650-V-GaN-Bausteine haben geringere Schaltverluste und können bei höheren Frequenzen schalten als vergleichbare Si-Bauelemente. Dies wird in den GaN-Produkten von TI durch die Integration eines integrierten Gate-Treibers ermöglicht, der parasitäre Komponenten minimiert und das Design für hohe Leistungen erleichtert. Das Sortiment umfasst die neuesten Topside-gekühlten GaN-Bausteine von TI aus der LMG3522-Familie, die zusätzlich über integrierten Schutz und Power-Management verfügen. Die C2000™ -Controller von TI und die digitalen Isolatoren von TI ermöglichen minimale Totzeiten und erweiterte Steuerungsoptionen.