JAJSR62A September 2023 – May 2024 LMG3522R050 , LMG3526R050
PRODUCTION DATA
オフ状態のFETは、電流を一方向にブロックし（第1象限）、対応するダイオードのような電圧降下を伴う電流を他の方向（第3象限）に流すことで、ダイオードのように動作します。ただし、FETは、非常に小さい電圧降下でオン状態で第3象限の電流を伝導することもできます。最適ダイオード・モード（IDM）とは、オフ状態に移行することで第1象限の電流をブロックするようFETを制御し、オン状態に移行して第3象限の電流を伝導することで、最適な低い電圧降下を実現します。
FETオフ状態の第3象限電流は、通常状態とフォルト状態の両方で、パワー・コンバータで一般的に見られます。GaN FETのoperation定義で説明しているように、GaN FETには、オフ状態の第3象限電流を導通するための固有のp-n接合ボディ・ダイオードはありません。代わりに、LMG352xR050のオフ状態の第3象限の電圧降下は、p-n接合部の電圧降下の数倍になります。このため、通常動作時の効率と、故障条件でのデバイスの耐久性に影響を及ぼす可能性があります。
GaN FET過熱故障状況でのデバイスの耐久性を高めるため、LMG352xR050デバイスには過熱シャットダウン保護に記載されているように、GaN FET過熱シャットダウン最適ダイオードモード（OTSD-IDM）機能が実装されています。OTSD-IDM機能については、次のセクションで詳細に説明します。