JAJA974 August   2025 LM2904B

 

  1.   1
  2.   概要
  3.   商標
  4. 1はじめに
  5. 2ESD の概要
    1. 2.1 静電気放電とは？
      1. 2.1.1 半導体の ESD セルの堅牢性
  6. 3ESD セルのタイプ
    1. 3.1 デュアル ダイオード構成
      1. 3.1.1 必ずしもデュアル ダイオード構成を使用しないのはなぜですか？
    2. 3.2 ブートストラップ ダイオード
    3. 3.3 吸収デバイス
      1. 3.3.1 アクティブ クランプ
      2. 3.3.2 GCNMOS クランプ
    4. 3.4 シリコン制御整流器
    5. 3.5 CER ダイオードと ECR の NPN ダイオード
      1. 3.5.1 ECR および CER ESD セルの応答の測定
    6. 3.6 複数の ESD セルの比較
  7. 4データシートからデバイスの ESD 構造を決定する方法
  8. 5回路 ESD/EOS イベントからシステムを保護する方法
    1. 5.1 TVS ダイオードと直列抵抗を使用して、回路を保護する
    2. 5.2 ショットキー ダイオードを使用した回路保護
  9. 6システム レベルの回路でオペ アンプをテストする方法
    1. 6.1 長年にわたる ESD 保護セルの進歩
  10. 7まとめ
  11. 8参考資料

3.6 複数の ESD セルの比較

全体として、特定のオペ アンプの ESD セルの設計には多くの要因が関係します。オペ アンプを設計するときに各構造のトレードオフを考慮してください。以下に、さまざまな種類の ESD クランプの IV 曲線を示し、適切な ESD 保護構造を選択する際のアプリケーションの重要性を強調します。

ESD クランプの比較図 3-12 ESD クランプの比較