Die Auswahl des richtigen isolierten Gate-Treibers für Ihren Siliciumcarbid (SiC)-FET erfordert mehr Aufmerksamkeit, als Sie vielleicht denken.

Hocheffiziente Gleichstrom-Ladestationen spielen eine wichtige Rolle, um die Schnellladeanforderungen für neue Elektrofahrzeuge zu unterstützen. Sic FETs und GaN-FETs unterstützen diese Effizienzziele in großem Maße, aber wenn es um die Auswahl des richtigen isolierten Gate-Treibers für SiC-FETs geht, braucht es eine neue Denkweise.

In dieser Sitzung haben wir folgende Themen besprochen:

• Wichtige Aspekte der isolierten Gate-Treiber, die SiC-FETs ansteuern: Gate-Ansteuerungsstärke, Ausbreitungsverzögerung usw. bei gleichzeitiger Fokussierung auf die Landschaft integrierter Schutzfunktionen wie OCP/DESAT, Miller Clamp, Soft-Turn-Off oder 2-Level-Turn-Off. 
• Bedeutung der optimalen Gate-Treiberspannung zur Verhinderung von Shoot-through-Ereignissen und/oder zur Verbesserung der allgemeinen Wandlereffizienz.

                                                                                                                                                                                                                     .

Unser Referent, Johannes Konert – Field Application Engineer bei Texas Instruments, arbeitet als Principal Field Application Engineer für Texas Instruments. Nach seinem Diplom in Elektrotechnik (FH Bielefeld 1992) arbeitete er für mehr als 13 Jahre als SMPS-Designer. Er kam im April 2006 als Power Management FAE zu TI und ist heute Mitglied der Tech-Ladder (MGTS) innerhalb der EMEA Sales und Applications-Organisation.

                                                                                                                                                                                       .

Wird das zu kompliziert? Wenn Sie am Webinar teilnehmen möchten, aber weitere Hintergrundinformationen benötigen, empfehlen wir Ihnen, unser kurzes Video „Überblick über Stromversorgungstopologien für DC-EV-Ladegeräte“ anzusehen.