JAJSDE9B June 2017 – July 2024 UCC27212
PRODUCTION DATA
| ピン | I/O | 説明 | |
|---|---|---|---|
| 番号 | 名称 | ||
| 2 | HB | P | ハイサイド ブートストラップ電源。ブートストラップ ダイオードはオンチップですが、外部ブートストラップ コンデンサが必要です。ブートストラップ コンデンサの正側をこのピンに接続します。HB バイパス コンデンサの標準範囲は 0.022µF〜0.1µF です。 |
| 7 | HI | I | ハイサイド入力。(2) |
| 3 | HO | O | ハイサイド出力。ハイサイド パワー MOSFET のゲートに接続します。 |
| 4 | HS | P | ハイサイド ソース接続。ハイサイド パワー MOSFET のソースに接続します。ブートストラップ コンデンサの負側をこのピンに接続します。 |
| 8 | LI | I | ローサイド入力。(2) |
| 10 | LO | O | ローサイド出力。ローサイド パワー MOSFET のゲートに接続します。 |
| 5 | 接続なし | — | 内部接続なし |
| 6 | 接続なし | — | 内部接続なし |
| パッド | PowerPAD™(3) | G | VSS (GND) が電気的基準。熱性能を向上させるため、大きな熱質量パターンまたは GND プレーンに接続します。 |
| 1 | VDD | P | ローサイド ゲート ドライバへの正電源。このピンを VSS (GND) にデカップリングします。デカップリング コンデンサの標準範囲は 0.22µF〜4.7µF です ((1) を参照)。 |
| 9 | VSS | G | デバイスの負電源端子で、通常は接地されています。 |