これらの式で推測できるように、充電電流が小さい場合、スイッチング損失が支配的になります。電流が増加すると、導通損失も増加し、導通損失もこの式の支配的な損失項となります。効率的な FET を選択するには、充電器のスイッチング周波数と平均充電電流に依存します。

また、スイッチ ノードの容量を、次のように制限することを推奨します。

V_IN が 60V の場合、スイッチノードの合計容量 (C_sw) は 2.67nF 未満にすることを推奨します。これによりスイッチング損失を低減でき、適切なデバイス機能を実現するための要件となります。

参照しやすいように、R_on および R_off という BQ2575X のゲート ドライバ抵抗とデッド タイム (t_{dead_time)}をに表 2-1示します。デッド タイムは 45ns、75ns、105ns、135ns に調整できます。