JAJSKX3A December 2020 – May 2022 UCC27289
PRODUCTION DATA
UCC27289 の推奨バイアス電源電圧範囲は、8V～16V です。この範囲の下限は、VDD 電源回路ブロックの内部低電圧誤動作防止 (UVLO) 保護機能 (標準値 7.0V) によって決まります。この範囲の上限は、VVDD の推奨最大電圧定格である 16V によって決まります。VDD ピンの電圧は、推奨最大電圧よりも低くすることを推奨します。
UVLO 保護機能は、ヒステリシス機能も備えています。これは、デバイスが通常モードで動作し始めた後にVDD 電圧が低下した場合、電圧の低下がヒステリシス仕様値 VDDHYS を超えない限り、デバイスは通常モードで動作を継続することを意味します。電圧の低下がヒステリシスの仕様値を超える場合、デバイスはシャットダウンします。したがって、8V またはそれに近い範囲の電圧で動作 しているときは、デバイスのシャットダウンがトリガされないように、補助電源出力の電圧リップルを UCC27289 のヒステリシス仕様値よりも小さくする必要があります。
UCC27289 には、EN ピンによるイネーブル / ディセーブル機能があります。したがって、EN ピンの信号はできるだけクリーンにする必要があります。EN ピンを使用しない場合は、ピンを VDD ピンに接続することを推奨します。抵抗を介してEN ピンをプルアップする場合、プルアップ抵抗を強くする必要があります。ノイズが発生しやすいアプリケーションでは、X7R 0402 1nF などの小型コンデンサを使用してEN ピンをフィルタすることを推奨します。
同様に、VDD ピンと GND ピンの間にもバイパス・コンデンサを配置する必要があります。このコンデンサは、デバイスにできる限り近づけて配置する必要があります。低 ESR の表面実装型セラミック・コンデンサを推奨します。VDD と GND の間に 2 つのコンデンサを使用することを推奨します。1 つは小容量のセラミック表面実装コンデンサで、高周波フィルタリングのために VDD と GND ピンのすぐ近くに配置します。もう 1 つはデバイスのバイアス要件に対応する大容量の表面実装コンデンサです。同様に、HO ピンから供給される電流パルスは HB ピンから電源を得ています。したがって、HB と HS の間に 2 個のコンデンサを推奨します。1 つは高周波フィルタ用の小容量小型コンデンサで、もう 1 つは HO パルスを供給するための大容量コンデンサです。
ノイズが非常に支配的で、PWB (プリント配線基板) にスペースがあるアプリケーションでは、小さな RC フィルタを入力に配置することを推奨します。これにより、設計全体の性能を向上できます。このようなアプリケーションでは、パワー MOSFET の外部ゲート抵抗用のプレースホルダも使用することをお勧めします。この抵抗を使用すると、駆動能力だけでなく、HS のスルーレートも制御でき、ハイサイド回路の性能に影響を及ぼします。外部ゲート抵抗の両端にダイオードを設ける場合は、ダイオードと直列に抵抗を使用することを推奨します。これにより、立ち下がり時間をさらに制御できます。
モーター・ドライブなどの電源アプリケーションでは、システム全体にわたって多くの過渡現象が存在します。この結果、ゲート・ドライバ・デバイスのほぼすべてのピンで過電圧および低電圧スパイクが発生することがあります。設計の堅牢性を高めるため、HO および LO ピンにクランプ・ダイオードを使用することを推奨します。パワー MOSFET の寄生ダイオードを使用したくない場合は、HS ピンに外部クランプ・ダイオードを付けることを推奨します。このダイオードは、高電圧大電流タイプ (MOSFETと同じ定格) で、非常に高速な動作を必要とします。これらのダイオードの温度範囲全体でのリークは、最小限に抑える必要があります。
過大な負の HS 電圧が発生することがほぼ確実である電源アプリケーションでは、HS ピンとスイッチ・ノードの間に小さな抵抗を配置することを推奨します。この抵抗は、ドライバ・デバイスへの電流をある程度制限するのに役立ちます。この抵抗は、ハイサイド・ドライブ能力に影響を与えるため、慎重に検討する必要があります。