| 熱評価基準(1) |
°C/W(2)(3) |
| RΘJC |
接合部とケースとの間 |
2.6 |
| RΘJB |
接合部と基板との間 |
7.5 |
| RΘJA |
接合部と自由空気との間 |
20.3 |
| RΘJMA |
接合部と空気流との間 |
N/A(4) |
| PsiJT |
接合部とパッケージ上面との間 |
0.9 |
| PsiJB |
接合部と基板との間 |
7.3 |
(2) °C/W = 摂氏温度 / ワット。
(3) これらの値は、JEDEC により定義された 2S2P システム (JEDEC 定義の 1S0P システムによる θ JC [RΘ
JC] 値を除く) に基づいており、周囲環境とアプリケーションによって変化します。詳細については、以下の EIA/JEDEC 規格を参照してください。
- JESD51-2、『IC の熱テスト手法の環境条件 - 自然対流 (静止空気)』
- JESD51-3、『リード付き表面実装パッケージ用の有効熱伝導率の低いテスト基板』
- JESD51-7、『リード付き表面実装パッケージ用の有効熱伝導率の高いテスト基板』
- JESD51-9、『エリア アレイ表面実装パッケージの熱測定用テスト基板』
。
(4) N/A = 該当なし。このデバイスのヒートシンク。