JAJSE80R October   2017  – November 2021 TLV9001 , TLV9002 , TLV9004

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 説明
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 製品比較表
  6. 6 ピン構成および機能
  7. 7 仕様
    1. 7.1  絶対最大定格
    2. 7.2  ESD 定格
    3. 7.3  推奨動作条件
    4. 7.4  熱に関する情報：TLV9001
    5. 7.5  熱に関する情報：TLV9001S
    6. 7.6  熱に関する情報：TLV9002
    7. 7.7  熱に関する情報：TLV9002S
    8. 7.8  熱に関する情報：TLV9004
    9. 7.9  熱に関する情報：TLV9004S
    10. 7.10 電気的特性
    11. 7.11 代表的特性
  8. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 動作電圧
      2. 8.3.2 レール・ツー・レール入力
      3. 8.3.3 レール・ツー・レール出力
      4. 8.3.4 EMI 除去
    4. 8.4 過負荷からの回復
    5. 8.5 シャットダウン
    6. 8.6 デバイスの機能モード
  9. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 TLV900x ローサイド電流検出アプリケーション
        1. 9.2.1.1 設計要件
        2. 9.2.1.2 詳細な設計手順
        3. 9.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 9.2.2 単一電源のフォトダイオード・アンプ
        1. 9.2.2.1 設計要件
        2. 9.2.2.2 詳細な設計手順
        3. 9.2.2.3 アプリケーション曲線
  10. 10電源に関する推奨事項
    1. 10.1 入力および ESD 保護
  11. 11レイアウト
    1. 11.1 レイアウトのガイドライン
    2. 11.2 レイアウト例
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 ドキュメントのサポート
      1. 12.1.1 関連資料
    2. 12.2 Receiving Notification of Documentation Updates
    3. 12.3 サポート・リソース
    4. 12.4 商標
    5. 12.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 12.6 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • D|8
  • YCK|9
  • DGK|8
  • DDF|8
  • DGS|10
  • PW|8
  • RUG|10
  • DSG|8
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

7.6 熱に関する情報：TLV9002

熱評価基準 (1)TLV9002単位
D
(SOIC)		DGK
(VSSOP)		DGS
(VSSOP)		DSG
(WSON)		PW
(TSSOP)		DDF
(SOT-23)
8 ピン8 ピン10 ピン8 ピン8 ピン8 ピン
RθJA接合部から周囲への熱抵抗207.9201.2169.5103.2200.7183.7°C/W
RθJC(top)接合部からケース (上面) への熱抵抗92.885.784.1120.195.4112.5°C/W
RθJB接合部から基板への熱抵抗129.7122.911368.8128.698.2°C/W
ψJT接合部から上面への熱特性パラメータ2621.215.814.727.218.8°C/W
ψJB接合部から基板への熱特性パラメータ127.9121.4111.668.5127.297.6°C/W
(1) 従来および新しい熱評価基準の詳細については、『半導体および IC パッケージの熱評価基準』を参照してください。