JAJSGT5J NOVEMBER   2006  – January 2019 TS3USB221

PRODUCTION DATA.  

  1. 特長
  2. アプリケーション
  3. 概要
    1.     Device Images
      1.      ブロック図
      2.      概略回路図、各 FET スイッチ (SW)
  4. 改訂履歴
  5. Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  6. Specifications
    1. 6.1  Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2  ESD Ratings
    3. 6.3  Recommended Operating Conditions
    4. 6.4  Thermal Information
    5. 6.5  Electrical Characteristics
    6. 6.6  Dynamic Electrical Characteristics, VCC = 3.3 V ± 10%
    7. 6.7  Dynamic Electrical Characteristics, VCC = 2.5 V ± 10%
    8. 6.8  Switching Characteristics, VCC = 3.3 V ± 10%
    9. 6.9  Switching Characteristics, VCC = 2.5 V ± 10%
    10. 6.10 Typical Characteristics
  7. Parameter Measurement Information
  8. Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Low Power Mode
    4. 8.4 Device Functional Modes
  9. Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
      3. 9.2.3 Application Curves
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Example
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 ドキュメントのサポート
      1. 12.1.1 関連資料
    2. 12.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 12.3 コミュニティ・リソース
    4. 12.4 商標
    5. 12.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 12.6 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

特長

  • 2.3V および 3.6V の VCC で動作
  • VI/O は最大 5.5V 振幅の信号に対応
  • 1.8V 互換の制御ピン入力
  • OE がディセーブルのとき低消費電力モード (1μA)
  • rON = 6Ω (最大値)
  • ΔrON = 0.2Ω (標準値)
  • Cio(ON) = 6pF (最大値)
  • 低消費電力:最大値 30µA
  • 人体モデル (HBM) で 2000V 超の ESD
  • 高帯域幅:1.1GHz (標準値)