JAJSC59C September   2004  – September 2016 LM5112 , LM5112-Q1

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 Pin Configuration and Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Switching Characteristics
    7. 6.7 Typical Characteristics
  7. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
    4. 7.4 Device Functional Modes
      1. 7.4.1 Inverting Mode
      2. 7.4.2 Non-Inverting Mode
  8. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
      3. 8.2.3 Application Curves
  9. 9 Power Supply Recommendations
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
      1. 10.1.1 Thermal Considerations
        1. 10.1.1.1 Drive Power Requirement Calculations In LM5112
    2. 10.2 Layout Example
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 関連リンク
    2. 11.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 11.3 コミュニティ・リソース
    4. 11.4 商標
    5. 11.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 11.6 Glossary
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • NGG|6
サーマルパッド・メカニカル・データ

1 特長

  • LM5112-Q1は車載アプリケーション用に認定済み
  • AEC-Q100グレード1認定済み
  • 車載用グレードのフローで製造
  • CMOSとバイポーラの複合出力によって出力電流の変動を低減
  • 7Aシンク、3Aソース電流
  • 短い伝搬時間: 25ns (標準値)
  • 短い立ち上がり/立ち下がり時間: 2nF負荷で
    14nsまたは12ns
  • 反転および非反転入力により、単一のデバイスでどちらの構成も可能
  • 電源レールの低電圧誤動作防止保護
  • 専用の入力グランド・ピン(IN_REF)により
    分割電源または単一電源で動作
  • 電力拡張された6ピンのWSONパッケージ
    (3mm×3mm)または放熱特性の優れた
    MSOP-PowerPADパッケージ
  • VCCからVEE(入力グランドに対して負電圧)までの出力スイング

2 アプリケーション

  • DC-DCスイッチ・モード電源
  • AC-DCスイッチ・モード電源
  • ソーラー・マイクロインバータ
  • ソレノイドおよびモータ・ドライブ

3 概要

LM5112デバイスはMOSFETゲート・ドライバで、高いピーク・ゲート・ドライブ電流を供給し、小型の6ピンWSONパッケージ(SOT-23と同等の占有面積)または8ピンの露出パッド付きMSOPパッケージに搭載され、高い周波数での動作に必要な消費電力の改善が加えられています。複合出力ドライバのステージではMOSとバイポーラ・トランジスタが並列で動作し、容量性負荷から7Aを超えるピーク電流をシンクします。MOSとバイポーラ・デバイスの固有の特性を組み合わせることで、電圧および温度による駆動電流の変動が低減されます。低電圧誤動作防止保護が実装され、ゲートのターンオン電圧の不足によるMOSFETの損傷を防ぎます。LM5112デバイスには反転と非反転の両方の入力があり、単一のデバイス・タイプで反転と非反転のゲート・ドライブの要件を満たすことができます。

製品情報(1)

型番 パッケージ 本体サイズ（公称）
LM5112、
LM5112-Q1		 WSON (6) 3.00mm×3.00mm
MSOP PowerPAD (8) 3.00mm×3.00mm
  1. 提供されているすべてのパッケージについては、巻末の注文情報を参照してください。

ブロック概略図

LM5112 LM5112-Q1 simplified_block_diagram_snvs234.gif