JAJSSZ1B December   2023  – September 2025 DRV8334

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 ピン構成および機能
    1. 4.1 ピン機能 48 ピン DRV8334
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格 (DRV8334)
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報
    5. 5.5 電気的特性
    6. 5.6 タイミング要件
    7. 5.7 SPI のタイミング図
  7. 6 詳細説明
    1. 6.1 概要
    2. 6.2 機能ブロック図
    3. 6.3 機能説明
      1. 6.3.1 3 つの BLDC ゲート ドライバ
        1. 6.3.1.1 PWM 制御モード
          1. 6.3.1.1.1 6x PWM モード
          2. 6.3.1.1.2 3x PWM モード、INLx 有効化制御付き
          3. 6.3.1.1.3 3x PWM モード、SPI 有効化制御付き
          4. 6.3.1.1.4 1x PWM モード
          5. 6.3.1.1.5 SPI ゲート駆動モード
        2. 6.3.1.2 ゲート ドライブ アーキテクチャ
          1. 6.3.1.2.1 ブートストラップ ダイオード
          2. 6.3.1.2.2 GVDD チャージ ポンプ / LDO
          3. 6.3.1.2.3 VCP トリクル チャージ ポンプ
          4. 6.3.1.2.4 ゲート ドライバの出力
          5. 6.3.1.2.5 パッシブおよびセミアクティブ プルダウン抵抗
          6. 6.3.1.2.6 TDRIVE ゲート駆動タイミング制御
          7. 6.3.1.2.7 伝搬遅延
          8. 6.3.1.2.8 デッドタイムとクロス導通防止
      2. 6.3.2 ローサイド電流検出アンプ
        1. 6.3.2.1 単方向電流センス動作
        2. 6.3.2.2 双方向電流検出の動作
      3. 6.3.3 ゲート ドライバ シャットダウン
        1. 6.3.3.1 DRVOFF ゲート ドライバ シャットダウン
        2. 6.3.3.2 ゲート ドライバ シャットダウン タイミング シーケンス
      4. 6.3.4 ゲート ドライバ保護回路
        1. 6.3.4.1  PVDD 電源低電圧警告 (PVDD_UVW)
        2. 6.3.4.2  PVDD 電源低電圧誤動作防止 (PVDD_UV)
        3. 6.3.4.3  PVDD 電源過電圧故障 (PVDD_OV)
        4. 6.3.4.4  GVDD 低電圧誤動作防止 (GVDD_UV)
        5. 6.3.4.5  GVDD 過電圧故障 (GVDD_OV)
        6. 6.3.4.6  BST 低電圧誤動作防止 (BST_UV)
        7. 6.3.4.7  BST 過電圧故障 (BST_OV)
        8. 6.3.4.8  VCP 低電圧故障 (CP_OV)
        9. 6.3.4.9  VCP 過電圧故障 (CP_OV)
        10. 6.3.4.10 VDRAIN 低電圧故障 (VDRAIN_UV)
        11. 6.3.4.11 VDRAIN 過電圧故障 (VDRAIN_OV)
        12. 6.3.4.12 MOSFET VGS 監視保護
        13. 6.3.4.13 MOSFET VDS 過電流保護 (VDS_OCP)
        14. 6.3.4.14 VSENSE 過電流保護 (SEN_OCP)
        15. 6.3.4.15 位相コンパレータ
        16. 6.3.4.16 サーマル シャットダウン (OTSD)
        17. 6.3.4.17 過熱警告 (OTW)
        18. 6.3.4.18 OTP CRC
        19. 6.3.4.19 SPI ウォッチドッグ タイマ
        20. 6.3.4.20 位相診断
    4. 6.4 デバイスの機能モード
      1. 6.4.1 ゲート ドライバの機能モード
        1. 6.4.1.1 スリープ モード
        2. 6.4.1.2 動作モード
      2. 6.4.2 デバイス パワーアップ シーケンス
    5. 6.5 プログラミング
      1. 6.5.1 SPI
      2. 6.5.2 SPI フォーマット
      3. 6.5.3 SPI フォーマット図
  8. 7 レジスタ マップ
    1. 7.1 STATUS レジスタ
    2. 7.2 制御レジスタ
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 48 ピン パッケージを使用した代表的なアプリケーション
        1. 8.2.1.1 外付け部品
      2. 8.2.2 アプリケーション曲線
    3. 8.3 レイアウト
      1. 8.3.1 レイアウトのガイドライン
      2. 8.3.2 レイアウト例
  10. 9 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 ドキュメントのサポート
      1. 9.1.1 関連資料
    2. 9.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 9.3 コミュニティ リソース
    4. 9.4 商標
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 11.1 付録：パッケージ オプション
    2. 11.2 テープおよびリール情報

5.5 電気的特性

4.5V ≤ VPVDD ≤ 60V、–40°C ≤ TJ ≤ 150°C (特に記述のない限り)
パラメータ テスト条件 最小値 標準値 最大値 単位
電源 (PVDD)
IPVDDQ PVDD スリープ モード電流 VPVDD = 12V、nSLEEP = 0、TA = 25°C、IPVDDQ = PVDD + VDRAIN

 



 16 20 µA
IPVDDQ PVDD スリープ モード電流 VPVDD = 24V、nSLEEP = 0、TA = 25°C、IPVDDQ = PVDD + VDRAIN
 16 30 µA
IPVDDQ PVDD スリープ モード電流 VPVDD = < 36V、nSLEEP = 0、TJ < 150C、IPVDDQ = PVDD + VDRAIN
 18 50 µA
IPVDD PVDD アクティブ モード電流 VPVDD = 24V、nSLEEP = HIGH、INHx = INLX = Low.FET 接続なし、IPVDD = PVDD + VDRAIN、VDRAIN = 24V

 28 38 mA
IPVDD PVDD アクティブ モード電流 VPVDD = 60V、nSLEEP = HIGH、INHx = INLX = Low.FET 接続なし、IPVDD = PVDD + VDRAIN、VDRAIN = 60V、VCP_MODE = 00b、01b、11b
 50 mA
IPVDD PVDD アクティブ モード電流 VPVDD = 24V、nSLEEP = HIGH、INHx = INLX = 20kHz でスイッチング、FET 接続なし、IPVDD = PVDD + VDRAIN


 25 40 mA
IPVDD PVDD アクティブ モード電流 VPVDD = 60 V、nSLEEP = HIGH、INHx = INLX = 20kHz でスイッチング。FET 接続なし、IPVDD = PVDD + VDRAIN、VDRAIN = 60V、VCP_MODE = 00b、01b、11b
      		 55 mA
tWAKE ターンオン時間 nSLEEP = Low から High、nFAULT が High に移行。


 1 5 ms
ロジック レベル入力 (INHx、INLx、nSLEEP など)
VIL 入力ロジック Low 電圧 0.8 V
VIH 入力ロジック High 電圧 2.1 V
VHYS 入力ヒステリシス 200 330 450 mV
VIL DRVOFF 入力ロジック Low 電圧 DRVOFF

 		 0.65 V
VIH DRVOFF 入力ロジック High 電圧 DRVOFF 2.1 V
VHYS DRVOFF 入力ヒステリシス DRVOFF 200 400 600 mV
RPD 入力プルダウン抵抗 対 GND、INHx、INLx、SCLK、SDI 50 100 150 kΩ
RPD 入力プルダウン抵抗 nSLEEP、DRVOFF 460 800 1700 kΩ
IIL 入力ロジック Low 電流 VI = 0V、nSCS (内部プルアップ)、VIO = 3.3V 11 33 66 µA
IIL 入力ロジック Low 電流 VI = 0V、nSCS (内部プルアップ)、VIO = 5V 25 50 100 µA
IIH 入力ロジック High 電流 VI = 5V、INHx/INLx/SDI/SCLK 30 50 70 µA
VIH nSleep 入力ロジック High 電圧 2.1 V
VIL nSleep 入力ロジック Low 電圧 0.8 V
VHYST nSleep 入力ロジック ヒステリシス 0.1 V
ロジック レベル出力 (nFAULT、SDO、PHCx)
VOL 出力ロジック Low 電圧 IDOUT = 1mA、PHCOMP 0.5 V
VOL 出力ロジック Low 電圧 IDOUT = 1mA、SDO 0.5 V
VOH ロジック High 出力電圧 IDOUT = 1mA、SDO、3.3V モード 2.7 3.3 3.6 V
VOH ロジック High 出力電圧 IDOUT = 1mA、PHCOMP、5V モード、VPVDD ≥ 4.5V 4.0 5 5.5 V
VOH ロジック High 出力電圧 IDOUT = 1mA、SDO、5V モード、VPVDD ≥ 4.5V 4.0 5 5.5 V
VOH ロジック High 出力電圧 IDOUT = 1mA、SDO、5V モード、4V ≤VPVDD < 4.5V 3.6 3.8 4.5 V
IOZ 出力ロジック High 電流 nFAULT：nFAULT = 5V を強制、フォルト イベントなし、nSLEEP = High
SDO：VSDO = 5V を強制、nSCS = High または nSLEEP = Low		 -12 25 µA
IOZ 出力ロジック High 電流 SDO：VSDO = 0V を強制、nSCS = High または nSLEEP = Low -12 10 µA
チャージ ポンプ (GVDD、VCP)
VGVDD GVDD ゲート ドライバ レギュレータ電圧 (LDO モード) 22V ≤VPVDD、IGS ≤50mA 11.5 13.5 V
18V ≤ VPVDD ≤ 22V、IGS ≤ 50mA 11.5 13.5 V
GVDD ゲート ドライバ レギュレータ電圧 (チャージ ポンプ モード) 7.2V ≤ VPVDD ≤ 18V、IGS = 50mA、IVCP = 5mV 11.5 13.5 V
6.5V ≤VPVDD ≤ 7.2V、IGS ≤ 20mA、IVCP = 3mA
DIS_GVDD_SS = 1b		 11.5 13.5 V
5V ≤VPVDD ≤ 6.5V、IGS ≤ 20mA、IVCP = 3mA
DIS_GVDD_SS = 1b		 9 13 V
4.5V ≤VPVDD ≤ 5V、IGS ≤ 20mA、IVCP = 3mA、
DIS_GVDD_SS = 1b		 8 10 V
VVCP VCP チャージ ポンプ電圧 (VDRAIN を基準とした場合) VVCP = V(VCP - VDRAIN、13.5 ≥ GVDD ≥ 11V、VDRAIN > 4.5V、IVCP 5mA、

 9.8 13.5 V
VVCP = V(VCP - VDRAIN)、9V ≤ GVDD < 11V、VDRAIN > 4.5V、IVCP = 3mA、

 8.4 11
VVCP = V(VCP - VDRAIN)、8V ≤ GVDD < 9V、VDRAIN > 4.5V、IVCP = 3mA、

 7.4 9
tBST_PRECHG VCP チャージ ポンプのブートストラップ コンデンサのプリチャージ時間 VBST-SHX = 5V 、INHx = INLx = Low.Tj = 150C、IVCP = 3mA、CVCP = 1.5µF、CBST = 1.5µF (各相)、CVCP_FLY = 1µF、VPVDD = 4.5V
 1.7 3 ms
VBST_TCPOFF VCP の BST 監視電圧により、BST コンデンサの充電を停止 (立ち上がり電圧) INLx = 0、SHx = 0、VDRAIN、VDRAIN = PVDD = 12V、60V 12.0 13.2 14.6 V
ブートストラップ ダイオード
VBOOTD ブートストラップ ダイオードの順方向電圧 IBOOT = 100µA. 0.85 V
IBOOT = 10mA. 1 V
IBOOT = 100mA.TJ < 175℃   1.67 V
RBOOTD ブートストラップの動的抵抗 (ΔVBOOTD/ΔIBOOT) IBOOT = 100mA および 50 mA。 5.5 Ω
ゲート ドライバ (GHx、GLx、SHx、SLx)
VGL_L ローサイド低レベル出力電圧 IGLx = 10mA、GLx - SLx、IDRVN = 100100b：IHOLD_SEL = 0b、VGVDD = 12V、 0 0.2 V
VGL_H ローサイドハイレベル出力電圧 IGLx = 10mA、GVDD - GLx、IDRVP = 100100b、IHOLD_SEL = 0b、VGVDD = 12V、 0 0.2 V
VGH_L ハイサイド低レベル出力電圧 IGHx = 10mA、GHx - SHx、IDRVN = 100100b、IHOLD_SEL = 0b、VGVDD = 12V、 0 0.2 V
VGH_H ハイサイドハウレベル出力電圧 IGHx = 10mA、BSTx - GHx、IDRVP = 100100b、IHOLD_SEL = 0b、VGVDD = 12V、 0 0.2 V
RPDSA_LS ロー サイド セミ アクティブ プルダウン抵抗 GLx から SLx、nSLEEP = Low、VGLx - VSLx = 2V、GVDD (BSTx-SHx) > 2V 2 3 4.3 kΩ
RPDSA_HS ハイ サイド セミ アクティブ プルダウン抵抗 GHx から SHx、nSLEEP = Low、VGHx - VSHx = 2V、GVDD (BSTx-SHx) > 2V 7 9 12 kΩ
IDRVN ピーク シンクゲート電流 IDRVN=000000b、VGSx = 5V、BST-SHx = GVDD = 12V 0.75 mA
IDRVN=000001b、VGSx = 5V、BST-SHx = GVDD = 12V 1.1
IDRVN=000010b、VGSx = 5V、BST-SHx = GVDD = 12V 1.5
IDRVN=000011b、VGSx = 5V、BST-SHx = GVDD = 12V 1.9
IDRVN=000100b、VGSx = 5V、BST-SHx = GVDD = 12V 2.3
IDRVN=000101b、VGSx = 5V、BST-SHx = GVDD = 12V 2.8
IDRVN=000110b、VGSx = 5V、BST-SHx = GVDD = 12V 3.4
IDRVN=000111b、VGSx = 5V、BST-SHx = GVDD = 12V 3.9
IDRVN=001000b、VGSx = 5V、BST-SHx = GVDD = 12V 4.4
IDRVN=001001b、VGSx = 5V、BST-SHx = GVDD = 12V 5.3
IDRVN=001010b、VGSx = 5V、BST-SHx = GVDD = 12V 6.3
IDRVN=001011b、VGSx = 5V、BST-SHx = GVDD = 12V 7.2
IDRVN=001100b、VGSx = 5V、BST-SHx = GVDD = 12V 8.1
IDRVN=001101b、VGSx = 5V、BST-SHx = GVDD = 12V 10
IDRVN=001110b、VGSx = 5V、BST-SHx = GVDD = 12V 11
IDRVN=001111b、VGSx = 5V、BST-SHx = GVDD = 12V 13
IDRVN=010000b、VGSx = 5V、BST-SHx = GVDD = 12V 14
IDRVN=010001b、VGSx = 5V、BST-SHx = GVDD = 12V 16
IDRVN=010010b、VGSx = 5V、BST-SHx = GVDD = 12V 18
IDRVN=010011b、VGSx = 5V、BST-SHx = GVDD = 12V 21
IDRVN=010100b、VGSx = 5V、BST-SHx = GVDD = 12V 25
IDRVN=010101b、VGSx = 5V、BST-SHx = GVDD = 12V 29
IDRVN ピーク シンクゲート電流 IDRVN=010110b、VGSx = 5V、BST-SHx = GVDD = 12V 33 mA
IDRVN=010111b、VGSx = 5V、BST-SHx = GVDD = 12V 38
IDRVN=011000b、VGSx = 5V、BST-SHx = GVDD = 12V 44
IDRVN=011001b、VGSx = 5V、BST-SHx = GVDD = 12V 49
IDRVN=011010b、VGSx = 5V、BST-SHx = GVDD = 12V 68
IDRVN=011011b、VGSx = 5V、BST-SHx = GVDD = 12V 79
IDRVN=011100b、VGSx = 5V、BST-SHx = GVDD = 12V 88
IDRVN=011101b、VGSx = 5V、BST-SHx = GVDD = 12V 106
IDRVN=011110b、VGSx = 5V、BST-SHx = GVDD = 12V 125
IDRVN=011111b、VGSx = 5V、BST-SHx = GVDD = 12V 144
IDRVN=100000b、VGSx = 5V、BST-SHx = GVDD = 12V 163
IDRVN=100001b、VGSx = 5V、BST-SHx = GVDD = 12V 191
IDRVN=100010b、VGSx = 5V、BST-SHx = GVDD = 12V 219
IDRVN=100011b、VGSx = 5V、BST-SHx = GVDD = 12V 247
IDRVP ピーク ソースゲート電流  IDRV_CFG = 0b、IDRV_RATIO = 00b、IDRVN = 00000b から 100011b、VGSx = 5V、BST-SHx = GVDD = 12V
 		 1*IDRVN mA
IDRV_CFG = 0b、IDRV_RATIO = 01b、IDRVN = 00000b から 100011b、VGSx = 5V、BST-SHx = GVDD = 12V
  		 0.75*IDRVN mA
IDRV_CFG = 0b、IDRV_RATIO = 10b、IDRVN = 00000b から 100011b、VGSx = 5V、BST-SHx = GVDD = 12V
 		 0.5*IDRVN mA
IDRV_CFG = 0b、IDRV_RATIO = 11b、IDRVN = 00000b から 100011b、VGSx = 5V、BST-SHx = GVDD = 12V
 		 0.25*IDRVN mA
IDRVN_VAR ピーク シンク ゲート電流変動 IDRVN=000000b - 011001b -50 +50 %
IDRVP_VAR ピーク ソース ゲート電流変動 IDRVN=011010b - 100011b -50 +80 %
IDRVN ピーク シンク ゲート電流-スイッチ モード  IDRVN=100100b、VGSx (GHx-SHx、GLx-SLx) = 12V、BST-SHx = GVDD = 12V.SGD_TMP_EN = 1b 400 600 980 mA
IDRVN=100101b、VGSx (GHx-SHx、GLx-SLx) = 12V、BST-SHx = GVDD = 12V. 480 695 1020 mA
IDRVN=100110b、VGSx (GHx-SHx、GLx-SLx) = 12V、BST-SHx = GVDD = 12V. 560 795 1060 mA
IDRVN=100111b、VGSx (GHx-SHx、GLx-SLx) = 12V、BST-SHx = GVDD = 12V. 640 925 1240 mA
IDRVN=101000b、VGSx (GHx-SHx、GLx-SLx) = 12V、BST-SHx = GVDD = 12V. 760 1090 1440 mA
IDRVN=101001b、VGSx (GHx-SHx、GLx-SLx) = 12V、BST-SHx = GVDD = 12V. 880 1255 1660 mA
IDRVN=101010b、VGSx (GHx-SHx、GLx-SLx) = 12V、BST-SHx = GVDD = 12V. 1020 1455 1920 mA
IDRVN=101011b、VGSx (GHx-SHx、GLx-SLx) = 12V、BST-SHx = GVDD = 12V. 1080 1685 2500 mA
IDRVN=101100b、VGSx (GHx-SHx、GLx-SLx) = 12V、BST-SHx = GVDD = 12V. 1080 2000 2600 mA

IDRVP
 		 ピーク ソース ゲート電流 - スイッチ モード   IDRVP=100100b、VGSx (GHx-SHx、GLx-SLx) = 0V、GVDD = 12V 150 300 450 mA

IDRVP
 		 ピーク ソース ゲート電流 - スイッチ モード   IDRVP=100101b、VGSx (GHx-SHx、GLx-SLx) = 0V、GVDD = 12V 177 355 533 mA

IDRVP
 		 ピーク ソース ゲート電流 - スイッチ モード   IDRVP=100110b、VGSx (GHx-SHx、GLx-SLx) = 0V、GVDD = 12V 205 410 615 mA

IDRVP
 		 ピーク ソース ゲート電流 - スイッチ モード   IDRVP=100111b、VGSx (GHx-SHx、GLx-SLx) = 0V、GVDD = 12V 237 475 713 mA

IDRVP
 		 ピーク ソース ゲート電流 - スイッチ モード   IDRVP=101000b;VGSx (GHx-SHx、GLx-SLx) = 0V、GVDD = 12V 280 560 840 mA

IDRVP
 		 ピーク ソース ゲート電流 - スイッチ モード   IDRVP=101001b;VGSx (GHx-SHx、GLx-SLx) = 0V、GVDD = 12V 322 645 968 mA

IDRVP
 		 ピーク ソース ゲート電流 - スイッチ モード   IDRVP=101010b、VGSx (GHx-SHx、GLx-SLx) = 0V、GVDD = 12V 375 750 1125 mA

IDRVP
 		 ピーク ソース ゲート電流 - スイッチ モード   IDRVP=101011b、VGSx (GHx-SHx、GLx-SLx) = 0V、GVDD = 12V 432 865 1298 mA

IDRVP
 		 ピーク ソース ゲート電流 - スイッチ モード   IDRVP=101100b、VGSx (GHx-SHx、GLx-SLx) = 0V、GVDD = 12V 507 1015 1523 mA
IHOLD_PU ゲート プル アップ保持電流  IHOLD_SEL = 1b、BST-SHx = GVDD = 12V. 150 250 400 mA
IHOLD_PU ゲート プル アップ保持電流  IHOLD_SEL = 0b、BST-SHx = GVDD = 12V. 330 560 900 mA
IHOLD_PD ゲート プル ダウン保持電流  IHOLD_SEL = 1b、BST-SHx = GVDD = 12V. 140 267 480 mA
IHOLD_PD ゲート プル ダウン保持電流  IHOLD_SEL = 0b、BST-SHx = GVDD = 12V. 580 1100 1500 mA
ISTRONG ゲート プル ダウン強電流  GHx-SHx = 12V (ハイ サイド) または GLx = 12V (ロー サイド)、BST-SHx = GVDD = 12V. 1000 2000 2800 mA
ゲート ドライバ タイミング (GHx、GLx)
tPD 入力から出力までの伝搬遅延 GHx/GLx 立ち下がり INHx、INLx から GHx、GLx。IDRVN = IDRVP = 101000b、INHx/INLx の立ち下がりエッジ後 VGS = VGHS/VGLS – 1V、VGVDD = VBSTx-SHx ≥ 8V 55 150 ns
tPD 入力から出力までの伝搬遅延 GHx/GLx 立ち下がり INHx、INLx から GHx、GLx。IDRVN = IDRVP = 011101b、INHx/INLx の立ち下がりエッジ後 VGS = VGHS/VGLS – 1V、VGVDD = VBSTx-SHx ≥ 8V 75 150 ns
tPD 入力から出力までの伝搬遅延 GHx/GLx 立ち上がり INHx、INLx から GHx、GLx。IDRVN = IDRVP = 101000b、INHx/INLx の立ち上がりエッジ後 VGS = 1 V、VGVDD = VBSTx-SHx ≥ 8V 55 150 ns
tPD 入力から出力までの伝搬遅延 GHx/GLx 立ち上がり INHx、INLx から GHx、GLx.IDRVN = IDRVP = 011101b、INHx/INLx の立ち上がりエッジ後から VGS = 1 V、VGVDD = VBSTx-SHx ≥ 8V 70 150 ns
tPD_match 位相ごとの伝搬遅延のマッチング GHx ターン オフから GLx ターン オン、GLx ターン オフから GHx ターン オン、VGVDD = VBSTx-SHx ≥ 8V -150 10 150 ns
tPD_match 位相間の伝搬遅延時間のマッチング GHx/GLx ターン オフから GHy/GLy ターン オン、GHx/GLx ターン オフから GHy/GLy ターン オン、VGVDD = VBSTx-SHx ≥ 8V -50 10 50 ns
tDRIVE ピーク電流ゲート駆動時間  標準値。TDRVP (TDRVN) = 0000b - 1111b.抵抗マップ TDRNP および TDRVN を参照。 140 3815 ns
tDRIVE_V ピーク電流ゲート駆動時間の変動 標準値を基準にした場合。TDRVP (TDRVN) = 0000b - 1111b -20 20 %
tDEAD デジタル ゲート駆動デッド タイム  DEADTIME = 000b; 30 70 130 ns
DEADTIME = 001b; 170 214 300 ns
DEADTIME = 010b 230 286 380 ns
DEADTIME = 011b 420 500 640 ns
DEADTIME = 100b 640 750 930 ns
DEADTIME = 101b 880 1000 1280 ns
DEADTIME = 110b 1270 1500 1820 ns
DEADTIME = 111b 1700 2000 2400 ns
電流シャント アンプ (SNx、SOx、SPx、VREF)
ACSA 検出アンプのゲイン CSAGAIN = 0000b 5 V/V
CSAGAIN = 0001b; 10 V/V
CSAGAIN = 0010b 12 V/V
CSAGAIN = 0011b 16 V/V
CSAGAIN = 0100b 20 V/V
CSAGAIN = 0101b 23 V/V
CSAGAIN = 0110b 25 V/V
CSAGAIN = 0111b 30 V/V
CSAGAIN = 1000b 40 V/V
EACSA 検出アンプのゲイン誤差 すべての CSAGAIN 設定
VGVDD > 7.2V (この GVDD 条件はすべての CSA 項目に適用)		 -0.5 0.5 %
tSET ±1% までのセトリング タイム VSTEP = 1.6V、ACSA = 5V/V、RSO = 160Ω、CSO = 470pF 、VREF = 5V/3V
 0.6 1.35 µs
tSET ±1% までのセトリング タイム VSTEP = 1.6V、ACSA = 10V/V、CLOAD = 470pF
0.65 1.35 µs
tSET ±1% までのセトリング タイム VSTEP = 1.6V、ACSA = 20V/V、RSO = 160Ω、CSO = 470pF VREF = 5V/3V
 0.7 1.35 µs
tSET ±1% までのセトリング タイム VSTEP = 1.6V、ACSA = 30V/V、RSO = 160Ω、CSO = 470pF VREF = 5V 0.7 1.35 µs
tSET ±1% までのセトリング タイム VSTEP = 1.6V、ACSA = 30V/V、RSO = 160Ω、CSO = 470pF VREF = 3V 0.7 1.6 µs
tSET ±1% までのセトリング タイム VSTEP = 1.6V、ACSA = 40V/V、RSO = 160Ω、CSO = 470pF VREF = 5V 0.7 1.7 µs
tSET ±1% までのセトリング タイム VSTEP = 1.6V、ACSA = 40V/V、RSO = 160Ω、CSO = 470pF VREF = 3V 0.7 1.75 µs
UGB ユニティ ゲイン帯域幅 CLOAD = 470pF、閉ループ、BW @ ユニティ ゲイン 10 MHz
BW 帯域幅 閉ループ、-3db、出力負荷なし 1 MHz
VSWING 出力電圧範囲 VVREF = 3 から 5.5V  0.25 VVREF - 0.25 V
VCOM 同相入力範囲 VCOM = (VSP + VSN)/2

 -2 2 V
tcom_rec 同相過渡回復タイミング VCOM = -15V～0V 2.2 µs
VDIFF 差動モード入力範囲 -0.3 0.3 V
VOFF 入力オフセット電圧の合計 VSP = VSN = GND、
初期オフセット + オフセット ドリフト

 		 -0.65 0.65 mV
VOFF_DRIFT 入力オフセット電圧ドリフト VSP = VSN = GND、温度ドリフト + エイジング
 		 -0.2 0.2 mV
IBIAS 入力バイアス電流 VSP = VSN = GND.  CSA と SENSE_OCP の合計  20 100 µA
IBIAS_OFF 入力バイアス電流オフセット  ISP – ISN.CSA と SENSE_OCP の合計  -1 1 µA
IVREF 基準入力電流 VCSAREF = 3.3V 3 6 9.25 mA
VCSAREF = 5V 4 7 9.5 mA
CMRR DC 同相除去比 SN/SP = -2V から 2V 60 90 dB
CMRR 過渡同相除去比 20KHz 60 90 dB
PSRR 電源除去比 100 dB
温度レポート
電源電圧の監視
VPVDD_UV PVDD 低電圧誤動作防止スレッショルド VPVDD 立ち上がり 4.5 4.65 4.8 V
VPVDD 立ち下がり 4.05 4.2 4.35
VPVDD_UV_HYS PVDD 低電圧誤動作防止ヒシテリス 立ち上がりから立ち下がりへのスレッショルド 400 450 500 mV
tPVDD_UV_DG PVDD 低電圧グリッチ除去時間 立ち上がりエッジと立ち下がりエッジ 8 12 16 µs
VPVDD_UVW PVDD 低電圧警告スレッショルド VPVDD 立ち上がり、PVDD_UVW_LVL= 0b 6.0 7 V
VPVDD 立ち下がり、PVDD_ULW_LVL= 0b 5.8 6.8 V
VPVDD 立ち上がり、PVDD_UVW_LVL = 1b 7.3 8.3 V
VPVDD 立ち下がり、PVDD_UVW_LVL = 1b 7.1 8.1 V
VPVDD_UVW_HYS PVDD 低電圧警告ヒステリシス 立ち上がりから立ち下がりへのスレッショルド 140 200 260 mV
tPVDD_UVW_DG PVDD 低電圧警告グリッチ除去時間 立ち上がりエッジと立ち下がりエッジ 8 12 16 µs
VPVDD_OV PVDD 過電圧スレッショルド VPVDD 立ち上がり、PVDD_OV_LVL = 00b 28 31 V
VPVDD 立ち下がり、PVDD_OV_LVL = 00b 27 30
VPVDD 立ち上がり、PVDD_OV_LVL = 01b 33 36
VPVDD 立ち下がり、PVDD_OV_LVL = 01b 32 35
VPVDD 立ち上がり、PVDD_OV_LVL = 10b 50 55
VPVDD 立ち下がり、PVDD_OV_LVL = 10b 47 52
VPVDD_OV_HYS PVDD 過電圧ヒステリシス 立ち上がりから立ち下がりまでのスレッショルド PVDD_OV_LVL = 00b、01b 0.6 0.9 1.2 V
VPVDD_OV_HYS PVDD 過電圧ヒステリシス 立ち上がりから立ち下がりまでのスレッショルド PVDD_OV_LVL = 10b 2.0 2.2 2.4 V
tPVDD_OV_DG PVDD 過電圧グリッチ除去時間 立ち上がりエッジと立ち下がりエッジ 8 12 16 µs
VGVDD_UV GVDD 低電圧スレッショルド VGVDD 立ち上がり - 電源投入後 7.0 7.8 V
VGVDD 立ち上がり - 電源投入時のみ 7.5 8.1 V
VGVDD 立ち下がり  6.8 7.6 V
VGVDD_UV_HYS GVDD 低電圧ヒステリシス 立ち上がりから立ち下がりへのスレッショルド 185 215 245 mV
tGVDD_UV_DG GVDD 低電圧グリッチ除去時間 立ち上がりエッジと立ち下がりエッジ 8 12 16 µs
VGVDD_OV GVDD 過電圧スレッショルド VGVDD 立ち上がり 15 17 V
VGVDD_OV GVDD 過電圧スレッショルド VGVDD 立ち下がり 14.5 16.5 V
VGVDD_OV_HYS GVDD 過電圧ヒステリシス 立ち上がりから立ち下がりへのスレッショルド 490 560 620 mV
tGVDD_OV_DG GVDD 過電圧グリッチ除去時間 立ち上がりエッジと立ち下がりエッジ 8 12 16 µs
VBST_UV ブートストラップ低電圧スレッショルド VBSTx- VSHx、VBSTx 立ち上がり、BST_UV_LVL = 1b 6.3 7.4 8.5 V
VBST_UV ブートストラップ低電圧スレッショルド VBSTx- VSHx、VBSTx 立ち下がり、BST_UV_LVL = 1b 6.1 7.2 8.3 V
VBST_UV ブートストラップ低電圧スレッショルド VBSTx- VSHx、VBSTx 立ち上がり、BST_UV_LVL = 0b 3.8 4.4 5 V
VBSTx- VSHx、VBSTx 立ち下がり、BST_UV_LVL = 0b 3.65 4.2 4.8 V
VBST_UV_HYS ブートストラップ低電圧ヒステリシス 立ち上がりから立ち下がりまでのスレッショルド
BST_UV_LVL = 0b および 1b		 120 200 280 mV
tBST_UV_DG ブートストラップ低電圧グリッチ除去時間 立ち上がりエッジと立ち下がりエッジ 4 5 8 µs
VBST_OV ブートストラップ過電圧スレッショルド VBSTx - VSHx、VBSTx の立ち上がり 15.2 18 V
VBST_OV ブートストラップ過電圧スレッショルド VBSTx - VSHx、VBSTx の立ち下がり 15 17.8 V
VBST_OV_HYS ブートストラップ過電圧ヒステリシス 130 200 260 mV
tBST_OV_DG ブートストラップ過電圧グリッチ除去時間 立ち上がりエッジと立ち下がりエッジ 8 12 16 µs
VCP_UV VCP 低電圧スレッショルド VCP - VDRAIN、立ち上がり 6 6.7 7.4 V
VCP_UV VCP 低電圧スレッショルド VCP - VDRAIN、立ち下がり 5.7 6.4 7.1 V
tCP_UV_DG VCP 低電圧グリッチ除去時間 立ち上がりエッジと立ち下がりエッジ 8 12 16 µs
VCP_OV VCP 過電圧スレッショルド VCP - VDRAIN、立ち上がり 14 17.0 V
VCP_OV VCP 過電圧スレッショルド VCP - VDRAIN、立ち下がり 13.8 16.7 V
tCP_OV_DG VCP 過電圧グリッチ除去時間 立ち上がりエッジと立ち下がりエッジ 8 12 16 µs
VDRAIN_UV VDRAIN 低電圧スレッショルド VVDRAIN 立ち上がり 4.25 4.35 4.45 V
VDRAIN_UV VDRAIN 低電圧スレッショルド VVDRAIN 立ち下がり 4.05 4.15 4.25 V
VDRAIN_UV_HYS VDRAIN 低電圧ヒステリシス 170 190 210 mV
tVDRAIN_UV_DG VDRAIN 低電圧グリッチ除去時間 立ち上がりエッジと立ち下がりエッジ 8 12 16 µs
VDRAIN_OV VDRAIN 過電圧スレッショルド VVDRAIN 立ち上がり、VDRAIN_OV_LVL = 00b 28 31 V
VVDRAIN 立ち下がり、VDRAIN_OV_LVL = 00b 27 30 V
VVDRAIN 立ち上がり、VDRAIN_OV_LVL = 01b 33 36 V
VVDRAIN 立ち下がり、VDRAIN_OV_LVL = 01b 32 35 V
VVDRAIN 立ち上がり、VDRAIN_OV_LVL = 10b、11b 50 55 V
VVDRAIN 立ち下がり、VDRAIN_OV_LVL = 10b、11b 48 353 V
VDRAIN_OV_HYS VDRAIN 過電圧ヒステリシス 立ち上がりから立ち下がりまでのスレッショルド、VDRAIN_OV_LVL = 00b、01b 0.7 1.0 1.3 V
VDRAIN_OV_HYS VDRAIN 過電圧ヒステリシス 立ち上がりから立ち下がりまでのスレッショルド、VDRAIN_OV_LVL = 10b、11b 2.0 2.3 2.6 V
tVDRAIN_OV_DG VDRAIN 過電圧グリッチ除去時間 立ち上がりエッジと立ち下がりエッジ 8 12 16 µs
保護回路
VGS_LVL_H ゲート電圧監視スレッショルド VGHx – VSHx、VGLx – VSLx、INLx/INHx=H、VGS_LVL = 1'b1
 7 8.5 V
VGS_LVL_H ゲート電圧監視スレッショルド VGHx – VSHx、VGLx – VSLx、INLx/INHx=H、VGS_LVL = 1'b0
 5 6.3 V
VGS_LVL_L ゲート電圧監視スレッショルド VGHx – VSHx、VGLx – VSLx、INLx/INHx=L 1 2 V
tGS_DG VGS ゲート電圧監視グリッチ除去時間 VGS_DG = 000b
 0.3 0.6 0.8 µs
VGS_DG = 001b 0.6 1.0 1.3 µs
VGS_DG = 010b 1.1 1.5 1.9 µs
VGS_DG = 011b、VGS_DG = 1xxb 1.6 2.0 2.5 µs
tGS_BLK VGS ゲート電圧監視ブランキング時間 VGS_BLK = 000b 1.7 2.25 2.9 µs
VGS_BLK = 001b 2.4 3 3.6 µs
VGS_BLK = 010b 4.0 5 5.8 µs
VGS_BLK = 011b 5.9 7 8.2 µs
VGS_BLK = 100b、101b、110b、111b 8.6 10 11.9 µs
VDS_LVL VDS 過電流保護スレッショルド VDS_LVL = 0000b、SLx = -0.2V ～ +2.0V.VDS_CM = 0b. 0.04 0.06 0.085 V
VDS_LVL = 0001b、SLx = -0.2V ～ +2.0V.VDS_CM = 0b. 0.06 0.08 0.11
VDS_LVL = 0010b、SLx = -0.3V ～ +2.0V. VDS_CM = 0b.

 0.075 0.10 0.13
VDS_LVL = 0011b、SLx = -0.3V ～ +2.0V.
 		 0.09 0.12 0.16
VDS_LVL = 0100b、SLx = -0.3V ～ +2.0V. 0.13 0.16 0.20
VDS_LVL = 0101b、SLx = -0.3V ～ +2.0V. 0.2 0.24 0.29
VDS_LVL = 0110b、SLx = -0.3V ～ +2.0V. 0.27 0.32 0.385
VDS_LVL = 0111b、SLx = -0.3V ～ +2.0V. 0.35 0.4 0.48
VDS_LVL = 1000b、SLx = -0.3V ～ +2.0V. 0.44 0.5 0.58
VDS_LVL = 1001b、SLx = -0.3V ～ +2.0V. 0.59 0.67 0.77
VDS_LVL = 1010b、SLx = -0.3V ～ +2.0V. 0.75 0.83 0.96
VDS_LVL = 1011b、SLx = -0.3V ～ +2.0V. 0.90 1 1.15
VDS_LVL = 1100b、SLx = -0.3V ～ +2.0V. 1.13 1.25 1.42
VDS_LVL = 1101b、SLx = -0.3V ～ +2.0V. 1.36 1.5 1.70
VDS_LVL = 1110b、SLx = -0.3V ～ +2.0V. 1.58 1.75 1.98
VDS_LVL = 1111b、SLx = -0.3V ～ +2.0V. 1.81 2 2.26
tDS_CMP VDS コンパレータ遅延 VDS (コンパレータ入力電圧) 0V から VDS_LVL の最大値 (コンパレータ出力立ち上がり) まで、内部コンパレータの遅延時間。 0.5 1.0 µs
tDS_CMP VDS コンパレータ遅延 VDRAIN から VDS_LVL の最小値 (コンパレータ出力の立ち下がり) までの VDS (コンパレータ入力電圧)、内部コンパレータの遅延時間。 1.0 1.6 µs
tDS_DG VDS 過電流グリッチ除去  VDS_DG = 000b
 0.3 0.5 0.8 µs
VDS_DG = 001b 0.7 1 1.3
VDS_DG = 010b 1.2 1.5 2.0
VDS_DG = 011b 1.5 2 2.5
VDS_DG = 100b 3.3 4 4.8
VDS_DG = 101b 5.2 6 7.3
VDS_DG = 110b、111b 6.8 8 9.2
tDS_BLK VDS 過電流ブランキング時間 VDS_BLK = 000b 0 0.2 µs
VDS_BLK = 001b 0.4 0.5 0.7
VDS_BLK = 010b 0.7 1 1.5
VDS_BLK = 011b 1.4 2 2.6
VDS_BLK = 100b 5.0 6 7.2
VDS_BLK = 101b 6.8 8 9.4
VDS_BLK = 110b 8.4 10 11.9
VDS_BLK = 111b 10.1 12 13.9
VSENSE_LVL VSENSE 過電流スレッショルド SNS_OCP_LVL = 000b：入力同相電圧 +/-2V 37 50 58 mV
SNS_OCP_LVL = 001b：入力同相電圧 +/-2V 62 75 84
SNS_OCP_LVL = 010b：入力同相電圧 +/-2V 87 100 110
SNS_OCP_LVL = 011b：入力同相電圧 +/-2V 112 125 135
SNS_OCP_LVL = 100b：入力同相電圧 +/-2V 135 150 165
SNS_OCP_LVL = 101b：入力同相電圧 +/-2V 185 200 215
SNS_OCP_LVL = 110b：入力同相電圧 +/-2V 280 300 320
SNS_OCP_LVL = 111b：入力同相電圧 +/-2V 475 500 525
tSENSE_DG VSENSE 過電流グリッチ除去時間 SNS_OCP_DG = 00b 1.5 2.0 2.5 µs
SNS_OCP_DG = 01b 3.0 4.0 5.0
SNS_OCP_DG = 10b 4.5 6.0 7.5
SNS_OCP_DG = 11b 8 10.0 12
VPHC_H VDRAIN に対する位相コンパレータの High レベル スレッショルド (VDRAIN 電圧に対する比率) PHC_THR = 0b 0.6 0.75 0.9
VPHC_H VDRAIN に対する位相コンパレータの High レベル スレッショルド (VDRAIN 電圧に対する比率) PHC_THR = 1b 0.37 0.52 0.67
VPHC_L VDRAIN に対する位相コンパレータの Low レベル スレッショルド (VDRAIN 電圧に対する比率) PHC_THR = 0b 0.10 0.25 0.40
VPHC_L VDRAIN に対する位相コンパレータの Low レベル スレッショルド (VDRAIN 電圧に対する比率) PHC_THR = 1b 0.33 0.48 0.63
tPHC_PD_HL 位相コンパレータの伝搬遅延 位相コンパレータの High から
Low までの Shx から PHCx までの伝搬遅延、Cload = 20pF、SHx 入力
テスト条件 60V – 0V/10ns (設計目標)、SHx = 88% から VDRAIN の 15% まで		 1.5 µs
tPHC_PD_LH 位相コンパレータの伝搬遅延 位相コンパレータの Low から
High までの Shx から PHCx までの伝搬遅延、Cload = 20pF、SHx 入力
テスト条件 0V – 60V/10ns (設計目標)、SHx = 15% から VDRAIN の 88% まで		 1.5 µs
tPHC_OUT_DEG 位相コンパレータ出力グリッチ除去時間 PHCOUT_DG_SEL = 1 0.8 1.0 1.4 µs
TOTW 過熱警告温度 TJ 立ち上がり、OT_LVL = 0b; 125 150 °C
TOTW_HYS 過熱警告ヒステリシス 15 22 25 °C
tOTW_DEG 過熱警告グリッチ除去 8 12 16 µs
TOTSD サーマル シャットダウン温度 TJ 立ち上がり 155 180 °C
TOTSD_HYS サーマル シャットダウン ヒステリシス 16 23 27 °C
tOTSD_DEG サーマル シャットダウン グリッチ除去 8 12 16 µs
tDRVN_SD ゲート駆動シャットダウン シーケンス時間 20 µs