JAJSC01G May   2014  – September 2016 DRV5033

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 Pin Configuration and Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Switching Characteristics
    7. 6.7 Magnetic Characteristics
    8. 6.8 Typical Characteristics
  7. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 Field Direction Definition
      2. 7.3.2 Device Output
      3. 7.3.3 Power-On Time
      4. 7.3.4 Output Stage
      5. 7.3.5 Protection Circuits
        1. 7.3.5.1 Overcurrent Protection (OCP)
        2. 7.3.5.2 Load Dump Protection
        3. 7.3.5.3 Reverse Supply Protection
    4. 7.4 Device Functional Modes
  8. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Applications
      1. 8.2.1 Standard Circuit
        1. 8.2.1.1 Design Requirements
        2. 8.2.1.2 Detailed Design Procedure
          1. 8.2.1.2.1 Configuration Example
        3. 8.2.1.3 Application Curves
      2. 8.2.2 Alternative Two-Wire Application
        1. 8.2.2.1 Design Requirements
        2. 8.2.2.2 Detailed Design Procedure
  9. 9 Power Supply Recommendations
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
    2. 10.2 Layout Example
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 デバイス・サポート
      1. 11.1.1 デバイスの項目表記
      2. 11.1.2 デバイスのマーキング
    2. 11.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 11.3 コミュニティ・リソース
    4. 11.4 商標
    5. 11.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 11.6 用語集
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

11 デバイスおよびドキュメントのサポート

11.1 デバイス・サポート

11.1.1 デバイスの項目表記

DRV5033のデバイス名の各部の読み方をFigure 24に示します。

DRV5033 device_nomen_lis152.gif Figure 24. デバイスの項目表記

11.1.2 デバイスのマーキング

DRV5033 package_sot_slis150.gif Figure 25. SOT-23 (DBZ)パッケージ
DRV5033 package_sip_slis150.gif Figure 26. TO-92 (LPG)パッケージ
DRV5033 inline_hall_sensor_slis150.gifはホール効果センサを示します(実際の大きさに比例してはいません)。ホール素子はパッケージの中心に、許容誤差±100µmで配置されています。ホール素子の高さは、パッケージの底面から計測して、DBZパッケージでは0.7mm±50µm、LPGパッケージでは0.987mm±50µmです。

11.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法

ドキュメントの更新についての通知を受け取るには、ti.comのデバイス製品フォルダを開いてください。右上の隅にある「通知を受け取る」をクリックして登録すると、変更されたすべての製品情報に関するダイジェストを毎週受け取れます。変更の詳細については、修正されたドキュメントに含まれている改訂履歴をご覧ください。

11.3 コミュニティ・リソース

以下のリンクから、TIのコミュニティ・リソースにアクセスできます。リンクされているコンテンツは、該当する貢献者により、現状のまま提供されるものです。これらはTIの仕様を構成するものではなく、必ずしもTIの見解を反映したものではありません。TIの使用条件を参照してください。

    TI E2E™オンライン・コミュニティ TIのE2E（Engineer-to-Engineer）コミュニティ。エンジニア間の共同作業を促進するために開設されたものです。e2e.ti.comでは、他のエンジニアに質問し、知識を共有し、アイディアを検討して、問題解決に役立てることができます。
    設計サポート TIの設計サポート 役に立つE2Eフォーラムや、設計サポート・ツールをすばやく見つけることができます。技術サポート用の連絡先情報も参照できます。

11.4 商標

E2E is a trademark of Texas Instruments.

All other trademarks are the property of their respective owners.

11.5 静電気放電に関する注意事項

esds-image

これらのデバイスは、限定的なESD（静電破壊）保護機能を内 蔵しています。保存時または取り扱い時は、MOSゲートに対す る静電破壊を防止するために、リード線同士をショートさせて おくか、デバイスを導電フォームに入れる必要があります。

11.6 用語集

SLYZ022 — TI用語集.

この用語集には、用語や略語の一覧および定義が記載されています。