JAJSD94F April   2017  – February 2022 DRV5032

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 デバイスの比較
  6. 6 ピン構成と機能
  7. 7 仕様
    1. 7.1 絶対最大定格
    2. 7.2 ESD 定格
    3. 7.3 推奨動作条件
    4. 7.4 熱に関する情報
    5. 7.5 電気的特性
    6. 7.6 磁気特性
    7. 7.7 代表的特性
  8. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 磁束の方向
      2. 8.3.2 デバイス・バージョンの比較
        1. 8.3.2.1 磁気スレッショルド
        2. 8.3.2.2 磁気応答
        3. 8.3.2.3 出力方式
        4. 8.3.2.4 サンプリング・レート
      3. 8.3.3 ホール素子の位置
    4. 8.4 デバイスの機能モード
  9. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
      1. 9.1.1 出力タイプのトレードオフ
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 汎用磁気センシング
        1. 9.2.1.1 設計要件
        2. 9.2.1.2 詳細な設計手順
        3. 9.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 9.2.2 3 ポジション・スイッチ
        1. 9.2.2.1 設計要件
        2. 9.2.2.2 詳細な設計手順
        3. 9.2.2.3 アプリケーション曲線
    3. 9.3 推奨事項と禁止事項
  10. 10電源に関する推奨事項
  11. 11レイアウト
    1. 11.1 レイアウトのガイドライン
    2. 11.2 レイアウト例
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 ドキュメントのサポート
      1. 12.1.1 関連資料
    2. 12.2 Receiving Notification of Documentation Updates
    3. 12.3 サポート・リソース
    4. 12.4 商標
    5. 12.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 12.6 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

7.4 熱に関する情報

熱評価基準 (1)DRV5032単位
DBZ (SOT-23)DMR (X2SON)LPG (TO-92)
3 ピン4 ピン3 ピン
RθJA接合部から周囲への熱抵抗356159183.1℃/W
RθJC(top)接合部からケース (上面) への熱抵抗1287774.2℃/W
RθJB接合部から基板への熱抵抗94102158.8℃/W
ψJT接合部から上面への熱特性パラメータ11.40.915.2℃/W
ψJB接合部から基板への熱特性パラメータ92100158.8℃/W
(1) 従来および最新の熱評価基準の詳細については、『半導体および IC パッケージの熱評価基準』アプリケーション・レポートを参照してください。