JAJSE80R October   2017  – November 2021 TLV9001 , TLV9002 , TLV9004

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 説明
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 製品比較表
  6. 6 ピン構成および機能
  7. 7 仕様
    1. 7.1  絶対最大定格
    2. 7.2  ESD 定格
    3. 7.3  推奨動作条件
    4. 7.4  熱に関する情報：TLV9001
    5. 7.5  熱に関する情報：TLV9001S
    6. 7.6  熱に関する情報：TLV9002
    7. 7.7  熱に関する情報：TLV9002S
    8. 7.8  熱に関する情報：TLV9004
    9. 7.9  熱に関する情報：TLV9004S
    10. 7.10 電気的特性
    11. 7.11 代表的特性
  8. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 動作電圧
      2. 8.3.2 レール・ツー・レール入力
      3. 8.3.3 レール・ツー・レール出力
      4. 8.3.4 EMI 除去
    4. 8.4 過負荷からの回復
    5. 8.5 シャットダウン
    6. 8.6 デバイスの機能モード
  9. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 TLV900x ローサイド電流検出アプリケーション
        1. 9.2.1.1 設計要件
        2. 9.2.1.2 詳細な設計手順
        3. 9.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 9.2.2 単一電源のフォトダイオード・アンプ
        1. 9.2.2.1 設計要件
        2. 9.2.2.2 詳細な設計手順
        3. 9.2.2.3 アプリケーション曲線
  10. 10電源に関する推奨事項
    1. 10.1 入力および ESD 保護
  11. 11レイアウト
    1. 11.1 レイアウトのガイドライン
    2. 11.2 レイアウト例
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 ドキュメントのサポート
      1. 12.1.1 関連資料
    2. 12.2 Receiving Notification of Documentation Updates
    3. 12.3 サポート・リソース
    4. 12.4 商標
    5. 12.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 12.6 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • D|8
  • YCK|9
  • DGK|8
  • DDF|8
  • DGS|10
  • PW|8
  • RUG|10
  • DSG|8
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

9.2.1.2 詳細な設計手順

図 9-1 の回路の伝達関数は、Equation1 に示すとおりです。

Equation1. GUID-55791B5C-190A-4DF4-B254-3CC786FBF411-low.gif

負荷電流 (ILOAD) により、シャント抵抗 (RSHUNT) の両端で電圧降下が発生します。負荷電流は 0A～1A に設定されます。最大負荷電流時にシャント電圧を 100mV 未満に維持するため、最大のシャント抵抗は Equation2 を使用して計算されます。

Equation2. GUID-C45013C6-1441-4BF9-AF6C-656A61F6F3B0-low.gif

Equation2 から、RSHUNT は 100mΩと計算されます。ILOAD と RSHUNT によって発生する電圧降下は、TLV900x によって増幅され、約 0V～4.9V の出力電圧を生成します。TLX900x が必要な出力電圧を生成するために要求されるゲインは、Equation3 で計算されます。

Equation3. GUID-DEB413BB-9F8B-46D5-947C-A6001295FF71-low.gif

Equation3 から、必要なゲインは 49V/V と計算されます。これは抵抗 RF と RG で設定します。TLV900x のゲインを 49V/V に設定するための抵抗 RF と RG のサイズは、Equation4 で計算します。

Equation4. GUID-D7251FDF-DA40-4323-8F1C-8EDCDE56A220-low.gif

RF に 57.6kΩ、RG に 1.2kΩを選択すると、組み合わせで 49V/V に等しくなります。図 9-1 に示す回路で測定された伝達関数を、図 9-2 に示します。ゲインは、帰還抵抗とゲイン抵抗の関数にすぎないことに注意してください。このゲインは抵抗の比を変化させることで調整され、実際の抵抗値は設計者が設定しようとするインピーダンス・レベルによって決定されます。インピーダンス・レベルによって、電流ドレイン、浮遊容量の影響、その他いくつかの動作が決まります。すべてのシステムに同じインピーダンス選択が最適ではないため、システム・パラメータに応じて理想的なインピーダンスを選択する必要があります。