JAJSBW5H November   2011  – September 2025 UCC27211

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報
    5. 5.5 電気的特性
    6. 5.6 スイッチング特性
    7. 5.7 タイミング図
    8. 5.8 代表的特性
  7. 6 詳細説明
    1. 6.1 概要
    2. 6.2 機能ブロック図
    3. 6.3 機能説明
      1. 6.3.1 入力段
      2. 6.3.2 低電圧誤動作防止 (UVLO)
      3. 6.3.3 レベル シフト
      4. 6.3.4 ブート ダイオード
      5. 6.3.5 出力段
    4. 6.4 デバイスの機能モード
  8. 7 アプリケーションと実装
    1. 7.1 アプリケーション情報
    2. 7.2 代表的なアプリケーション
      1. 7.2.1 設計要件
      2. 7.2.2 詳細な設計手順
        1. 7.2.2.1 入力スレッショルドのタイプ
        2. 7.2.2.2 VDD バイアス電源電圧
        3. 7.2.2.3 ソースおよびシンク ピーク電流
        4. 7.2.2.4 伝搬遅延
        5. 7.2.2.5 消費電力
      3. 7.2.3 アプリケーション曲線
    3. 7.3 電源に関する推奨事項
    4. 7.4 レイアウト
      1. 7.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 7.4.2 レイアウト例
      3. 7.4.3 熱に関する注意事項
  9. 8 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 8.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
    2. 8.2 ドキュメントのサポート
      1. 8.2.1 関連資料
    3. 8.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 8.4 サポート・リソース
    5. 8.5 商標
    6. 8.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 8.7 用語集
  10. 9 改訂履歴
  11. 10メカニカル、パッケージ、および注文情報

5.4 熱に関する情報

熱評価基準(1) UCC27211 単位
D (SOIC) DDA (PowerPad™ SOIC) DRM (VSON) DPR (WSON)
8 ピン 8 ピン 8 ピン 10 ピン
RθJA 接合部から周囲への熱抵抗 112.5 44.8 46.2 46.1 ℃/W
RθJC(top) 接合部からケース (上面) への熱抵抗 52.1 68.5 41.1 36.7 ℃/W
RθJB 接合部から基板への熱抵抗 59.6 20 21.3 22.1 ℃/W
ψJT 接合部から上面への特性パラメータ 7 6.9 1.3 0.9 ℃/W
ψJB 接合部から基板への特性パラメータ 58.7 20 21.2 22 ℃/W
RθJC(bot) 接合部からケース (底面) への熱抵抗 - 8.4 9.1 9 ℃/W
(1) 従来および新しい熱評価基準値の詳細については、アプリケーション レポート『半導体およびICパッケージの熱評価基準値』、SPRA953を参照してください。