar, weil sie den abstand zwischen Leitern vergrößern und dadurch elektrische Kurzschlüsse verursachen können.
  • Als Maßnahme zur Reduzierung der Whisker-Bildung setzt TI unter anderem alle auf Stanzgitter basierenden Gehäuse mit geformten Anschlusspins innerhalb von 24 Stunden nach der Verzinnung einem Temperverfahren für die Dauer von 1 Stunde bei 150 °C aus. Dies ist die in der Branche anerkannte Methode zur Kontrolle des Whisker-Wachstums.
  • Bei elektrisch beschichteten Bausteinen liegt die minimale „verzinnungsäquivalente“ Dicke bei 7 um, wobei nach dem Lead-Trim- und Form-Prozess eine Verringerung von 15 % zulässig ist. Diese Stärke entspricht den in JEDEC/IPC JP002 veröffentlichten anerkannten Verfahren zur Reduzierung von Zinnwhiskern.
  • Bei tauchverzinnten Bausteinen erfolgt das Eintauchen in eine SnAgCu-Legierung auf eine Mindestdicke von 5 μm nach dem Lead-Trim- und Form-Prozess. Dieser Prozess gilt gemäß JEDEC/IPC JP002 als „whiskerfrei“.

Repräsentative Whisker-Testergebnisse gemäß JESD201

Leadframe-Material
Cu7025
TAMAC 4
Cu194
TAMAC 2
Belastungstest
Zeitpunkt
Ohne Reflow
Vorbedingung C
Vorbedingung D
Ohne Reflow
Vorbedingung C
Vorbedingung D
Ohne Reflow
Vorbedingung C
Vorbedingung D
Ohne Reflow
Vorbedingung C
Vorbedingung D
TMCL (-40 °C/+85 °C) 500 Zyklen <11 µm <11 µm <11 µm <11 µm <11 µm <11 µm <11 µm <11 µm <11 µm <11 µm <11 µm <11 µm
THST (55C/85 %RH) 1500 Std. ND ND ND ND ND ND ND ND ND ND ND ND
Umgebung (30C/60 %RH) 1500 Std. ND ND ND ND ND ND ND ND ND ND ND ND

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