JAJA974 August   2025 LM2904B

 

  1.   1
  2.   概要
  3.   商標
  4. 1はじめに
  5. 2ESD の概要
    1. 2.1 静電気放電とは？
      1. 2.1.1 半導体の ESD セルの堅牢性
  6. 3ESD セルのタイプ
    1. 3.1 デュアル ダイオード構成
      1. 3.1.1 必ずしもデュアル ダイオード構成を使用しないのはなぜですか？
    2. 3.2 ブートストラップ ダイオード
    3. 3.3 吸収デバイス
      1. 3.3.1 アクティブ クランプ
      2. 3.3.2 GCNMOS クランプ
    4. 3.4 シリコン制御整流器
    5. 3.5 CER ダイオードと ECR の NPN ダイオード
      1. 3.5.1 ECR および CER ESD セルの応答の測定
    6. 3.6 複数の ESD セルの比較
  7. 4データシートからデバイスの ESD 構造を決定する方法
  8. 5回路 ESD/EOS イベントからシステムを保護する方法
    1. 5.1 TVS ダイオードと直列抵抗を使用して、回路を保護する
    2. 5.2 ショットキー ダイオードを使用した回路保護
  9. 6システム レベルの回路でオペ アンプをテストする方法
    1. 6.1 長年にわたる ESD 保護セルの進歩
  10. 7まとめ
  11. 8参考資料

2.1 静電気放電とは？

静電気放電 (ESD) は、電荷の不均衡がある2つのアイテムが近くに持ち込まれると発生します。2 つの物体の間に突然の電気の流れがあり、これは ESD と呼ばれます。特に絶縁体は大きな静電荷を発生させる傾向があります。

ESD は、半導体が損傷する最も一般的な方法です。ESD が発生する可能性のある電圧に注目すると、ESD 放電と人間の認識の間に大きなギャップが存在していることがわかります。一部の IC は 10V で損傷を受けることがありますが、3500V まで放電を感じることさえできません。CMOS とオペ アンプは、人間が感じる可能性のあるスレッショルドより低い電圧スレッショルドで損傷を受けやすくなっています。そのため、ESD イベントが発生していることを知らなくても、半導体を損傷する可能性があります。静電気放電は、人間の取り扱い、または機械との接触によって発生します。そのため、アプリケーションを使用する前に、デバイスの損傷を防止することが重要です。