JAJSL98D October   2020  – February 2024 LMG3522R030-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 Pin Configuration and Functions
  6. 5 Specifications
    1. 5.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 5.2 ESD Ratings
    3. 5.3 Recommended Operating Conditions
    4. 5.4 Thermal Information
    5. 5.5 Electrical Characteristics
    6. 5.6 Switching Characteristics
    7. 5.7 Typical Characteristics
  7. 6 Parameter Measurement Information
    1. 6.1 Switching Parameters
      1. 6.1.1 Turn-On Times
      2. 6.1.2 Turn-Off Times
      3. 6.1.3 Drain-Source Turn-On Slew Rate
  8. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1  GaN FET Operation Definitions
      2. 7.3.2  Direct-Drive GaN Architecture
      3. 7.3.3  Drain-Source Voltage Capability
      4. 7.3.4  Internal Buck-Boost DC-DC Converter
      5. 7.3.5  VDD Bias Supply
      6. 7.3.6  Auxiliary LDO
      7. 7.3.7  Fault Detection
        1. 7.3.7.1 Overcurrent Protection and Short-Circuit Protection
        2. 7.3.7.2 Overtemperature Shutdown
        3. 7.3.7.3 UVLO Protection
        4. 7.3.7.4 Fault Reporting
      8. 7.3.8  Drive-Strength Adjustment
      9. 7.3.9  Temperature-Sensing Output
      10. 7.3.10 Ideal-Diode Mode Operation
        1. 7.3.10.1 Overtemperature-Shutdown Ideal-Diode Mode
    4. 7.4 Start-Up Sequence
    5. 7.5 Safe Operation Area (SOA)
      1. 7.5.1 Repetitive SOA
    6. 7.6 Device Functional Modes
  9. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 8.2.2.1 Slew Rate Selection
          1. 8.2.2.1.1 Start-Up and Slew Rate With Bootstrap High-Side Supply
        2. 8.2.2.2 Signal Level-Shifting
        3. 8.2.2.3 Buck-Boost Converter Design
      3. 8.2.3 Application Curves
    3. 8.3 Do's and Don'ts
    4. 8.4 Power Supply Recommendations
      1. 8.4.1 Using an Isolated Power Supply
      2. 8.4.2 Using a Bootstrap Diode
        1. 8.4.2.1 Diode Selection
        2. 8.4.2.2 Managing the Bootstrap Voltage
    5. 8.5 Layout
      1. 8.5.1 Layout Guidelines
        1. 8.5.1.1 Solder-Joint Reliability
        2. 8.5.1.2 Power-Loop Inductance
        3. 8.5.1.3 Signal-Ground Connection
        4. 8.5.1.4 Bypass Capacitors
        5. 8.5.1.5 Switch-Node Capacitance
        6. 8.5.1.6 Signal Integrity
        7. 8.5.1.7 High-Voltage Spacing
        8. 8.5.1.8 Thermal Recommendations
      2. 8.5.2 Layout Examples
  10. 9 Device and Documentation Support
    1. 9.1 Documentation Support
      1. 9.1.1 Related Documentation
    2. 9.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 9.3 サポート・リソース
    4. 9.4 Trademarks
    5. 9.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 9.6 Export Control Notice
    7. 9.7 用語集
  11. 10Revision History
  12. 11Mechanical, Packaging, and Orderable Information

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • RQS|52
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

3 概要

ドライバと保護機能を内蔵した LMG3522R030-Q1 GaN FET は、スイッチ モード パワー コンバータを対象としています。このデバイスを使うと、設計者は比類ない電力密度と効率を実現できます。

LMG3522R030-Q1 は、最大 150V/ns のスイッチング速度を実現できるシリコン ドライバを内蔵しています。テキサス・インスツルメンツの統合型高精度ゲート バイアスは、ディスクリート シリコン ゲート ドライバと比較して、より広いスイッチング SOA をもたらします。この統合と テキサス・インスツルメンツの低インダクタンス パッケージの組み合わせにより、ハード スイッチング電源トポロジでもノイズの少ないスイッチングとリンギングの最小化を実現できます。調整可能なゲート ドライブ強度により、20V/ns～150V/ns のスルーレートの制御が可能で、EMI のアクティブ制御とスイッチング性能の最適化に使用できます。

先進的な電源管理機能として、デジタル温度レポート、フォルト検出を備えています。GaN FET の温度は可変デューティ サイクル PWM 出力により通知されるため、デバイスの負荷の管理が簡単になります。報告されるフォルトには、過熱、過電流、UVLO の監視があります。

パッケージ情報
部品番号 パッケージ (1) パッケージ サイズ(2)
LMG3522R030-Q1 RQS (VQFN、52) 12.00mm × 12.00mm
(1) 利用可能なすべてのパッケージについては、データシートの末尾にある注文情報を参照してください。
(2) パッケージ サイズ (長さ × 幅) は公称値であり、該当する場合はピンも含まれます。
GUID-20220511-SS0I-TTVC-W9BZ-WLXVDCQWX2WC-low.svg 100V/ns を超えるスイッチング性能