JAJSRV0A June   2024  – May 2025 ADS8681W , ADS8685W , ADS8689W

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報
    5. 5.5 電気的特性
    6. 5.6 タイミング要件
    7. 5.7 スイッチング特性
    8. 5.8 タイミング図
    9. 5.9 代表的特性
  7. 6 詳細説明
    1. 6.1 概要
    2. 6.2 機能ブロック図
    3. 6.3 機能説明
      1. 6.3.1 アナログ入力構造
      2. 6.3.2 アナログ入力インピーダンス
      3. 6.3.3 入力保護回路
      4. 6.3.4 プログラマブル ゲイン アンプ (PGA)
      5. 6.3.5 2 次ローパス フィルタ (LPF)
      6. 6.3.6 ADC ドライバ
      7. 6.3.7 リファレンス
        1. 6.3.7.1 内部リファレンス
        2. 6.3.7.2 外部リファレンス
      8. 6.3.8 ADC の伝達関数
      9. 6.3.9 アラーム機能
        1. 6.3.9.1 入力アラーム
        2. 6.3.9.2 AVDD アラーム
    4. 6.4 デバイスの機能モード
      1. 6.4.1 ホスト / デバイス間の接続トポロジ
        1. 6.4.1.1 シングル デバイス：すべての multiSPI オプション
        2. 6.4.1.2 シングル デバイス：標準 SPI インターフェイス
        3. 6.4.1.3 複数のデバイス：デイジーチェーン トポロジ
      2. 6.4.2 デバイスの動作モード
        1. 6.4.2.1 RESET 状態
        2. 6.4.2.2 ACQ 状態
        3. 6.4.2.3 CONV 状態
    5. 6.5 プログラミング
      1. 6.5.1 データ転送フレーム
      2. 6.5.2 入力コマンド ワードおよびレジスタ書き込み動作
      3. 6.5.3 出力データ ワード
      4. 6.5.4 データ転送プロトコル
        1. 6.5.4.1 デバイス構成のプロトコル
        2. 6.5.4.2 デバイスからの読み取りのプロトコル
          1. 6.5.4.2.1 シングル SDO-x のレガシー SPI 互換 (SYS-xy-S) プロトコル
          2. 6.5.4.2.2 デュアル SDO-x のレガシー SPI 互換 (SYS-xy-S) プロトコル
          3. 6.5.4.2.3 ソース同期 (SRC) プロトコル
            1. 6.5.4.2.3.1 出力クロック ソースのオプション
            2. 6.5.4.2.3.2 出力バス幅のオプション
  8. 7 レジスタ マップ
    1. 7.1 デバイス構成およびレジスタ マップ
      1. 7.1.1 DEVICE_ID_REG レジスタ (アドレス = 00h)
      2. 7.1.2 RST_PWRCTL_REG レジスタ (アドレス = 04h)
      3. 7.1.3 SDI_CTL_REG レジスタ (アドレス = 08h)
      4. 7.1.4 SDO_CTL_REG レジスタ (アドレス = 0Ch)
      5. 7.1.5 DATAOUT_CTL_REG レジスタ (アドレス = 10h)
      6. 7.1.6 RANGE_SEL_REG レジスタ (アドレス = 14h)
      7. 7.1.7 ALARM_REG レジスタ (アドレス = 20h)
      8. 7.1.8 ALARM_H_TH_REG レジスタ (アドレス = 24h)
      9. 7.1.9 ALARM_L_TH_REG レジスタ (アドレス = 28h)
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1 アラーム機能
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
    3. 8.3 電源に関する推奨事項
      1. 8.3.1 電源のデカップリング
      2. 8.3.2 節電
        1. 8.3.2.1 NAP モード
        2. 8.3.2.2 パワーダウン (PD) モード
    4. 8.4 レイアウト
      1. 8.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 8.4.2 レイアウト例
  10. 9 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 ドキュメントのサポート
      1. 9.1.1 関連資料
    2. 9.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 9.3 サポート・リソース
    4. 9.4 商標
    5. 9.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 9.6 用語集
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

5.4 熱に関する情報

熱評価基準(1) ADS868xW 単位
RUM (WQFN)
16 ピン
RθJA 接合部から周囲への熱抵抗 31.9 ℃/W
RθJC(top) 接合部からケース (上面) への熱抵抗 27.9 ℃/W
RθJB 接合部から基板への熱抵抗 7.4 ℃/W
ΨJT 接合部から上面への特性パラメータ 0.3 ℃/W
ΨJB 接合部から基板への特性パラメータ 7.4 ℃/W
RθJC(bot) 接合部からケース (底面) への熱抵抗 1.9 ℃/W
(1) 従来および最新の熱評価基準の詳細については、『半導体および IC パッケージの熱評価基準』アプリケーション ノートを参照してください。