JAJSNB6B November   2021  – April 2022 INA350

PRODUCTION DATA  

  1. 特長
  2. アプリケーション
  3. 概要
  4. 改訂履歴
  5. デバイス比較表
  6. ピン構成および機能
  7. 仕様
    1. 7.1 絶対最大定格
    2. 7.2 ESD 定格
    3. 7.3 推奨動作条件
    4. 7.4 熱に関する情報
    5. 7.5 電気的特性
    6. 7.6 代表的特性
  8. 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 ゲイン設定
        1. 8.3.1.1 ゲイン誤差とドリフト係数
      2. 8.3.2 入力同相電圧範囲
      3. 8.3.3 EMI 除去
      4. 8.3.4 代表的な仕様と分布
      5. 8.3.5 電気的オーバーストレス
    4. 8.4 デバイスの機能モード
  9. アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
      1. 9.1.1 リファレンス・ピン
      2. 9.1.2 入力バイアス電流のリターン・パス
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 抵抗性ブリッジ圧力センサ
        1. 9.2.1.1 設計要件
        2. 9.2.1.2 詳細な設計手順
        3. 9.2.1.3 アプリケーション曲線
  10. 10電源に関する推奨事項
  11. 11レイアウト
    1. 11.1 レイアウトのガイドライン
    2. 11.2 レイアウト例
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 デバイスのサポート
      1. 12.1.1 開発サポート
        1. 12.1.1.1 PSpice® for TI
    2. 12.2 ドキュメントのサポート
      1. 12.2.1 関連資料
    3. 12.3 Receiving Notification of Documentation Updates
    4. 12.4 サポート・リソース
    5. 12.5 商標
    6. 12.6 Electrostatic Discharge Caution
    7. 12.7 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

ゲイン誤差とドリフト係数

INA350 のゲイン誤差は、内蔵の高精度抵抗の不一致によって制限され、特性の結果に基づいて規定されています。ゲインが 10 の場合は最大 0.5%、ゲインが 20、30、50 の場合は 0.6% のゲイン誤差が予想されます。INA350 のゲイン・ドリフトは、内蔵抵抗の温度係数のわずかな不一致によって制限されます。これらの内蔵抵抗は、最初に温度係数の低い抵抗と高精度で一致されるため、外付け抵抗を使用して構築された計測アンプのディスクリート実装と比較して、総合的なゲイン・ドリフトははるかに優れています。