JAJSSZ1B December   2023  – September 2025 DRV8334

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 ピン構成および機能
    1. 4.1 ピン機能 48 ピン DRV8334
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格 (DRV8334)
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報
    5. 5.5 電気的特性
    6. 5.6 タイミング要件
    7. 5.7 SPI のタイミング図
  7. 6 詳細説明
    1. 6.1 概要
    2. 6.2 機能ブロック図
    3. 6.3 機能説明
      1. 6.3.1 3 つの BLDC ゲート ドライバ
        1. 6.3.1.1 PWM 制御モード
          1. 6.3.1.1.1 6x PWM モード
          2. 6.3.1.1.2 3x PWM モード、INLx 有効化制御付き
          3. 6.3.1.1.3 3x PWM モード、SPI 有効化制御付き
          4. 6.3.1.1.4 1x PWM モード
          5. 6.3.1.1.5 SPI ゲート駆動モード
        2. 6.3.1.2 ゲート ドライブ アーキテクチャ
          1. 6.3.1.2.1 ブートストラップ ダイオード
          2. 6.3.1.2.2 GVDD チャージ ポンプ / LDO
          3. 6.3.1.2.3 VCP トリクル チャージ ポンプ
          4. 6.3.1.2.4 ゲート ドライバの出力
          5. 6.3.1.2.5 パッシブおよびセミアクティブ プルダウン抵抗
          6. 6.3.1.2.6 TDRIVE ゲート駆動タイミング制御
          7. 6.3.1.2.7 伝搬遅延
          8. 6.3.1.2.8 デッドタイムとクロス導通防止
      2. 6.3.2 ローサイド電流検出アンプ
        1. 6.3.2.1 単方向電流センス動作
        2. 6.3.2.2 双方向電流検出の動作
      3. 6.3.3 ゲート ドライバ シャットダウン
        1. 6.3.3.1 DRVOFF ゲート ドライバ シャットダウン
        2. 6.3.3.2 ゲート ドライバ シャットダウン タイミング シーケンス
      4. 6.3.4 ゲート ドライバ保護回路
        1. 6.3.4.1  PVDD 電源低電圧警告 (PVDD_UVW)
        2. 6.3.4.2  PVDD 電源低電圧誤動作防止 (PVDD_UV)
        3. 6.3.4.3  PVDD 電源過電圧故障 (PVDD_OV)
        4. 6.3.4.4  GVDD 低電圧誤動作防止 (GVDD_UV)
        5. 6.3.4.5  GVDD 過電圧故障 (GVDD_OV)
        6. 6.3.4.6  BST 低電圧誤動作防止 (BST_UV)
        7. 6.3.4.7  BST 過電圧故障 (BST_OV)
        8. 6.3.4.8  VCP 低電圧故障 (CP_OV)
        9. 6.3.4.9  VCP 過電圧故障 (CP_OV)
        10. 6.3.4.10 VDRAIN 低電圧故障 (VDRAIN_UV)
        11. 6.3.4.11 VDRAIN 過電圧故障 (VDRAIN_OV)
        12. 6.3.4.12 MOSFET VGS 監視保護
        13. 6.3.4.13 MOSFET VDS 過電流保護 (VDS_OCP)
        14. 6.3.4.14 VSENSE 過電流保護 (SEN_OCP)
        15. 6.3.4.15 位相コンパレータ
        16. 6.3.4.16 サーマル シャットダウン (OTSD)
        17. 6.3.4.17 過熱警告 (OTW)
        18. 6.3.4.18 OTP CRC
        19. 6.3.4.19 SPI ウォッチドッグ タイマ
        20. 6.3.4.20 位相診断
    4. 6.4 デバイスの機能モード
      1. 6.4.1 ゲート ドライバの機能モード
        1. 6.4.1.1 スリープ モード
        2. 6.4.1.2 動作モード
      2. 6.4.2 デバイス パワーアップ シーケンス
    5. 6.5 プログラミング
      1. 6.5.1 SPI
      2. 6.5.2 SPI フォーマット
      3. 6.5.3 SPI フォーマット図
  8. 7 レジスタ マップ
    1. 7.1 STATUS レジスタ
    2. 7.2 制御レジスタ
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 48 ピン パッケージを使用した代表的なアプリケーション
        1. 8.2.1.1 外付け部品
      2. 8.2.2 アプリケーション曲線
    3. 8.3 レイアウト
      1. 8.3.1 レイアウトのガイドライン
      2. 8.3.2 レイアウト例
  10. 9 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 ドキュメントのサポート
      1. 9.1.1 関連資料
    2. 9.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 9.3 コミュニティ リソース
    4. 9.4 商標
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 11.1 付録：パッケージ オプション
    2. 11.2 テープおよびリール情報
6.3.1.2.6 TDRIVE ゲート駆動タイミング制御

このデバイスには、外部 MOSFET の寄生 dV/d tゲート ターンオンを防止するため、TDRIVE ゲート駆動タイミング制御機能が内蔵されています。MOSFET がスイッチングしているときは常に、反対側の MOSFET ゲートで強力なプルダウン ISTRONG 電流が有効になります。この強いプルダウンは TDRIVE 期間全体にわたって持続します。この機能は、ハーフブリッジ スイッチ ノード電圧のスルーレートが高い場合に外部 MOSFET ゲートにカップリングする寄生電荷を除去するのに役立ちます。

DRV8334 TDRIVE ゲート駆動タイミング制御 (DEADT_MODE=0b)図 6-6 TDRIVE ゲート駆動タイミング制御 (DEADT_MODE=0b)
DRV8334 TDRIVE ゲート駆動タイミング制御 (DEADT_MODE=1b)図 6-7 TDRIVE ゲート駆動タイミング制御 (DEADT_MODE=1b)