Siliziumkarbid-MOSFETs wurden als vielversprechende Lösung für Hochspannungsanwendungen zur Erzielung effizienterer und kompakterer Systeme eingesetzt. Im Vergleich zu IGBTs gelten für SiC-MOSFETs strengere Anforderungen an den Kurzschlussschutz. In dieser Schulung werden die verschiedenen Fehlerarten von Kurzschlussbedingungen, Kurzschlussschutzmethoden, Eigenschaften und Kurzschlussverhalten von SiC-MOSFETs sowie die Gate-Treiber-Anforderungen an den Kurzschlussschutz für SiC-MOSFETs behandelt.