JAJS629Q February   2000  – January 2023 LM1117

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 デバイス比較表
  6. 6 ピン構成および機能
  7. 7 仕様
    1. 7.1 絶対最大定格
    2. 7.2 ESD 定格
    3. 7.3 推奨動作条件
    4. 7.4 熱に関する情報
    5. 7.5 LM1117 電気的特性
    6. 7.6 LM1117I 電気的特性
    7. 7.7 標準的特性
  8. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 特長の説明
      1. 8.3.1 負荷レギュレーション
    4. 8.4 デバイスの機能モード
      1. 8.4.1 保護ダイオード
  9. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 設計要件
      2. 9.2.2 詳細な設計手順
        1. 9.2.2.1 外付けコンデンサ
          1. 9.2.2.1.1 入力バイパス・コンデンサ
          2. 9.2.2.1.2 端子のバイパス・コンデンサの調整
          3. 9.2.2.1.3 出力コンデンサ
      3. 9.2.3 アプリケーション曲線
    3. 9.3 システム例
    4. 9.4 電源に関する推奨事項
    5. 9.5 レイアウト
      1. 9.5.1 レイアウトのガイドライン
        1. 9.5.1.1 ヒートシンク要件
      2. 9.5.2 レイアウト例
  10. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 ドキュメントのサポート
      1. 10.1.1 関連資料
    2. 10.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 10.3 サポート・リソース
    4. 10.4 商標
    5. 10.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 10.6 用語集
  11. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

7.4 熱に関する情報

熱特性 (1)LM1117、LM1117I単位
DCY
(SOT-223)		NDE
(TO-220)		NDP
(TO-252)		NGN
(WSON)		KTT
(TO-263)
4 ピン3 ピン3 ピン8 ピン3 ピン
RθJA接合部から周囲までの熱抵抗61.623.845.139.341.3℃/W
RθJC(top)接合部からケース (上部) までの熱抵抗42.516.652.131.444.1℃/W
RθJB接合部から基板までの熱抵抗10.45.329.816.524.2℃/W
ψJT接合部から上面への熱特性パラメータ2.93.14.50.310.9℃/W
ψJB接合部から基板への熱特性パラメータ10.35.329.416.723.2℃/W
RθJC(bot)接合部からケース (底面) までの熱抵抗—1.51.35.61.3℃/W
(1) 従来および最新の熱評価基準の詳細については、『半導体および IC パッケージの熱評価基準』アプリケーション・レポートを参照してください。