JAJSL98B October 2020 – June 2021 LMG3522R030-Q1 , LMG3525R030-Q1
ADVANCE INFORMATION
デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。
ドライバおよび保護機能を内蔵した LMG352xR030-Q1 GaN FET を使うと、設計者はパワー・エレクトロニクス・システムにおいて、比類ない電力密度と効率を実現できます。
LMG352xR030-Q1 は、最大 150V/ns のスイッチング速度を実現できるシリコン・ドライバを内蔵しています。TI の統合型高精度ゲート・バイアスは、ディスクリート・シリコン・ゲート・ドライバよりも広いスイッチング SOA をもたらします。この統合と低インダクタンス・パッケージの組み合わせにより、ハード・スイッチング電源トポロジでもノイズの少ないスイッチングとリンギングの最小化を実現できます。EMI を制御するための調整可能なゲート・ドライブ強度、過熱保護、フォルト表示付きの堅牢な過電流保護を含むその他の機能を使うと、BOM コスト、基板サイズ、フットプリントを最適化できます。
先進の電源管理機能にはデジタル温度レポート機能と TI の理想ダイオード・モードが含まれます。GaN FET の温度は可変デューティ・サイクル PWM 出力により通知されるため、システムは負荷を最適に管理できます。理想ダイオード・モードは、適応型デッドタイム制御により第 3 象限の損失を低減することで効率を最大化します。
部品番号 | パッケージ (1) | 本体サイズ (公称) |
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LMG352xR030-Q1 | VQFN (52) | 12.00mm × 12.00mm |