3 概要

この 54mΩ、60V、N チャネル FemtoFET™ MOSFET テクノロジは、スペースに制約のあるさまざまな産業用ロード・スイッチ・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えることで、フットプリント・サイズを大幅に低減できます。

標準的な部品寸法

製品概要

T_A = 25℃		標準値		単位
V_DS	ドレイン - ソース間電圧	60		V
Q_g	ゲートの合計電荷 (10V)	11		nC
Q_gd	ゲート電荷、ゲート - ドレイン間	1.6		nC
R_DS(on)	ドレイン - ソース間オン抵抗	V_GS = 4.5V	57	mΩ
R_DS(on)	ドレイン - ソース間オン抵抗	V_GS = 10V	54	mΩ
V_GS(th)	スレッショルド電圧	1.75		V

製品情報

デバイス	数量	メディア	パッケージ	出荷
CSD18541F5	3000	7 インチ・リール	Femto 1.53mm × 0.77mm SMD リードレス	テープ・アンド・リール
CSD18541F5T	250	7 インチ・リール	Femto 1.53mm × 0.77mm SMD リードレス	テープ・アンド・リール

利用可能なパッケージについては、このデータシートの末尾にある注文情報を参照してください。

絶対最大定格

T_A = 25℃		値	単位
V_DS	ドレイン - ソース間電圧	60	V
V_GS	ゲート - ソース間電圧	±20	V
I_D	連続ドレイン電流	2.2	A
I_DM	パルス・ドレイン電流 (1)(2)	21	A
P_D	消費電力	500	mW
T_J、 T_stg	動作時の接合部温度、保存温度	–55～150	℃
E_AS	アバランシェ・エネルギー、単一パルス I_D = 12.8A、L = 0.1mH、R_G = 25Ω	8.2	mJ

上面図