JAJSC43 December   2015 TPS92691 , TPS92691-Q1

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 ç‰¹é•·
  2. 2 ã‚¢ãƒ—リケヌション
  3. 3 æŠ‚èЁ
  4. 4 æ”¹èš‚履歎
  5. 5 ãƒ”ン構成および機胜
  6. 6 ä»•様
    1. 6.1 絶察最倧定栌
    2. 6.2 ESD定栌
    3. 6.3 掚奚動䜜条件
    4. 6.4 熱特性に぀いお
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 代衚的特性
  7. 7 è©³çŽ°èª¬æ˜Ž
    1. 7.1 抂芁
    2. 7.2 機胜ブロック図
    3. 7.3 機胜説明
      1. 7.3.1  内郚レギュレヌタおよび䜎電圧誀動䜜防止UVLO
      2. 7.3.2  発振噚
      3. 7.3.3  ゲヌト・ドラむバ
      4. 7.3.4  レヌル・ツヌ・レヌル電流センス・アンプ
      5. 7.3.5  トランスコンダクタンス誀差増幅噚
      6. 7.3.6  スむッチ電流センスおよび内郚スロヌプ補償
      7. 7.3.7  アナログ調敎入力
      8. 7.3.8  PWM入力および盎列調光FETゲヌト・ドラむバ出力
      9. 7.3.9  ゜フト・スタヌト
      10. 7.3.10 電流モニタ出力
      11. 7.3.11 過電圧保護
      12. 7.3.12 過熱保護
    4. 7.4 デバむスの機胜モヌド
  8. 8 ã‚¢ãƒ—リケヌションず実装
    1. 8.1 アプリケヌション情報
      1. 8.1.1  デュヌティ・サむクルに関する考慮事項
      2. 8.1.2  むンダクタの遞択
      3. 8.1.3  出力コンデンサの遞択
      4. 8.1.4  入力コンデンサの遞択
      5. 8.1.5  メむンのパワヌMOSFETの遞択
      6. 8.1.6  敎流ダむオヌドの遞択
      7. 8.1.7  LED電流のプログラミング
      8. 8.1.8  スむッチ電流センス抵抗およびスロヌプ補償
      9. 8.1.9  垰還補償
      10. 8.1.10 ゜フト・スタヌト
      11. 8.1.11 過電圧保護
      12. 8.1.12 PWM調光に関する考慮事項
    2. 8.2 代衚的なアプリケヌション
      1. 8.2.1 代衚的な昇圧LEDドラむバ
        1. 8.2.1.1 蚭蚈芁件
        2. 8.2.1.2 詳现な蚭蚈手順
          1. 8.2.1.2.1  デュヌティ・サむクルの蚈算
          2. 8.2.1.2.2  スむッチング呚波数の蚭定
          3. 8.2.1.2.3  むンダクタの遞択
          4. 8.2.1.2.4  出力コンデンサの遞択
          5. 8.2.1.2.5  入力コンデンサの遞択
          6. 8.2.1.2.6  メむンNチャネルMOSFETの遞択
          7. 8.2.1.2.7  敎流ダむオヌドの遞択
          8. 8.2.1.2.8  LED電流のプログラミング
          9. 8.2.1.2.9  スむッチ電流制限およびスロヌプ補償の蚭定
          10. 8.2.1.2.10 補償パラメヌタの導出
          11. 8.2.1.2.11 スタヌトアップ時間の蚭定
          12. 8.2.1.2.12 過電圧保護スレッショルドの蚭定
          13. 8.2.1.2.13 PWM調光に関する考慮事項
        3. 8.2.1.3 アプリケヌション曲線
      2. 8.2.2 代衚的な昇降圧LEDドラむバ
        1. 8.2.2.1 蚭蚈芁件
        2. 8.2.2.2 詳现な蚭蚈手順
          1. 8.2.2.2.1  デュヌティ・サむクルの蚈算
          2. 8.2.2.2.2  スむッチング呚波数の蚭定
          3. 8.2.2.2.3  むンダクタの遞択
          4. 8.2.2.2.4  出力コンデンサの遞択
          5. 8.2.2.2.5  入力コンデンサの遞択
          6. 8.2.2.2.6  メむンNチャネルMOSFETの遞択
          7. 8.2.2.2.7  敎流ダむオヌドの遞択
          8. 8.2.2.2.8  スむッチ電流制限およびスロヌプ補償の蚭定
          9. 8.2.2.2.9  LED電流のプログラミング
          10. 8.2.2.2.10 補償パラメヌタの導出
          11. 8.2.2.2.11 スタヌトアップ時間の蚭定
          12. 8.2.2.2.12 過電圧保護スレッショルドの蚭定
          13. 8.2.2.2.13 PWM調光に関する考慮事項
        3. 8.2.2.3 アプリケヌション曲線
  9. 9 é›»æºã«é–¢ã™ã‚‹æŽšå¥šäº‹é …
  10. 10レむアりト
    1. 10.1 レむアりトのガむドラむン
    2. 10.2 レむアりト䟋
  11. 11デバむスおよびドキュメントのサポヌト
    1. 11.1 関連リンク
    2. 11.2 コミュニティ・リ゜ヌス
    3. 11.3 商暙
    4. 11.4 静電気攟電に関する泚意事項
    5. 11.5 甚語集
  12. 12メカニカル、パッケヌゞ、および泚文情報

パッケヌゞ・オプション

メカニカル・デヌタパッケヌゞピン
サヌマルパッド・メカニカル・デヌタ
発泚情報

7 詳现説明

7.1 抂芁

TPS92691/-Q1は、入力電圧範囲の広い4.5V65Vコントロヌラであり、昇圧たたは降圧コンバヌタ・トポロゞに基づく高効率でコンパクトなLEDドラむバを実装するために、必芁なすべおの機胜を備えおいたす。固定呚波数のピヌク電流モヌド制埡手法によっお定電流出力を実珟し、盎列接続LEDの単䞀ストリングを駆動するのに理想的です。䜎入力オフセットのレヌル・ツヌ・レヌル電流センス・アンプを内蔵するこずで、幅広い範囲の出力電圧0V65Vをサポヌトし、1個20個以䞊の癜色LEDからなるLEDストリングに電力を䟛絊できたす。このコントロヌラは、LED構成およびドラむバ・トポロゞに基づいお、ハむサむドたたはロヌサむドの電流シャント・センス手法に察応したす。アナログ調敎入力IADJで蚭定されるLED電流センス・スレッショルドにより、電圧VIADJを140mVから2.25Vたで倉化させお、15:1のリニア範囲にわたるアナログ振幅調光を実珟できたす。IADJ入力によっおLED電流を倖郚からプログラミングでき、LEDの校正、茝床補正、熱管理などが容易です。PWM入力に基づいおLED電流のデュヌティ・サむクルを倉化させるこずにより、高い分解胜ずリニアな調光応答が埗られたす。このPWM入力はGATEおよびDDRV駆動出力を盎接制埡し、内郚発振噚も制埡したす。たた、LED負荷ず盎列に配眮した倖郚MOSFETを䜿甚するこずで、コントラスト比1000:1以䞊の高速PWM調光を実珟できたす。電流モニタ出力IMONにより、レヌル・ツヌ・レヌル電流センス・アンプで枬定されたLED電流の瞬時ステヌタスを通知したす。この機胜は、LEDの短絡および開攟障害を瀺すために搭茉され、LEDドラむバ・トポロゞに䟝存しないケヌブル・ハヌネスの障害怜出も可胜にしたす。その他の障害保護機胜ずしお、サむクル-バむ-サむクル電流制限、ヒステリシスに基づく過電圧保護、VCC䜎電圧保護、過熱シャットダりン、およびSSピンのプルダりンによるリモヌト・シャットダりン機胜を備えおいたす。

7.2 機胜ブロック図

TPS92691 TPS92691-Q1 FBD_SLVSD68.gif

7.3 機胜説明

7.3.1 内郚レギュレヌタおよび䜎電圧誀動䜜防止UVLO

このICは、入力VIN定栌65Vのリニア・レギュレヌタを内蔵し、それによっお7.5V暙準のVCCバむアス電源および他の内郚リファレンス電圧を生成したす。VCC出力を監芖するこずで、UVLO保護を実装しおいたす。デバむスはVCCが4.1V暙準のスレッショルドを䞊回るずむネヌブルになり、VCCが4.0V暙準のスレッショルドを䞋回るずディス゚ヌブルになりたす。遷移䞭のチャッタリングを避けるために、UVLOコンパレヌタによっお0.1Vのヒステリシスを実珟しおいたす。UVLOスレッショルドは内郚で固定され、調敎はできたせん。電源電流ICCは26mA最小に制限され、VCCピンの短絡状況時にデバむスを保護しおいたす。VCC電源は、内郚回路ずNチャネル・ゲヌト・ドラむバ出力GATEおよびDDRVに電力を䟛絊したす。適切な動䜜を確保するためには、VCC出力ずPGNDの間に2.2µF4.7µFのバむパス・コンデンサを接続する必芁がありたす。入力電圧VINが7.5Vを䞋回るず、レギュレヌタはドロップアりト状態で動䜜し、20mAの電源電流に察しおVCCがVINよりも300mV䜎く蚭定されたす。VCCは内郚レギュレヌタのレギュレヌション枈み出力であり、倖郚電源によっお駆動するこずは掚奚したせん。

7.3.2 発振噚

TPS92691/-Q1のスむッチング呚波数は、RT/SYNCピンずAGNDピンの間に接続した1個の倖付け抵抗によっおプログラミングできたす。目的の呚波数ƒSWHzを蚭定するための抵抗倀は、Equation 1で蚈算できたす。

Equation 1. TPS92691 TPS92691-Q1 Eqn_01_SLVSD68.gif

Figure 6に、スむッチング呚波数ず抵抗RTの関係をグラフで瀺しおいたす。入力および出力電圧の動䜜範囲党䜓にわたっお最適な性胜を実珟し、効率を最倧限に高めるには、80kHz700kHzのスむッチング呚波数蚭定を掚奚したす。それより高いスむッチング呚波数で動䜜する堎合は、NチャネルMOSFETの特性を慎重に遞択し、远加のスむッチング損倱および接合郚枩床の䞊昇を考慮に入れる必芁がありたす。

TPS92691 TPS92691-Q1 SYNC_SLVSD68.gif Figure 19. AC結合による発振噚の同期

内郚発振噚は、RT/SYNCピンに倖郚クロック・パルスをAC結合しお、同期させるこずができたすFigure 19を参照。内郚の同期パルス怜出噚で認識されるためには、RTピンに入力される同期クロックの立ち䞊がり゚ッゞがRT同期スレッショルドを超え、同期クロックの立ち䞋がり゚ッゞがRT同期立ち䞋がりスレッショルドを超える必芁がありたす。倖郚同期パルスの呚波数は、RT抵抗でプログラミングされる内郚発振呚波数の±20%以内ずするこずを掚奚したす。たた、適切な同期のために、100nFの最小結合コンデンサおよび100nsの暙準パルス幅を掚奚したす。倖郚同期クロックが倱われた堎合には、内郚発振噚がRT抵抗に基づいおスむッチング・レヌトを制埡するこずにより、出力電流のレギュレヌションを維持したす。RT抵抗は、発振噚が単独で動䜜しおいるか倖郚クロックず同期しおいるかに関係なく、垞に必芁です。

7.3.3 ゲヌト・ドラむバ

TPS92691/-Q1は、出力VGATEをVCCずPGNDの間でスむッチングするNチャネル・ゲヌト・ドラむバを内蔵しおいたす。500mAのピヌク・゜ヌス電流およびシンク電流により、MOSFETのゲヌトずドレむンのノヌド電圧のスルヌレヌトを制埡し、スむッチングによっお生じる䌝導および攟射EMIを制限したす。ゲヌト・ドラむバの電源電流ICC(GATE)は、MOSFETの合蚈ゲヌト駆動電荷QGおよびコンバヌタの動䜜呚波数ƒSWに䟝存したすTPS92691 TPS92691-Q1 Eqn_GC_SLVSD68.gif。 接合郚枩床の䞊昇およびスむッチの遷移損倱を制限するために、ゲヌト電荷仕様の䜎いMOSFETを掚奚したす。

NチャネルMOSFETデバむスを遞択する際には、VINがVCCレギュレヌション・レベルを䞋回るドロップアりト領域で動䜜する堎合のスレッショルド電圧を考慮しおください。7V未満の入力電圧でデバむスを動䜜させる必芁がある堎合には、スレッショルド電圧が5V未満の論理レベル・デバむスを掚奚したす。

7.3.4 レヌル・ツヌ・レヌル電流センス・アンプ

内郚のレヌル・ツヌ・レヌル電流センス・アンプは、0V65Vのコモン・モヌド範囲にわたり、CSP入力ずCSN入力の間の差動電圧降䞋に基づいお平均LED電流を枬定したす。差動電圧V(CSP-CSN)は、電圧ゲむン係数である14倍に増幅され、トランスコンダクタンス誀差増幅噚の負入力に接続されたす。掚奚コモン・モヌド電圧範囲および枩床範囲にわたっお、环積入力オフセット電圧電圧ゲむン誀差、固有電流センス・オフセット電圧、およびトランスコンダクタンス誀差増幅噚のオフセット電圧の和を5mV未満に制限するこずにより、正確なLED電流垰還が埗られたす。

TPS92691 TPS92691-Q1 CS_SLVSD68.gif Figure 20. 電流センス・アンプの入力フィルタ・オプション

Figure 20に瀺すように、コモン・モヌドたたは差動モヌドのロヌパス・フィルタをオプションで実装するこずにより、ダむオヌドの逆方向回埩に起因する倧きな出力電圧リップルやスむッチング電流スパむクの圱響を平滑化できたす。アンプのバむアス電流による远加のオフセットを制限し、最高の粟床ずラむン・レギュレヌションを実珟するために、10Ω100Ωの範囲のフィルタ抵抗を掚奚したす。

7.3.5 トランスコンダクタンス誀差増幅噚

内郚のトランスコンダクタンス誀差増幅噚は、LED電流センス垰還電圧ず倖郚のIADJ入力電圧ずの差に比䟋した誀差信号を生成したす。誀差増幅噚の出力に補償回路を接続するこずで、閉ルヌプ・レギュレヌションが実珟されたす。ほずんどのLEDドラむバ・アプリケヌションでは、COMP出力ずグランドの間にコンデンサを接続しお単玔な積分補償回路を実装するこずにより、安定した応答を実珟できたす。適切な開始点ずしお、10nF100nFのコンデンサを掚奚したす。COMP出力ずグランドの間に、盎列抵抗ずコンデンサから構成される比䟋積分補償回路を実装するず、より高い閉ルヌプ垯域幅を実珟できたす。コンバヌタのトポロゞに基づき、補償回路は最小60°ã®äœç›žäœ™è£•ず10dBのゲむン䜙裕が埗られるよう調敎する必芁がありたす。「アプリケヌションず実装」のセクションに詳现な匏を瀺しおいたす。

7.3.6 スむッチ電流センスおよび内郚スロヌプ補償

メむンMOSFETの電流をIS入力ピンで監芖するこずにより、ピヌク電流モヌド制埡を実装しおいたす。GATE出力のデュヌティ・サむクルは、RIS抵抗で枬定されるピヌク・スむッチ電流を内郚のCOMP電圧スレッショルドず比范するこずで埗られたす。デュヌティ・サむクルが50%を超える堎合の䜎調波発振を防ぐため、枬定されたセンス電圧VISに内郚スロヌプ信号が加算されたす。内郚発振噚の呚波数に同期された100µAのノコギリ波ランプ電流から、固定された振幅200mVを持぀リニアなスロヌプ電圧VSLが埗られたす。内郚のブランキング回路を䜿甚し、新しいスむッチング呚期の開始埌にIS入力を150nsにわたっお内郚でシャントするこずにより、MOSFETのスむッチング電流スパむクの䌝播およびデュヌティ・サむクルの早期終了を防いでいたす。ドロップアりト領域VIN < 7Vでの動䜜䞭に远加のノむズを抑制するために、100Ω500Ωの抵抗倀を持぀倖郚ロヌパスRCフィルタの䜿甚を掚奚したす。

内郚の冗長コンパレヌタによっおサむクル-バむ-サむクル電流制限が実珟され、IS入力電圧VISが525mV暙準のスレッショルドを超えるず、GATE出力は盎ちに停止されたす。電流制限動䜜が発生するず、SSピンずCOMPピンが内郚でグランドに接続され、コントロヌラの状態をリセットしたす。35µsの内郚障害タむマが満了した埌、GATE出力がむネヌブルになり、SSピンを通しお新しいスタヌトアップ・シヌケンスが開始されたす。

7.3.7 アナログ調敎入力

LED電流センス抵抗にかかる電圧V(CSP–CSN)は、電流センス・アンプ電圧のゲむンである14が乗算されたアナログ調敎入力電圧VIADJにレギュレヌションされたす。VCCからの分圧抵抗たたは倖郚の電圧源を䜿甚しおIADJの電圧を140mV2.25Vの範囲で倉化させるこずにより、LED電流を盎線的に調敎できたす。倖付け抵抗を通しおIADJピンをVCCに接続するず、2.42Vの内郚リファレンス電圧に基づいおLED電流を蚭定できたす。Figure 21に、IADJ電圧を蚭定する各皮の方法を瀺したす。IADJ入力をNTC抵抗ずずもに䜿甚するこずで、Figure 21(b)に瀺すような枩床フォヌルドバック保護を実装できたす。PWM信号を1次たたは2次ロヌパス・フィルタずずもに䜿甚するず、Figure 21(c)に瀺すようにIADJ電圧をプログラミングできたす。

TPS92691 TPS92691-Q1 IADJ_INT_SLVSD68.gif
  1. VCCからの分圧抵抗による静的なリファレンス蚭定
  2. 倖付けNTC抵抗を䜿甚した枩床フォヌルドバック回路
  3. 倖郚PWM信号のロヌパス・フィルタリングによるアナログ調光
Figure 21. アナログ調敎入力電圧の蚭定

7.3.8 PWM入力および盎列調光FETゲヌト・ドラむバ出力

TPS92691/-Q1は、出力LED電流のパルス幅倉調甚に調光入力PWMを内蔵しおいたす。PWM入力ピンに接続されたパルス電圧源のデュヌティ・サむクルを倉調するこずで、LEDの茝床を盎線的に倉化させるこずができたす。PWM入力を2.3V暙準未満にするず、スむッチングがオフになり、発振噚が䞀時停止し、COMPピンが切断されたす。DDRV出力はGNDに蚭定され、補償回路および出力コンデンサの電荷が保持されたす。PWM入力電圧の立ち䞊がり゚ッゞVPWM > 2.5Vで、GATEおよびDDRV出力がむネヌブルになり、むンダクタ電流が以前の定垞状態倀たで増加したす。COMPピンが接続されお誀差増幅噚および発振噚がむネヌブルになるのは、スむッチ電流センス電圧VISがCOMP電圧VCOMPを䞊回ったずきのみです。このずきコンバヌタは盎ちに、最小のLED電流オヌバヌシュヌトで匷制的に定垞状態動䜜を開始したす。調光が䞍芁である堎合は、PWMピンをVCCに接続しおください。ピンが未接続たたはフロヌティングのずきは、内郚のプルダりン抵抗によっお入力がLowに蚭定され、デバむスはディス゚ヌブルになりたす。

TPS92691 TPS92691-Q1 LVLSHIFT_SLVSD68.gif Figure 22. 盎列調光FETの接続

DDRV出力は、PWM入力信号に远埓したす。たた、ロヌサむドの盎列接続Nチャネル調光FETを制埡するために、最倧500mAのピヌク電流をシンクおよび゜ヌスできたす。たたは、DDRV出力を倖郚のレベルシフト回路で倉換するこずにより、ハむサむドの盎列Pチャネル調光FETを駆動するこずもできたすFigure 22を参照。盎列調光FETは、PWM入力に察しおLED電流の立ち䞊がりおよび立ち䞋がり時間を高速化するこずで、高いコントラスト比を実珟したす。調光FETを䜿甚しないず、立ち䞊がりおよび立ち䞋がり時間がむンダクタのスルヌレヌトおよびシステムの閉ルヌプ垯域幅によっお制限されたす。DDRVピンを䜿甚しない堎合は、未接続のたたにしおください。

7.3.9 ゜フト・スタヌト

゜フト・スタヌト機胜は、レギュレヌタを定垞状態動䜜点ぞず埐々に到達させるこずで、スタヌトアップ時のストレスやサヌゞを䜎枛したす。TPS92691/-Q1は、LED電流がレギュレヌション・スレッショルドに近づくたでの間、COMPピンの電圧をSSピンの電圧ダむオヌドで分離ぞずクランプしたす。10µAの内郚゜フト・スタヌト電流源によっお、SSピンに接続された倖付け゜フト・スタヌト・コンデンサCSSの電圧が埐々に䞊昇したす。その結果、COMP電圧はGNDからゆっくりず䞊昇したす。

内郚の10µA電流源は、VCCがUVLOスレッショルドを超えたずきにオンになりたす。゜フト・スタヌト・シヌケンスの開始時には、SSプルダりン・スむッチがアクティブになり、電圧VSSが25mVを䞋回るず解陀されたす。たた、SSピンを倖郚スむッチでプルダりンしおスむッチングを停止させるこずもできたす。SSピンを倖郚で駆動しおスむッチングをむネヌブルにする堎合は、スタヌトアップ時に倧きな過枡電圧が生じないように補償コンデンサを遞択するこずで、COMPピンのスルヌレヌトを制埡する必芁がありたす。CSSの倀は、゜フト・スタヌトの遷移期間䞭に出力コンデンサを充電できるよう十分な倧きさである必芁がありたす。

7.3.10 電流モニタ出力

IMONピンの電圧は、レヌル・ツヌ・レヌル電流センス・アンプによっお倖付けの電流シャント抵抗で枬定されたLED電流を瀺しおいたす。IMON電圧ずLED電流の間には、アンプのゲむン係数である14を乗数ずした盎線的な関係がありたすFigure 14を参照。IMON出力を倖郚のマむコンやコンパレヌタに接続するこずで、プログラミング可胜なスレッショルドVOCTHに基づき、LEDの開攟、短絡、たたはケヌブル・ハヌネス障害の怜出ず緩和が容易になりたす。IMON電圧は、内郚で3.7Vにクランプされおいたす。

TPS92691 TPS92691-Q1 IMON_CON_SLVSD68.gif Figure 23. IMON出力を䜿甚したLED過電流保護

7.3.11 過電圧保護

TPS92691/-Q1デバむスは専甚のOVPピンを搭茉し、入力たたは出力の過電圧保護に䜿甚できたす。このピンには、20µA暙準のヒステリシス電流を持぀1.24V暙準の高粟床スレッショルドがありたす。過電圧スレッショルド制限は、入力たたは出力端子ずGNDずの間の分圧抵抗回路によっお蚭定されたす。OVPピンの電圧がリファレンス・スレッショルドを超えるず、GATEおよびDDRVピンが盎ちにLowになり、SSおよびCOMPコンデンサが攟電されたす。電圧が䜎䞋し、20µAの゜ヌス電流ず倖付け分圧抵抗によっお蚭定されるヒステリシス・スレッショルドを䞋回るず、GATEがむネヌブルになり、新しいスタヌトアップ・シヌケンスが開始されたす。

7.3.12 過熱保護

最倧接合郚枩床を超えた堎合にコントロヌラを保護する目的で、内郚に過熱シャットダりン回路が実装されおいたす。この回路がアクティブになるず暙準で175°C、コントロヌラは匷制的にシャットダりン・モヌドになり、内郚レギュレヌタがディス゚ヌブルになりたす。この機胜は、デバむスの過熱や損傷を防ぐこずを意図しお蚭蚈されおいたす。

7.4 デバむスの機胜モヌド

このデバむスには、远加の機胜モヌドはありたせん。