2 フォトリレーを高電圧アナログ スイッチに置き換える際のパラメータに関する考慮事項

フォトリレーからアナログ スイッチへの移行を行う際は、仕様面から互換性や機能性を考慮する必要があります。このプロセスの重要なステップは、フォトリレー データ シートの主なパラメータである絶縁電圧 (V_iso) およびスイッチ電圧 (多くの場合 V_switch または OFF 状態の出力端子電圧) を検討することです。V_iso は、誘電体が破壊される前のフォトリレーの LED 入力と MOSFET 出力の間の最大電圧を表します。逆に、V_switch はフォトリレー出力がスイッチ全体で処理できる最大電圧です。データ シート間で命名規則が異なる場合がありますが、図 2-1 は、仕様と、仕様の定義に使用される電圧差の位置との関係を示しています。

図 2-1 フォトリレー向けの高電圧アナログ マルチプレクサの置き換え

フォトリレーを置き換えるアナログ スイッチを検討する場合に、スイッチのデータ シートで比較する重要なパラメータはアナログ I/O 電圧です。アナログ I/O の電圧定格がフォトモスの V_switch 定格に制限されている場合、ほとんどの場合、アナログ スイッチまたはマルチプレクサはフォトモス リレーの実用的な代替品となります。スイッチの電源は依然として最大スイッチ電圧を包含する必要があることに注意してください (たとえば、200V のアナログ I/O 電圧には 200V の電源が必要な場合があります)。例外は、フォトリレー入力グランド (LED 側) が出力 (MOSFET 側) グランドと共有されていない場合です。このような場合、アナログ スイッチに印加される電圧が最大条件を超える場合があり、損傷する可能性があります。さらに、GPIO 入力がシフトすると、スイッチの V_IH/V_IL 制御レベルとの不整合が発生する可能性があります。