JAJSSX9I
December 2001 – February 2024
OPA656
PRODUCTION DATA
1
1
特長
2
アプリケーション
3
概要
4
Device Comparison Table
5
Pin Configuration and Functions
6
Specifications
6.1
Absolute Maximum Ratings
6.2
ESD Ratings
6.3
Recommended Operating Conditions
6.4
Thermal Information
6.5
Electrical Characteristics
6.6
Electrical Characteristics: High Grade DC Specifications
6.7
Typical Characteristics: VS = ±5 V
7
Detailed Description
7.1
Overview
7.2
Feature Description
7.2.1
Input and ESD Protection
7.3
Device Functional Modes
8
Application and Implementation
8.1
Application Information
8.1.1
Wideband, Noninverting Operation
8.1.2
Wideband, Inverting Gain Operation
8.2
Typical Application
8.2.1
Design Requirements
8.2.2
Detailed Design Procedure
8.2.3
Application Curves
8.3
Power Supply Recommendations
8.4
Layout
8.4.1
Layout Guidelines
8.4.1.1
Demonstration Fixtures
8.4.1.2
Thermal Considerations
8.4.2
Layout Example
9
Device and Documentation Support
9.1
Documentation Support
9.1.1
Related Documentation
9.2
ドキュメントの更新通知を受け取る方法
9.3
サポート・リソース
9.4
Trademarks
9.5
静電気放電に関する注意事項
9.6
用語集
10
Revision History
11
Mechanical, Packaging, and Orderable Information
パッケージ・オプション
メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
D|8
MSOI002K
DBV|5
MPDS018S
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報
jajssx9i_oa
jajssx9i_pm
1
特長
広い帯域幅:
ゲイン帯域幅積:230MHz
ユニティ ゲイン帯域幅:550MHz
大信号帯域幅 (2V
PP
):150MHz
高精度:
入力オフセット電圧:600μV (最大値)
入力オフセット電圧ドリフト:6 μV/℃ (最大値)
入力電圧ノイズ:6nV/√Hz
入力バイアス電流:2pA
低歪み (R
L
= 200Ω、V
O
= 2V
PP
):
5MHz での HD2、HD3:–80dBc、–100dBc
電源電圧範囲:8V~12V