Das vom LMR33630 mit 36 V, 3 A und vom LMR36015 mit 60 V, 1,5 A verwendete Hot Rod QFN-Gehäuse besitzt eine Flipped-Chip-on-Lead-Konstruktion und erfordert keine internen Bonddrähte. Dadurch wird eine häufige Quelle von Parasitäreffekten beseitigt, die sich andernfalls auf die EMI-Leistung auswirken würden. Sehen Sie sich das Video an und erfahren Sie, wie Hot Rod und eine intelligente Pinbelegung für hervorragende EMI-Leistung zusammenwirken. Aber das ist noch nicht alles – das von LMR33630/LMR36015 verwendete Hot-Rod-Gehäuse misst nur 2 mm x 3 mm und erfordert nur eine minimale Anzahl externer Komponenten. So können Sie die EMI-Leistung verbessern und gleichzeitig die Lösungsgröße verringern.