JAJSLP5B may 2022 – march 2023 TMUX4051 , TMUX4052 , TMUX4053
PRODUCTION DATA
NMOS トランジスタと PMOS トランジスタの間で容量の不一致がある場合、ゲート信号の立ち下がりエッジまたは立ち上がりエッジにおいて、ドレインまたはソースに電荷が注入されます。デバイスのソースまたはドレインに注入される電荷の量を電荷注入と呼び、QC という記号で表します。図 8-8 に、ソース (Sx) からドレイン (D) に向けた電荷注入の測定に使用する構成を示します。