JAJSST7B January 2024 – September 2025 MCF8315C-Q1
PRODUCTION DATA
本デバイスは、MOSFET のあらゆるクロス導通から完全に保護されています。ハイサイド MOSFET とローサイド MOSFET のスイッチング中、MCF8315C-Q1 はデッドタイム (tdead) を挿入することで貫通電流イベントを防止します。これは、ハイサイドおよびローサイド MOSFET のゲート - ソース電圧 (VGS) を検出することで実行され、同じハーフブリッジのローサイド MOSFET (またはその逆) をオンにする前に、ハイサイド MOSFET の VGS がターンオフ レベルを確実に下回るようにしています (図 6-12 と図 6-13 を参照)。ハイサイドおよびローサイド MOSFET の VGS (VGS_HS と VGS_LS) (図 6-13 を参照) は内部信号です。