JAJSUO7I April   1978  – March 2025 NA556 , NE556 , SA556 , SE556

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報
    5. 5.5 電気的特性
    6. 5.6 スイッチング特性
  7. 6 詳細説明
    1. 6.1 概要
    2. 6.2 機能ブロック図
    3. 6.3 機能説明
      1. 6.3.1 モノステーブル動作
      2. 6.3.2 非安定動作
    4. 6.4 デバイスの機能モード
  8. 7 アプリケーションと実装
    1. 7.1 アプリケーション情報
    2. 7.2 代表的なアプリケーション
      1. 7.2.1 パルス幅変調
        1. 7.2.1.1 設計要件
        2. 7.2.1.2 詳細な設計手順
        3. 7.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 7.2.2 パルス位置変調
        1. 7.2.2.1 設計要件
        2. 7.2.2.2 詳細な設計手順
        3. 7.2.2.3 アプリケーション曲線
  9. 8 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 8.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 8.2 サポート・リソース
    3. 8.3 商標
    4. 8.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 8.5 用語集
  10. 9 改訂履歴
  11. 10メカニカル、パッケージ、および注文情報

5.4 熱に関する情報

熱評価基準(1) NA556、NE556 NE556 SE556 NA556、NE556、SA556 NE556 単位
D
(SOIC)		 DB
(SSOP)		 J
(CDIP)		 N
(PDIP)		 NS
(SOP)
14 ピン 14 ピン 14 ピン 14 ピン 14 ピン
RθJA 接合部から周囲への熱抵抗 91.4 104.5 86.1 73.4 89.5 ℃/W
RθJC(top) 接合部からケース (上面) への熱抵抗 51.7 56.3 38.8 51.7 47.3 ℃/W
RθJB 接合部から基板への熱抵抗 49.6 64.1 73.5 47.6 52.9 ℃/W
ψJT 接合部から上面への特性パラメータ 12.3 14.0 32.4 29.5 11.3 ℃/W
ψJB 接合部から基板への特性パラメータ 49.1 63.3 68.7 47.0 52.3 ℃/W
RθJC(bot) 接合部からケース (底面) への熱抵抗 該当なし 該当なし 20.1 該当なし 該当なし ℃/W
(1) 従来および最新の熱評価基準の詳細については、『半導体および IC パッケージの熱評価基準』アプリケーション レポートを参照してください。