JAJSIL3K june   2007  – june 2023 REF5010 , REF5020 , REF5025 , REF5030 , REF5040 , REF5045 , REF5050

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特長
  3. アプリケーション
  4. 概要
  5. 改訂履歴
  6. デバイス比較表
  7. ピン構成および機能
  8. 仕様
    1. 7.1 絶対最大定格
    2. 7.2 ESD 定格
    3. 7.3 推奨動作条件
    4. 7.4 熱に関する情報
    5. 7.5 電気的特性
    6. 7.6 代表的特性
  9. パラメータ測定情報
  10. 詳細説明
    1. 9.1 概要
    2. 9.2 機能ブロック図
    3. 9.3 機能説明
      1. 9.3.1 温度監視
      2. 9.3.2 温度ドリフト
      3. 9.3.3 熱ヒステリシス
      4. 9.3.4 ノイズ特性
      5. 9.3.5 長期安定性
      6. 9.3.6 TRIM/NR ピンを使用した出力調整
    4. 9.4 デバイスの機能モード
      1. 9.4.1 基本的な接続
      2. 9.4.2 電源電圧
      3. 9.4.3 負のリファレンス電圧
  11. 10アプリケーションと実装
    1. 10.1 アプリケーション情報
    2. 10.2 代表的なアプリケーション
      1. 10.2.1 16ビット、250KSPS のデータ・アクイジション・システム
        1. 10.2.1.1 設計要件
        2. 10.2.1.2 詳細な設計手順
        3. 10.2.1.3 アプリケーション曲線
  12. 11電源に関する推奨事項
  13. 12レイアウト
    1. 12.1 レイアウトのガイドライン
    2. 12.2 レイアウト例
    3. 12.3 消費電力
  14. 13デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 13.1 ドキュメントのサポート
      1. 13.1.1 関連資料
    2. 13.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 13.3 サポート・リソース
    4. 13.4 商標
    5. 13.5 用語集
  15. 14メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

熱に関する情報

熱評価基準 (1)REF50xx単位
D (SOIC)DGK (VSSOP)
8 ピン8 ピン
RθJA接合部から周囲への熱抵抗115160.9℃/W
RθJC(top)接合部からケース (上面) への熱抵抗63.453.9°C/W
RθJB接合部から基板への熱抵抗57.182.3℃/W
ψJT接合部から上面への熱特性パラメータ15.45.1℃/W
ψJB接合部から基板への熱特性パラメータ56.280.7℃/W
RθJC(bot)接合部からケース (底面) までの熱抵抗N/AN/A℃/W
従来および新しい熱特性の詳細については、アプリケーション・レポート『半導体および IC パッケージの熱評価基準』、SPRA953 を参照してください。