JAJSW85 February 2025 TUSB1146-Q1
PRODUCTION DATA
TUSB1146-Q1 を静電放電 (ESD) から保護するために、ESD 部品を内蔵する必要がある場合があります。TI は、表 8-2 に示す ESD 保護に関する推奨事項に従うことを推奨します。クランプ電圧が 表 8-2 に規定されている値よりも大きい場合、各差動ピンに RESD 接続する必要がある場合があります。ESD 部品を USB コネクタの近くに配置します。
| パラメータ | 推奨事項 |
|---|---|
| ブレークダウン電圧 | ≥ 3.5V |
| I/O 容量 | 最大 5Gbps のデータ レート:≤ 0.50pF |
| 5Gbps を超えるデータ レート:≤ 0.35pF | |
| P および N の I/Oピン間での容量の差 | ≤ 0.07pF |
| 8A IPP IO から GND へのクランプ電圧 (1) | ≤ 4.5V |
| 標準的な動的抵抗 | ≤ 30mΩ |
| メーカー | 部品番号 | IEC 61000-4-2 接触 ±8kV をサポートする RESD |
|---|---|---|
| Nexperia | PUSB3FR4 | 1 Ω |
| Nexperia | PESD2V8Y1BSF | 1 Ω |
| テキサス・インスツルメンツ | TPD1E04U04DPLR | 2 Ω |
| テキサス・インスツルメンツ | TPD4E02B04DQAR | 2 Ω |