JAJSNB6B November   2021  – April 2022 INA350

PRODUCTION DATA  

  1. 特長
  2. アプリケーション
  3. 概要
  4. 改訂履歴
  5. デバイス比較表
  6. ピン構成および機能
  7. 仕様
    1. 7.1 絶対最大定格
    2. 7.2 ESD 定格
    3. 7.3 推奨動作条件
    4. 7.4 熱に関する情報
    5. 7.5 電気的特性
    6. 7.6 代表的特性
  8. 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 ゲイン設定
        1. 8.3.1.1 ゲイン誤差とドリフト係数
      2. 8.3.2 入力同相電圧範囲
      3. 8.3.3 EMI 除去
      4. 8.3.4 代表的な仕様と分布
      5. 8.3.5 電気的オーバーストレス
    4. 8.4 デバイスの機能モード
  9. アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
      1. 9.1.1 リファレンス・ピン
      2. 9.1.2 入力バイアス電流のリターン・パス
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 抵抗性ブリッジ圧力センサ
        1. 9.2.1.1 設計要件
        2. 9.2.1.2 詳細な設計手順
        3. 9.2.1.3 アプリケーション曲線
  10. 10電源に関する推奨事項
  11. 11レイアウト
    1. 11.1 レイアウトのガイドライン
    2. 11.2 レイアウト例
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 デバイスのサポート
      1. 12.1.1 開発サポート
        1. 12.1.1.1 PSpice® for TI
    2. 12.2 ドキュメントのサポート
      1. 12.2.1 関連資料
    3. 12.3 Receiving Notification of Documentation Updates
    4. 12.4 サポート・リソース
    5. 12.5 商標
    6. 12.6 Electrostatic Discharge Caution
    7. 12.7 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

電気的特性

VS = (V+) - (V-) = 1.8V~5.5V (±0.9V~±2.75V) について、TA = 25℃、VREF = VS/2、G = 10、20、30、50、RL = 10kΩ を VS /2 に接続、VCM = [(VIN+) + (VIN–)] / 2 = VS / 2、VIN = (VIN+) - (VIN-) = 0V、VOUT = VS /2 のとき (特に記述のない限り)
パラメータ テスト条件 最小値 標準値 最大値 単位
入力
VOSI オフセット電圧、RTI(1) VS = 5.5V TA = 25℃ ±0.2 ±1.2 mV
VOSI T の範囲にわたるオフセット電圧、RTI(1) VS = 5.5V TA = -40℃~125℃ ±1.3 mV
VOSI オフセットの温度ドリフト、RTI(2) VS = 5.5V TA = -40℃~125℃ ±0.6 μV/℃
PSRR 電源除去比 TA = 25℃   20 75 μV/V
ZIN-DM 差動インピーダンス 100 || 5 GΩ || pF
ZIN-CM 同相インピーダンス 100 || 9 GΩ || pF
VCM 入力段の同相範囲(3) (V-) (V+)  V
CMRR DC 同相除去比、RTI VCM = (V-) + 0.1V~(V+) - 1V、高 CMRR 領域 VS = 5.5V、VREF = VS/2 85 95 dB
CMRR DC 同相除去比、RTI VCM = (V-) + 0.1V~(V+) - 1V、高 CMRR 領域 VS = 3.3V、VREF = VS/2 94 dB
CMRR DC 同相除去比、RTI VCM = (V-) + 0.1V~(V+) - 0.1V VS = 5.5V、VREF = VS/2 62 75 dB
バイアス電流
IB 入力バイアス電流 VCM = VS/2 ±0.65 pA
IOS 入力オフセット電流 VCM = VS / 2 ±0.25 pA
ノイズ電圧
eNI 入力換算電圧ノイズ密度(5) f = 1kHz 36 nV/√Hz
eNI 入力換算電圧ノイズ密度(5) f = 10kHz 34 nV/√Hz
ENI 入力換算電圧ノイズ(5) fB = 0.1Hz~10Hz 3.2 μVPP
in 入力電流ノイズ f = 1kHz f = 1kHz 22 fA/√Hz
GAIN
GE ゲイン誤差(4) G = 10、VREF = VS/2 VO = (V-) + 0.1V~(V+) - 0.1V ±0.05 ±0.50 %
G = 20、VREF = VS/2 ±0.06 ±0.60
ゲイン誤差(4) G = 30、VREF = VS/2 ±0.075 ±0.60
G = 50、VREF = VS/2 ±0.082 ±0.60
出力
VOH 正のレール・ヘッドルーム RL = 10kΩ をVS/2 に接続 15 30 mV
VOL 負のレール・ヘッドルーム RL = 10kΩ をVS/2 に接続 15 30 mV
CL の駆動 負荷容量の駆動 VO = 100mV 刻み、オーバーシュート < 20% 500 pF
ZO 閉ループ出力インピーダンス f = 10kHz 51
ISC 短絡電流 VS = 5.5V ±20 mA
周波数特性
BW 帯域幅、-3dB G = 10 VIN = 10mVpk-pk 100 kHz
G = 20 50
帯域幅、-3dB G = 30 40
G = 50 25
THD+N 全高調波歪 + ノイズ VS = 5.5V、VCM = 2.75V、VO = 1VRMS、G = 10、RL = 100kΩ
ƒ = 1kHz、80kHz の測定帯域幅
0.04 %
THD+N 全高調波歪 + ノイズ VS = 5.5V、VCM = 2.75V、VO = 1VRMS、G = 50、RL = 100kΩ
ƒ = 1kHz、80kHz の測定帯域幅
VS = 5.5V、VCM = 2.75V、VO = 1VRMS、G = 50、RL = 100kΩ
ƒ = 1kHz、80kHz の測定帯域幅
0.15 %
EMIRR 電磁干渉除去比 f = 1GHz、VIN_EMIRR = 100mV 96 dB
SR スルーレート VS = 5V、VO = 2V 刻み 0.24 V/µs
tS セトリング・タイム G = 10、0.1% まで、VS = 5.5V、VSTEP = 2V、CL = 10pF 17 μs
G = 10、0.01% まで、VS = 5.5V、VSTEP = 2V、CL = 10pF 38
G = 20、0.1% まで、VS = 5.5V、VSTEP = 2V、CL = 10pF 20
G = 20、0.01% まで、VS = 5.5V、VSTEP = 2V、CL = 10pF 27
セトリング・タイム G = 30、0.1% まで、VS = 5.5V、VSTEP = 2V、CL = 10pF 30
G = 30、0.01% まで、VS = 5.5V、VSTEP = 2V、CL = 10pF 57
G = 50、0.1% まで、VS = 5.5V、VSTEP = 2V、CL = 10pF 44
G = 50、0.01% まで、VS = 5.5V、VSTEP = 2V、CL = 10pF 85
過負荷からの回復 VIN = 1V、G = 10 16 μs
過負荷からの回復 VIN = 1V、G = 50 VIN = 1V、G = 50 6.5 μs
基準電圧入力
RIN 入力インピーダンス 60
電圧範囲 (V-) (V+) V
ゲインから出力へ 1 V/V
基準ゲイン誤差 ±0.004 %
電源
VS 電源電圧 単一電源 1.7 5.5 V
VS 電源電圧 デュアル電源 ±0.85 ±2.75 V
IQ 静止時電流 VIN = 0V 100 125 μA
TA = -40℃~125℃ 135
IQSD 静止電流 (アンプ 1 個あたり) すべてのアンプがディセーブル、SHDN = V- 0.70 1.25 μA
VIL ロジック Low のスレッショルド電圧 (ゲイン選択) INA350ABS では G = 10、INA350CDS では G = 30 (V-) + 0.2V V
VIH ロジック High のスレッショルド電圧 (ゲイン選択) INA350ABS では G = 20、INA350CDS では G = 50 (V-) + 1V V
tON アンプのイネーブル時間 (フル・シャットダウン) (6) VCM = VS / 2、VO = 0.9 × VS / 2、
RL を V- に接続
100 μs
tOFF アンプのディスエーブル時間(6) VCM = VS / 2、VO = 0.1 × VS / 2、
RL を V- に接続
4 μs
SHDN ピンの入力バイアス電流 (ピンごと) (V+) ≧ SHDN ≧ (V-) + 1V 10 nA
SHDN ピンの入力バイアス電流 (ピンごと) (V-) ≦ SHDN ≦ (V-) + 0.2V 175 nA
合計オフセット、入力換算 (RTI):VOS = (VOSI) + (VOSO / G)。
オフセットの各ドリフトは無相関です。入力換算のオフセットのドリフトは、以下を使用して計算されます。ΔVOS(RTI) = √[ΔVOSI2 + (ΔVOSO / G)2]
計測アンプの入力段のみの入力同相電圧範囲。INA350x の入力範囲全体は、入力同相電圧、差動電圧、ゲイン、リファレンス電圧、電源電圧の組み合わせに依存します。代表的特性の曲線とともに、その他の情報が追加されます。
最小値と最大値は特性により規定されています。
RTI の合計電圧ノイズは、eN(RTI) = √[eNI2 + (eNO /G)2] で表されます。
ディセーブル時間 (tOFF) とイネーブル時間 (tON) は、SHDN ピンに印加される信号の 50% ポイントと、出力電圧が 10% (ディセーブル) または 90% (イネーブル) レベルに達する時点との間の時間間隔として定義されます。