JAJSNB6C november 2021 – may 2023 INA350
PRODUCTION DATA
パラメータ | テスト条件 | 最小値 | 標準値 | 最大値 | 単位 | ||
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入力 | |||||||
VOSI | オフセット電圧、RTI(1) | VS = 5.5V | TA = 25℃ | ±0.2 | ±1.2 | mV | |
VOSI | T の範囲にわたるオフセット電圧、RTI(1) | VS = 5.5V | TA = -40℃~125℃ | ±1.3 | mV | ||
VOSI | オフセットの温度ドリフト、RTI(2) | VS = 5.5V | TA = -40℃~125℃ | ±0.6 | µV/℃ | ||
PSRR | 電源除去比 | TA = 25℃ | 20 | 75 | µV/V | ||
ZIN-DM | 差動インピーダンス | 100 || 5 | GΩ || pF | ||||
ZIN-CM | 同相インピーダンス | 100 || 9 | GΩ || pF | ||||
VCM | 入力段の同相範囲(3) | (V-) | (V+) | V | |||
CMRR DC | 同相除去比、RTI | VCM = (V-) + 0.1V~(V+) - 1V、高 CMRR 領域 | VS = 5.5V、VREF = VS/2 | 85 | 95 | dB | |
CMRR DC | 同相除去比、RTI | VCM = (V-) + 0.1V~(V+) - 1V、高 CMRR 領域 | VS = 3.3V、VREF = VS/2 | 94 | dB | ||
CMRR DC | 同相除去比、RTI | VCM = (V-) + 0.1V~(V+) - 0.1V | VS = 5.5V、VREF = VS/2 | 62 | 75 | dB | |
バイアス電流 | |||||||
IB | 入力バイアス電流 | VCM = VS/2 | ±0.65 | pA | |||
IOS | 入力オフセット電流 | VCM = VS/2 | ±0.25 | pA | |||
ノイズ電圧 | |||||||
eNI | 入力換算電圧ノイズ密度(5) | f = 1kHz | 36 | nV/√Hz | |||
eNI | 入力換算電圧ノイズ密度(5) | f = 10kHz | 34 | nV/√Hz | |||
ENI | 入力換算電圧ノイズ(5) | fB = 0.1Hz~10Hz | 3.2 | µVPP | |||
in | 入力電流ノイズ | f = 1kHz | f = 1kHz | 22 | fA/√Hz | ||
ゲイン | |||||||
GE | ゲイン誤差(4) | G = 10、VREF = VS/2 | VO = (V-) + 0.1V~(V+) - 0.1V | ±0.05 | ±0.50 | % | |
G = 20、VREF = VS/2 | ±0.06 | ±0.60 | |||||
ゲイン誤差(4) | G = 30、VREF = VS/2 | ±0.075 | ±0.60 | ||||
G = 50、VREF = VS/2 | ±0.082 | ±0.60 | |||||
出力 | |||||||
VOH | 正のレール・ヘッドルーム | RL = 10kΩ を VS/2 に接続 | 15 | 30 | mV | ||
VOL | 負のレール・ヘッドルーム | RL = 10kΩ を VS/2 に接続 | 15 | 30 | mV | ||
CL の駆動 | 負荷容量の駆動 | VO = 100mV 刻み、オーバーシュート < 20% | 500 | pF | |||
ZO | 閉ループ出力インピーダンス | f = 10kHz | 51 | Ω | |||
ISC | 短絡電流 | VS = 5.5V | ±20 | mA | |||
周波数特性 | |||||||
BW | 帯域幅、-3dB | G = 10 | VIN = 10mVpk-pk | 100 | kHz | ||
G = 20 | 50 | ||||||
帯域幅、-3dB | G = 30 | 40 | |||||
G = 50 | 25 | ||||||
THD+N | 全高調波歪 + ノイズ | VS = 5.5V、VCM = 2.75V、VO = 1VRMS、G = 10、RL = 100kΩ ƒ = 1kHz、80kHz の測定帯域幅 |
0.04 | % | |||
THD+N | 全高調波歪 + ノイズ | VS = 5.5V、VCM = 2.75V、VO = 1VRMS、G = 50、RL = 100kΩ ƒ = 1kHz、80kHz の測定帯域幅 |
VS = 5.5V、VCM = 2.75V、VO = 1VRMS、G = 50、RL = 100kΩ ƒ = 1kHz、80kHz の測定帯域幅 |
0.15 | % | ||
EMIRR | 電磁干渉除去比 | f = 1GHz、VIN_EMIRR = 100mV | 96 | dB | |||
SR | スルーレート | VS = 5V、VO = 2V 刻み | 0.24 | V/µs | |||
tS | セトリング・タイム | G = 10、0.1% まで、VS = 5.5V、VSTEP = 2V、CL = 10pF | 17 | µs | |||
G = 10、0.01% まで、VS = 5.5V、VSTEP = 2V、CL = 10pF | 38 | ||||||
G = 20、0.1% まで、VS = 5.5V、VSTEP = 2V、CL = 10pF | 20 | ||||||
G = 20、0.01% まで、VS = 5.5V、VSTEP = 2V、CL = 10pF | 27 | ||||||
セトリング・タイム | G = 30、0.1% まで、VS = 5.5V、VSTEP = 2V、CL = 10pF | 30 | |||||
G = 30、0.01% まで、VS = 5.5V、VSTEP = 2V、CL = 10pF | 57 | ||||||
G = 50、0.1% まで、VS = 5.5V、VSTEP = 2V、CL = 10pF | 44 | ||||||
G = 50、0.01% まで、VS = 5.5V、VSTEP = 2V、CL = 10pF | 85 | ||||||
過負荷からの回復 | VIN = 1V、G = 10 | 16 | µs | ||||
過負荷からの回復 | VIN = 1V、G = 50 | VIN = 1V、G = 50 | 6.5 | µs | |||
基準電圧入力 | |||||||
RIN | 入力インピーダンス | 60 | kΩ | ||||
電圧範囲 | (V-) | (V+) | V | ||||
ゲインから出力へ | 1 | V/V | |||||
基準ゲイン誤差 | ±0.004 | % | |||||
電源 | |||||||
VS | 電源電圧 | 単一電源 | 1.7 | 5.5 | V | ||
VS | 電源電圧 | デュアル電源 | ±0.85 | ±2.75 | V | ||
IQ | 静止電流 | VIN = 0V | 100 | 125 | µA | ||
TA = -40℃~125℃ | 135 | ||||||
IQSD | アンプごとの静止電流 | すべてのアンプがディセーブル、SHDN = V- | 0.70 | 1.25 | µA | ||
VIL | ロジック Low のスレッショルド電圧 (ゲイン選択) | INA350ABS では G = 10、INA350CDS では G = 30 | (V-) + 0.2V | V | |||
VIH | ロジック High のスレッショルド電圧 (ゲイン選択) | INA350ABS では G = 20、INA350CDS では G = 50 | (V-) + 1V | V | |||
tON | アンプのイネーブル時間 (フル・シャットダウン) (6) | VCM = VS/2、VO = 0.9 × VS/2、 RL を V- に接続 |
100 | µs | |||
tOFF | アンプのディセーブル時間 (6) | VCM = VS/2、VO = 0.1 × VS/2、 RL を V- に接続 |
4 | µs | |||
SHDN ピンの入力バイアス電流 (ピンごと) | (V+) ≧ SHDN ≧ (V-) + 1V | 10 | nA | ||||
SHDN ピンの入力バイアス電流 (ピンごと) | (V-) ≦ SHDN ≦ (V-) + 0.2V | 175 | nA |